CN202150491U - 具有高显色性的白光led器件和led芯片模块 - Google Patents

具有高显色性的白光led器件和led芯片模块 Download PDF

Info

Publication number
CN202150491U
CN202150491U CN201120187967U CN201120187967U CN202150491U CN 202150491 U CN202150491 U CN 202150491U CN 201120187967 U CN201120187967 U CN 201120187967U CN 201120187967 U CN201120187967 U CN 201120187967U CN 202150491 U CN202150491 U CN 202150491U
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
extremely
conducting layer
metal
transparency conducting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201120187967U
Other languages
English (en)
Inventor
许朝军
周玉刚
姜志荣
赖燃兴
肖国伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd
Original Assignee
APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd filed Critical APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd
Priority to CN201120187967U priority Critical patent/CN202150491U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202150491U publication Critical patent/CN202150491U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种白光LED器件，包括一LED芯片模块、一基板以及一荧光胶。该LED芯片模块包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片，以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层，该半透反射层直接透射其一侧的光线，而反射其另一侧的光线。该LED芯片模块设置在基板上，该荧光胶设置在基板上并将LED芯片模块包覆。相对于现有技术，本实用新型的白光LED器件及其LED芯片模块在层叠设置的第一LED芯片和第二LED芯片之间设置半透反射层，使半透反射层之下的光线可直接穿透半透反射层且使半透反射层之上的光线同时被反射而不被下层的LED芯片吸收，从而在实现高显色指数且混色均匀的同时，提高LED器件的出光效率。

