CN203589031U - 一种用于amoled聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构 - Google Patents
一种用于amoled聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203589031U CN203589031U CN201320636838.0U CN201320636838U CN203589031U CN 203589031 U CN203589031 U CN 203589031U CN 201320636838 U CN201320636838 U CN 201320636838U CN 203589031 U CN203589031 U CN 203589031U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film layer
- refractive index
- index film
- thin film
- polymer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 title claims abstract description 32
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000588731 Hafnia Species 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构，其设置于聚合物衬底上，所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层，所述薄膜结构的顶层和底层均为所述高折射率薄膜层。通过在聚合物衬底上设置多层的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，当薄膜结构的反射率足够高时，还有可能因为激光充分反射而降低结晶化所需的ELA激光能量，使衬底材料的选择面更广。同时，本实用新型所提供的薄膜结构还能起到阻挡由聚合物衬底方向渗透的水氧的作用，可以作为水氧阻隔层使用。
Description
技术领域
本实用新型属于柔性显示技术、薄膜技术和光学设计范畴，更具体地讲，涉及一种柔性主动矩阵有机电致发光显示器中具备抗激光的薄膜结构。
背景技术
基于聚合物衬底和低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）的柔性主动矩阵有机电致发光显示器（AMOLED）在制作过程中，需要对非晶硅（a-Si）进行准分子激光退火（ELA）结晶化，以提高沟道迁移率，使TFT器件符合驱动OLED器件的要求。而a-Si在制备过程中由于杂质和缺陷等，会出现针孔，在ELA时，高能激光会透过针孔照射聚合物衬底。对于传统的玻璃衬底，完全可以耐受这样的高能激光照射；而当聚合物柔性衬底被采用时，由于其较低的玻璃化温度和对紫外光的高吸收率，难以耐受ELA的激光能量密度，有烧毁衬底的风险。
图1为现有技术方案。聚合物衬底101为衬底，钝化膜102沉积在聚合物衬底101上，其中的钝化膜102一般为氧化硅和氮化硅。在之上沉积非晶硅103，沉积过程中由于杂质或缺陷等原因，会出现针孔104。接下来进行ELA时，激光105会透过针孔104，而钝化膜102不足以遮挡高能紫外激光105的入射，高能紫外激光105会照射至聚合物衬底101上，从而导致聚合物衬底101的损伤。
实用新型内容
为了解决聚合物柔性衬底易受透过针孔的高能激光损伤的技术问题，提高AMOLED中聚合物衬底的抗激光损伤能力，本实用新型提供了一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构。
所述技术方案如下：
一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构，其设置于聚合物衬底上，所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层，所述薄膜结构的顶层和底层均为所述的高折射率薄膜层。
优选地，所述聚合物衬底上所沉积的所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层呈交替分布。
所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层中的每层膜厚t均满足t=zλH或L/4，其中z为奇数，λH或L为准分子激光退火所用激光在所述高折射率薄膜层或低折射率薄膜层内的波长。
各所述的高折射率薄膜层为氮化硅薄膜层、二氧化钛薄膜层、五氧化二钽薄膜层、氧化锆薄膜层、钛酸镧薄膜层、氧化铪薄膜层和硒化锌薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
各所述的低折射率薄膜层为氟化镁薄膜层、氧化硅薄膜层、氧化铝薄膜层和氮化钛薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
最优选地，所述的高折射率薄膜层为3-10层，所述的低折射率薄膜层为2-8层。
本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：
A.通过在聚合物衬底上设置多层的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，当薄膜结构的反射率足够高时，还有可能因为激光充分反射而降低结晶化所需的ELA激光能量，使衬底材料的选择面更广。同时，本实用新型所提供的薄膜结构还能起到阻挡由聚合物衬底方向渗透的水氧的作用，可以作为水氧阻隔层使用。
B.从图3和图4可知，采用合适层数和厚度的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，其对规格波长反射率可达到98%以上，对光的反射效果显著。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术所使用的钝化膜沉积结构图；
图2为本实用新型所描述的薄膜结构示意图；
图3为实施例1所描述的薄膜结构所能实现的反射率曲线；
图4为实施例2所描述的薄膜结构所能实现的反射率曲线。
图中：
图1中：101-聚合物衬底，102-钝化膜，103-非晶硅，104-针孔，105-紫外激光；
图2中：201-聚合物衬底，202-高折射率薄膜组，203-低折射率薄膜组。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
如图2所示，本实用新型提供的用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构，其设置于聚合物衬底201上，薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层202和低折射率薄膜层203，其中的高折射率薄膜层202和低折射率薄膜层203在聚合物衬底201上均设置至少两层，薄膜结构的顶层和底层均为高折射率薄膜层202。