Description

具有高显色性的白光LED器件和LED芯片模块
技术领域
本实用新型属于发光器件的制造领域，涉及一种发光二极管器件的结构及其制造方法，尤其涉及一种具有高显色性的白光发光二极管器件及其LED芯片模块。
背景技术
LED(发光二极管)光源具有高效率、长寿命、节能、不含Hg等有害物质等优点。随着LED技术的迅猛发展，LED的亮度、寿命等性能都得到了极大的提升，使得LED的应用领域越来越广泛，从路灯等室外照明到装饰灯等室内照明，均纷纷使用或更换成LED作为光源。而其中白光LED作为普通照明的应用，更是有着深远的意义。目前实现白光LED的主流技术是蓝光LED芯片搭配黄色荧光粉，但其显色指数较低，难以实现显色指数达80或以上的要求，这就导致白光LED难以进入阅读照明、橱窗照明及医疗照明等室内照明领域。因此，如何提升白光LED的显色指数，已经成为照明领域中的一个急需得到解决的问题。
如公开号为CN101694863A的中国实用新型专利申请公开了一种高显色指数白光LED的制作方法，该方法主要是将胶黏剂与荧光粉的混合物涂敷在蓝光LED芯片上，其中荧光粉由黄色荧光粉、红色荧光粉及数种波长的绿色荧光粉混合而成，并通过四种荧光粉的混合实现高显色性。但是，由于红色荧光粉的转换效率较低，从而会影响整个发光器件的出光效率。
又如公开号为CN101246876A的中国实用新型专利申请公开了一种高光效高显色性的LED灯，该LED灯选择一个或一个以上的蓝光LED芯片作为激发光源，配置多个红光LED芯片，通过调节红光强度可获得不同色温的高光效高显色性的发光效果。但是，由于蓝光LED芯片和多个红光LED芯片设置在基板的同一个平面上，不同发光波长芯片位于基板的不同区域，往往会导致混色效果不均匀。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种高出光率、混色均匀的高显色性的白光LED器件及其LED芯片模块。
本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种白光LED器件，包括一LED芯片模块、一基板以及一荧光胶。该LED芯片模块包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片，以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层，该半透反射层直接透射其一侧的光线，而反射其另一侧的光线。该LED芯片模块设置在基板上，该荧光胶设置在基板上并将LED芯片模块包覆。
一种LED芯片模块，其包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片，以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层，该半透反射层直接透射其一侧的光线，而反射其另一侧的光线。
相对于现有技术，本实用新型的白光LED器件及其LED芯片模块在层叠设置的第一LED芯片和第二LED芯片之间设置半透反射层，使半透反射层之下的光线可直接穿透半透反射层且使半透反射层之上的光线同时被反射而不被下层的LED芯片吸收，从而在实现高显色指数且混色均匀的同时，提高LED器件的出光效率。
为了能更清晰的理解本实用新型，以下将结合附图说明阐述本实用新型的具体实施方式。
附图说明
图1是本实用新型的LED器件的结构示意图。
图2是图1的LED芯片模块的结构示意图。
图3是本实用新型实施例1的LED芯片模块的结构示意图。
图4是图3所示的LED芯片模块的电路示意图。
图5是本实用新型实施例2的LED芯片模块的结构示意图。
图6是本实用新型实施例3的LED芯片模块的结构示意图。
图7是图6所示的LED芯片模块的电路示意图。
图8是本实用新型实施例4的LED芯片模块的结构示意图。
具体实施方式
请同时参阅图1和图2，其中，图1是本实用新型的LED器件的结构示意图，图2是图1的LED芯片模块的结构示意图。本实用新型的LED器件包括一基板1，设置在基板1上的LED芯片模块2，以及设置在基板1上、并将LED芯片模块2包覆的荧光胶3。
其中，该LED芯片模块2包括第一LED芯片21、第二LED芯片22和一半透反射层23。该第一LED芯片21与基板1接触并与其电连接。该第二LED芯片22设置在该第一LED芯片21的上方并与其电连接。该半透反射层23设置在该第一LED芯片21和第二LED芯片22之间，并同时与该第一LED芯片21和第二LED芯片22接触或者与其中之一接触。该第二LED芯片22发出的光线部分直接往覆盖荧光胶3的一侧出射，部分通过该半透反射层23反射后再往覆盖荧光胶3的一侧出射。该第一LED芯片21发出的光线可直接穿透该半透反射层23向上出射。即该半透反射层23可反射其一侧的光线，且能使其另一侧的光线穿透。从而使混色均匀且提高显色性的同时，又能提高该LED器件的出光率。
以下通过多个实施例说明该LED芯片模块2的具体结构。
实施例1：
请同时参阅图3和图4，其中，图3是本实用新型实施例1的LED芯片模块的结构示意图，图4是图3所示的LED芯片模块的电路示意图。其中，该第一LED芯片21为正装结构的LED芯片，其出光方向为电极一侧出光；第二LED芯片22为倒装结构的LED芯片，其出光方向为该第二LED芯片22的外延衬底一侧(即与电极相对的另一侧)。
该第一LED芯片21的P极表面设有第一透明导电层212，绝缘层214覆盖在第一透明导电层212的部分表面，第一金属焊垫213设置在该第一LED芯片的N极表面和该绝缘层214表面。该第二LED芯片22的P极表面设有第二透明导电层222，第二金属焊垫223设置在该第二LED芯片22的N极表面和该第二透明导电层222表面。
该第一LED芯片21的绝缘层上的的第一金属焊垫213与该第二LED芯片22的N极的第二金属焊垫223通过凸点焊球215连接；同样，该第一LED芯片21的N极的第一金属焊垫213和该第二LED芯片22的P极的第二金属焊垫223通过凸点焊球215连接，从而使该第一LED芯片21和该第二LED芯片22之间形成如图4所示的串联关系。外接焊垫216设置在该第一透明导电层212上以及该绝缘层214上的第一金属焊垫213上，该LED芯片模块2通过该外接焊垫216接入外部驱动电源。
在本实施例中，该第一LED芯片21为蓝光LED芯片，该第二LED芯片22为红光LED芯片。
半透反射层23设置在该第二透明导电层222的表面，并对应该第一透明导电层212的区域。该半透反射层为由两种介电系数不同的材料按ABAB……的方式交替排列组成的多层膜结构，其组成如下表1中所示，其中，该多层膜结构中的第1层位于靠近蓝光LED芯片的一侧，第16层位于靠近红光LED芯片的一侧。
  层号   材料   厚度(纳米)
  1   Nb2O5   69.94
  2   SiO2   106.99
  3   Nb2O5   59.34
  4   SiO2   124.57
  5   Nb2O5   27.16
  6   SiO2   125.14
  7   Nb2O5   57.10
  8   SiO2   107.92
  9   Nb2O5   62.96
  10   SiO2   120.09
  11   Nb2O5   91.85
  12   SiO2   26.16
  13   Nb2O5   7.35
  14   SiO2   107.80
  15   Nb2O5   70.62
  16   SiO2   38.46
表1半透反射层的16层光学薄膜结构
实施例2：
请参阅图5，其是本实用新型实施例2的LED芯片模块的结构示意图。其中，该第一LED芯片21和第二LED芯片22为垂直结构的LED芯片。
第一金属焊垫213设置在该第一LED芯片21的N极表面，凸点焊球215设置在该第一金属焊垫213的上表面。半透反射层23设置在该第一金属焊垫213以外的该第一LED芯片21的N极表面。第二透明导电层222覆盖在该第二LED芯片22的P极表面。该第二LED芯片22设置在该第一LED芯片21的上方，并使该第二透明导电层222与该半透反射层23及凸点焊球215接触固定。外接焊垫216分别覆盖在该第一LED芯片21的P极表面以及设置在该第二LED芯片22的N极表面。
在本实施例中，该第一LED芯片21为红光LED芯片，该第二LED芯片22为蓝光LED芯片。该半透反射层23可让下方往上出射的红光直接透过，并反射上方往下出射的蓝光。该第一LED芯片21和该第二LED芯片22之间形成如图4所示的串联关系。
实施例3：
请同时参阅图6和图7，图6是本实用新型实施例3的LED芯片模块的结构示意图，图7是图6所示的LED芯片模块的电路示意图。其中，该第一LED芯片21和第二LED芯片22为倒装结构的LED芯片，其出光方向分别为该第一LED芯片21的外延衬底一侧和第该二LED芯片22的外延衬底一侧(即与电极相对的另一侧)。
一金属导电层218覆盖在该第一LED芯片21的N极表面并沿其侧边延伸覆盖至外延衬底表面的一端；以及该金属导电层218还覆盖在该第一LED芯片21的P极表面并沿其侧边延伸覆盖至外延衬底表面的另一端。一绝缘层214设置在该P极对应的侧边与该金属导电层218之间并延伸至外延衬底表面，用于避免金属导电层218直接将该第一LED芯片21的P极与N极连接导通。半透反射层23设置在该第一LED芯片21的金属导电层218区域以外的外延衬底表面上。
该第二LED芯片22的P极表面覆盖一第二透明导电层222。第二金属焊垫223设置在该第二LED芯片22的N极表面以及在该第二透明导电层222上。
该LED芯片模块2还包括一衬底24，衬底表面设置有金属布线242，外接焊垫216设置在该金属布线242上。
该第二LED芯片22的第二金属焊垫223通过凸点焊球215固定在该第一LED芯片21的外延衬底表面的金属导电层218上。该第一LED芯片21的P极和N极表面的金属导电层218通过凸点焊球215设置在该衬底24的金属布线242上。
在本实施例中，该第一LED芯片21为红光LED芯片，该第二LED芯片22为蓝光LED芯片。该半透反射层23可让下方往上出射的红光直接透过，并反射上方往下出射的蓝光。该第一LED芯片21和该第二LED芯片22之间形成如图7所示的并联关系。
实施例4：
请参阅图8，其是本实用新型实施例4的LED芯片模块的结构示意图。其中，该第一LED芯片21为正装结构的LED芯片，该第二LED芯片22为垂直结构的LED芯片。
该第一LED芯片21的P极表面设有第一透明导电层212，第一金属焊垫213设置在该第一LED芯片的N极表面和第一透明导电层212表面，凸点焊球215设置在与该第一透明导电层212相连的第一金属焊垫213的上表面。外接焊垫216设置在该第一透明导电层212上以及该第一LED芯片21的N极上的第一金属焊垫213上。半透反射层23设置在该第一金属焊垫213和外接焊垫216区域以外的该第一透明导电层212的上表面。第二透明导电层222覆盖在该第二LED芯片22的P极表面，第二金属焊垫223设置在该第二LED芯片22的N极表面。该第二LED芯片22设置在该第一LED芯片21的上方，并使该第二透明导电层222与该半透反射层23及凸点焊球215接触固定。金属线219用于连接第二金属焊垫223与第一LED芯片21的N极上的第一金属焊垫213。
在本实施例中，该第一LED芯片21为红光LED芯片，该第二LED芯片22为蓝光LED芯片。该半透反射层23可让下方往上出射的红光直接透过，并反射上方往下出射的蓝光。该第一LED芯片21和该第二LED芯片22之间形成如图7所示的并联关系。
相对于现有技术，本实用新型将具有相异波长出射光的第一LED芯片和第二LED芯片层叠设置，再配以相应的荧光粉，并在该第一LED芯片和第二LED芯片之间设置半透反射层，使半透反射层之下的光线可直接穿透半透反射层且使半透反射层之上的光线同时被反射而不被下层的LED芯片吸收，从而在实现高显色指数且混色均匀的同时，提高LED器件的出光效率。进一步，通过电极再分布技术，可简单地实现上下层的第一LED芯片和第二LED芯片之间的串联、并联或者混联。
本实用新型并不局限于上述实施方式，如果对本实用新型的各种改动或变形不脱离本实用新型的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本实用新型的权利要求和等同技术范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变形。