其中的聚合物衬底201为聚合物柔性衬底，材料可以为但不限于聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PCO）、聚醚醚酮（PEEK）、聚醚砜（PES）等。在聚合物衬底201上交替沉积高折射率薄膜层202和低折射率薄膜层203，其中，高折射率薄膜层可以是但不限于氮化硅薄膜层、二氧化钛薄膜层、五氧化二钽薄膜层、氧化锆薄膜层、钛酸镧薄膜层、氧化铪薄膜层和硒化锌薄膜层等，低折射率薄膜层可以是但不限于氟化镁薄膜层、氧化硅薄膜层、氧化铝薄膜层、氮化钛薄膜层等。其制备方法可以是但不限于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、溅射、蒸发、原子层沉积（ALD）等。高折射率薄膜层202和低折射率薄膜层203的层数均≥2，若以H代表高折射率薄膜，L代表低折射率薄膜，用公式表示为H（LH）s，其中s≥2。高折射率薄膜层202和低折射率薄膜层203中每层薄膜的膜厚t均满足t=zλH或 L/4，其中z为奇数，λH或L为ELA所用激光在高折射率薄膜层202和低折射率薄膜层203内的波长，对于高折射率材料的折射率nH和低折射率材料的折射率nL，有λH=λ0/nH和λL=λ0/nL，λ0为ELA激光的规格波长。这样根据ELA激光规格波长设计的薄膜结构，能够强烈反射ELA激光，保护柔性衬底。
实施例1
其采用四层氮化硅作为高折射率薄膜层的材料，三层氧化硅作为低折射率薄膜层的材料，公式为H（LH）3，采用PECVD进行沉积。ELA激光的规格波长为308nm，根据该波长设计的膜系，氧化硅的膜厚均为52.13nm，氮化硅的膜厚均为35.9nm，由图3可知，在308nm处膜系的反射率超过90%。
实施例2
采用公式为H（LH）4的膜系，高折射率薄膜层的材料为5层氧化锆，低折射率薄膜层的材料为4层氟化镁，均采用溅射的方式成膜。ELA激光规格波长为248nm。根据该波长设计的膜系，氧化锆的膜厚均为26.96nm，氟化镁的膜厚均为44.93nm。由图4可知，在规格波长248nm处膜系的反射率超过98%。。
上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构，其设置于聚合物衬底上，其特征在于，所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层，所述薄膜结构的顶层和底层均为所述的高折射率薄膜层。
2.根据权利要求1所述的抗激光损伤薄膜结构，其特征在于，所述聚合物衬底上所沉积的所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层呈交替分布。
3.根据权利要求1或2所述的抗激光损伤薄膜结构，其特征在于，所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层中的每层膜厚t均满足t=zλH或L/4，其中z为奇数，λH或L为准分子激光退火所用激光在所述的高折射率薄膜层或低折射率薄膜层内的波长。
4.根据权利要求3所述的抗激光损伤薄膜结构，其特征在于，各所述的高折射率薄膜层为氮化硅薄膜层、二氧化钛薄膜层、五氧化二钽薄膜层、氧化锆薄膜层、钛酸镧薄膜层、氧化铪薄膜层和硒化锌薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
5.根据权利要求4所述的抗激光损伤薄膜结构，其特征在于，各所述的低折射率薄膜层为氟化镁薄膜层、氧化硅薄膜层、氧化铝薄膜层和氮化钛薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
6.根据权利要求5所述的抗激光损伤薄膜结构，其特征在于，所述的高折射率薄膜层为3-10层，所述的低折射率薄膜层为2-8层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320636838.0U CN203589031U (zh) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 一种用于amoled聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320636838.0U CN203589031U (zh) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 一种用于amoled聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203589031U true CN203589031U (zh) | 2014-05-07 |
Family
ID=50586898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320636838.0U Expired - Lifetime CN203589031U (zh) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 一种用于amoled聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203589031U (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107622973A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled基板的制作方法及amoled基板 |
| CN107863446A (zh) * | 2017-11-11 | 2018-03-30 | 福州大学 | 一种oled器件结构及制备方法 |
| CN108508517A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-07 | 厦门信达光电物联科技研究院有限公司 | 用于深紫外线的反射膜及其制备方法、反射件和led装置 |
| WO2019127810A1 (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 准分子激光退火设备 |
| CN110504382A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-26 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| WO2020071195A1 (ja) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| CN112904460A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-04 | 中科德诚(广州)科技有限责任公司 | 用于激光防护的低透射率柔性薄膜及其应用的物体 |