Claims (10)

1.一种白光LED器件，其特征在于：包括
一LED芯片模块，该LED芯片模块包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片，以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层，该半透反射层直接透射其一侧的光线，而反射其另一侧的光线；
一基板；以及
一荧光胶；
该LED芯片模块设置在基板上，该荧光胶设置在基板上并将LED芯片模块包覆。
2.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于：该第一LED芯片为正装LED芯片，一透明导电层覆盖在该第一LED芯片的P极表面，一绝缘层覆盖在该第一透明导电层的部分表面，二第一金属焊垫分别设置在该第一LED芯片的N极表面和该绝缘层表面；该第二LED芯片为倒装LED芯片，一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面，二第二金属焊垫分别设置在该第二LED芯片的N极表面和该第二透明导电层表面；该第一LED芯片的绝缘层表面的第一金属焊垫与该第二LED芯片的N极的第二金属焊垫通过凸点焊球连接，该第一LED芯片的N极的第一金属焊垫和该第二LED芯片的P极的第二金属焊垫通过凸点焊球连接；该半透反射层设置在该第一透明导电层表面，或者设置在该第二透明导电层表面。
3.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于：该第一LED芯片和该第二LED芯片为垂直结构的LED芯片，一第一金属焊垫设置在该第一LED芯片的N极表面，一凸点焊球设置在该第一金属焊垫的上表面；一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面；该第二LED芯片设置在该第一LED芯片的上方；该半透反射层设置在该第一LED芯片的N极表面的该第一金属焊垫以外的区域，该第二透明导电层与该半透反射层及凸点焊球接触。
4.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于：该第一LED芯片和第二LED芯片为倒装结构的LED芯片；一金属导电层覆盖在该第一LED芯片的N极表面并沿其侧边延伸覆盖至外延衬底表面的一端，以及该金属导电层还覆盖在该第一LED芯片的P极表面并沿其侧边延伸覆盖至外延衬底表面的另一端；一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面，二第二金属焊垫分别设置在该第二LED芯片的N极表面以及在该第二透明导电层上；该LED芯片模块还包括一衬底，衬底表面设置有金属布线；该第二LED芯 片的第二金属焊垫通过凸点焊球固定在该第一LED芯片的外延衬底表面的金属导电层上；该第一LED芯片的P极和N极表面的金属导电层通过凸点焊球设置在该衬底的金属布线上；该半透反射层设置在该第一LED芯片的金属导电层区域以外的外延衬底表面上。
5.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于：该第一LED芯片为正装结构的LED芯片，一第一透明导电层设置在该第一LED芯片的P极表面，一第一金属焊垫设置在该第一LED芯片的N极表面和第一透明导电层表面，一凸点焊球设置在与该第一透明导电层相连的第一金属焊垫的上表面；该第二LED芯片为垂直结构的LED芯片，一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面，一第二金属焊垫设置在该第二LED芯片的N极表面；该第二LED芯片设置在该第一LED芯片的上方，并使该第二透明导电层与该凸点焊球接触固定，一金属线连接第二金属焊垫与第一LED芯片的N极上的第一金属焊垫；该半透反射层设置在该第一金属焊垫和外接焊垫区域以外的该第一透明导电层的上表面，并与该第二透明导电层接触。
6.一种LED芯片模块，其特征在于：该LED芯片模块包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片，以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层，该半透反射层直接透射其一侧的光线，而反射其另一侧的光线。
7.根据权利要求6所述的LED芯片模块，其特征在于：该第一LED芯片为正装LED芯片，一透明导电层覆盖在该第一LED芯片的P极表面，一绝缘层覆盖在该第一透明导电层的部分表面，二第一金属焊垫分别设置在该第一LED芯片的N极表面和该绝缘层表面；该第二LED芯片为倒装LED芯片，一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面，二第二金属焊垫分别设置在该第二LED芯片的N极表面和该第二透明导电层表面；该第一LED芯片的绝缘层表面的第一金属焊垫与该第二LED芯片的N极的第二金属焊垫通过凸点焊球连接，该第一LED芯片的N极的第一金属焊垫和该第二LED芯片的P极的第二金属焊垫通过凸点焊球连接；该半透反射层设置在该第一透明导电层表面，或者设置在该第二透明导电层表面。
8.根据权利要求6所述的LED芯片模块，其特征在于：该第一LED芯片和该第二LED芯片为垂直结构的LED芯片，一第一金属焊垫设置在该第一LED芯片的N极表面，一凸点焊球设置在该第一金属焊垫的上表面；一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P 极表面；该第二LED芯片设置在该第一LED芯片的上方；该半透反射层设置在该第一LED芯片的N极表面的该第一金属焊垫以外的区域，该第二透明导电层与该半透反射层及凸点焊球接触。
9.根据权利要求6所述的LED芯片模块，其特征在于：该第一LED芯片和第二LED芯片为倒装结构的LED芯片；一金属导电层覆盖在该第一LED芯片的N极表面并沿其侧边延伸覆盖至外延衬底表面的一端，以及该金属导电层还覆盖在该第一LED芯片的P极表面并沿其侧边延伸覆盖至外延衬底表面的另一端；一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面，二第二金属焊垫分别设置在该第二LED芯片的N极表面以及在该第二透明导电层上；该LED芯片模块还包括一衬底，衬底表面设置有金属布线；该第二LED芯片的第二金属焊垫通过凸点焊球固定在该第一LED芯片的外延衬底表面的金属导电层上；该第一LED芯片的P极和N极表面的金属导电层通过凸点焊球设置在该衬底的金属布线上；该半透反射层设置在该第一LED芯片的金属导电层区域以外的外延衬底表面上，或者设置在该第二透明导电层表面。
10.根据权利要求6所述的LED芯片模块，其特征在于：该第一LED芯片为正装结构的LED芯片，一第一透明导电层设置在该第一LED芯片的P极表面，一第一金属焊垫设置在该第一LED芯片的N极表面和第一透明导电层表面，一凸点焊球设置在与该第一透明导电层相连的第一金属焊垫的上表面；该第二LED芯片为垂直结构的LED芯片，一第二透明导电层覆盖在该第二LED芯片的P极表面，一第二金属焊垫设置在该第二LED芯片的N极表面；该第二LED芯片设置在该第一LED芯片的上方，并使该第二透明导电层与该凸点焊球接触固定，一金属线连接第二金属焊垫与第一LED芯片的N极上的第一金属焊垫；该半透反射层设置在该第一金属焊垫区域以外的该第一透明导电层的上表面，并与该第二透明导电层接触。 
CN201120187967U 2011-06-07 2011-06-07 具有高显色性的白光led器件和led芯片模块 Expired - Fee Related CN202150491U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201120187967U CN202150491U (zh) 2011-06-07 2011-06-07 具有高显色性的白光led器件和led芯片模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201120187967U CN202150491U (zh) 2011-06-07 2011-06-07 具有高显色性的白光led器件和led芯片模块

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202150491U true CN202150491U (zh) 2012-02-22

Family

ID=45591543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201120187967U Expired - Fee Related CN202150491U (zh) 2011-06-07 2011-06-07 具有高显色性的白光led器件和led芯片模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202150491U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102208402A (zh) * 2011-06-07 2011-10-05 晶科电子（广州）有限公司 具有高显色性的led芯片模块、白光led器件及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102208402A (zh) * 2011-06-07 2011-10-05 晶科电子（广州）有限公司 具有高显色性的led芯片模块、白光led器件及其制造方法
CN102208402B (zh) * 2011-06-07 2014-03-26 晶科电子（广州）有限公司 具有高显色性的led芯片模块、白光led器件及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101958316B (zh) Led集成封装光源模块
CN101639164B (zh) 一种高稳定的增强显色性led光源模块
CN201066688Y (zh) 发光二极管及背光模组
CN103335226A (zh) 一种全方向出光的led球泡灯
CN101915369A (zh) Led白光光源模块
CN109148429B (zh) 发光二极管封装结构
CN201628103U (zh) 混光led模块
CN103050615A (zh) 一种高显色性白光led器件
JP2012028652A (ja) 高輝度かつ高発色指数を有する温かみのある白色光ｌｅｄランプおよびｌｅｄモジュール
CN104979456A (zh) 一种led光源装置及其封装方法及背光模组及显示装置
CN103700651A (zh) 高显色led灯丝
CN101740706A (zh) 高亮度白光led及其制作方法
CN101540362B (zh) 混光形成led暖白色光源的方法及其光源结构
CN201282151Y (zh) 一种大功率发光二极管器件
CN202598261U (zh) 一种高亮度高显色指数的暖白光led灯及led模组
CN102208402B (zh) 具有高显色性的led芯片模块、白光led器件及其制造方法
CN202150491U (zh) 具有高显色性的白光led器件和led芯片模块
CN201382289Y (zh) 混光形成led暖白色光源的光源结构
CN207651514U (zh) 抗外源干扰的一体式红外led封装结构
CN203631546U (zh) 一种大功率集成封装芯片排布结构
CN103904073A (zh) Led和oled集成照明模块
CN203165896U (zh) Led和oled集成照明模块
CN203118943U (zh) 一种cob灯源板结构
CN203787466U (zh) Led封装结构
CN203322806U (zh) 一种线性发光的led光源模组

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120222

Termination date: 20130607