-
2013
- 2013-10-15 CN CN201320636838.0U patent/CN203589031U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107622973A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled基板的制作方法及amoled基板 |
| WO2019041554A1 (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled基板的制作方法及amoled基板 |
| CN107863446A (zh) * | 2017-11-11 | 2018-03-30 | 福州大学 | 一种oled器件结构及制备方法 |
| CN107863446B (zh) * | 2017-11-11 | 2019-08-09 | 福州大学 | 一种oled器件结构及制备方法 |
| WO2019127810A1 (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 准分子激光退火设备 |
| CN108508517A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-07 | 厦门信达光电物联科技研究院有限公司 | 用于深紫外线的反射膜及其制备方法、反射件和led装置 |
| WO2020071195A1 (ja) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| JPWO2020071195A1 (ja) * | 2018-10-02 | 2021-09-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| JP7113085B2 (ja) | 2018-10-02 | 2022-08-04 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN110504382A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-26 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN112904460A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-04 | 中科德诚(广州)科技有限责任公司 | 用于激光防护的低透射率柔性薄膜及其应用的物体 |
| CN112904460B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-11-21 | 中科德诚(广州)科技有限责任公司 | 用于激光防护的低透射率柔性薄膜及其应用的物体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203589031U (zh) | 一种用于amoled聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构 | |
| US9337212B2 (en) | Flexible display substrate and manufacturing method thereof, and flexible display device | |
| US10529794B2 (en) | Display apparatus | |
| US20220018022A1 (en) | Multilayer encapsulation thin-film | |
| Park et al. | Ultrathin film encapsulation of an OLED by ALD | |
| TWI521760B (zh) | A flexible substrate | |
| EA201391377A1 (ru) | Прозрачная подложка, снабженная тонкопленочной многослойной системой | |
| KR102197243B1 (ko) | 적층체 및 가스 배리어 필름 | |
| US10826017B2 (en) | Packaging assembly and preparation method thereof, and display device | |
| TW201542385A (zh) | 透明導電性膜 | |
| MY160173A (en) | Light transmittance optimizing coated glass article for solar cell and method for making | |
| US8557404B2 (en) | Transparent conductive film having FTO/ITO laminate | |
| US10453907B2 (en) | OLED device and method for fabricating the same | |
| JP2020505736A (ja) | オプトエレクトロニクス箔およびオプトエレクトロニクス箔の製造方法 | |
| WO2009069695A1 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| TW201446988A (zh) | 透明氣體障蔽薄膜之製造方法、及透明氣體障蔽薄膜之製造裝置 | |
| CN101429640A (zh) | 一种透明导电膜的制备方法 | |
| JP2010069675A (ja) | 機能性フィルム、その製造方法、積層体および電子デバイス | |
| TW201012773A (en) | Transparent conductive film substrate and solar cell using the substrate | |
| TW201641272A (zh) | 透明導電性膜 | |
| JP2007063574A5 (zh) | ||
| TWI390554B (zh) | A transparent conductive film with crystals | |
| RU2016145417A (ru) | Прозрачный электрод на подложке для осид | |
| US10815566B2 (en) | Flexible substrate and manufacturing method thereof, display | |
| KR20130134893A (ko) | 투명 전도성 필름 및 이를 제조하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140507 |