CN203561959U - 面板装置及触控面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种面板装置及触控面板，其中面板装置包括一硬质基板，包括一离子强化表面层，完整地包覆于硬质基板的全表面，且硬质基板具有一蚀刻壁，其中离子强化表面层在蚀刻壁的平均深度与其在蚀刻壁以外的表面的平均深度相同；一下基板，与硬质基板相对；以及一组件层，配置于硬质基板与下基板之间。触控面板包括此硬质基板。本实用新型的面板装置以机械强度理想的硬质基板提供承载而具有良好的品质及耐用性。

Description

面板装置及触控面板

技术领域

本实用新型是有关于一种装置及触控面板，且特别是有关于一种面板装置及触控面板。

背景技术

随着使用者直接接触面板装置的机率大幅提升，面板装置因机械强度不足而损坏的可能也随之升高。所以，面板装置的机械强度成为电子产品是否耐用的重要因素。目前，已采用强化过的基板(例如强化过的玻璃板，或是业界所称的覆盖板)来制作面板装置以提高其机械强度。也就是说，触控或显示等作用的电子组件可以制作于强化过的基板上以提高整体面板装置的机械强度。

然而，强化过的基板为了符合产品的尺寸设计一般都经过切削成型的处理，切削成型的过程会在切削过的边缘产生大小不一的裂隙，而这些大小不一的裂隙往往成为应力的集中区。因此，这样的基板对于面板装置的机械强度的提升仍有其限制，特别是，基板往往由这些切削过的边缘开始破裂。

实用新型内容

本实用新型提供一种面板装置及触控面板，以机械强度理想的硬质基板提供承载而具有良好的品质及耐用性。

本实用新型提供一种面板装置，其包括有硬质基板、组件层与下基板。硬质基板包括一离子强化表面层，其完整地包覆于硬质基板的全表面，且硬质基板具有一蚀刻壁，其中离子强化表面层在蚀刻壁的平均深度与其在蚀刻壁以外的表面的平均深度实质上相同。硬质基板与下基板相对设置。组件层设置于硬质基板与下基板之间。

本实用新型还提供一种触控面板，包括一硬质基板、一触控组件、一装饰图案层以及一保护层。硬质基板包括一离子强化表面层，其完整地包覆于硬质基板的全表面，且硬质基板具有一蚀刻壁，其中离子强化表面层在蚀刻壁的平均深度与其在蚀刻壁以外的表面的平均深度实质上相同。触控组件配置于硬质基板上。装饰图案层配置于硬质基板上，且至少位于触控组件的一侧边。保护层至少覆盖该触控组件。

基于上述，本实用新型提供一种面板装置及触控面板，硬质基板经机械加工或材料移除处理过的切割壁进行蚀刻而形成蚀刻壁。蚀刻壁具有的裂隙大小大于经机械加工或材料移除处理而未蚀刻前的切割壁，且蚀刻壁具有的平均表面粗糙度小于经切削而未蚀刻的切割壁。所以，蚀刻壁相对于切割壁而言较不容易在特定区域产生应力集中的现象。如此一来，经离子强化处理的蚀刻壁可以有效提升硬质基板的机械强度也随之使具有此硬质基板的触控面板具有理想的品质及耐用性。

进一步而言，因为前段机械加工或材料移除处理加工的品质不一，这样的前段加工所造成的裂隙深度将会不一致，这会影响离子强化之后所能够达到的效果。不过，本实用新型实施例通过将前段加工之后的硬质基板先进行蚀刻后再全面施行化学强化，这可以更确保裂隙可以实质上被离子强化表面层所涵盖。此时，离子强化表面层可以衍生出一对应的压应力分布层，而压应力层可约束玻璃表层的裂隙成长而提高玻璃受破坏的强度，因此可使得成品强度更稳固。

除上述之外，从另一角度来看，由于裂隙深度已预先经由蚀刻被减低；因此，后续的全面化学强化，其处理条件就不需这么严苛即可使离子强化表面层涵盖裂隙，例如：处理时间可相对较短等等。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1至图4为本实用新型一实施例的硬质基板的处理方法的示意图；

图5及图6分别为切割壁100A与蚀刻壁102A在显微镜下放大50倍时的态样图；

图7为本实用新型实施例的基板的切割壁100A与蚀刻壁102A的剖面结构图；

图8为本实用新型一实施例的触控面板图；

图9至图11为本实用新型的多个实施例的触控组件的设计图；

图12为本实用新型另一实施例中经由机械加工或材料移除处理的硬质基板初坯的剖面示意图；

图13为本实用新型的一实施例的触控面板的局部剖面示意图；

图14为本实用新型一实施例的装饰图案层的剖面示意图；

图15为本实用新型另一实施例的装饰图案层的剖面示意图；

图16A为本实用新型的另一实施例的触控面板的局部剖面示意图；

图16B为本实用新型的另一实施例的触控面板的局部剖面示意图；

图17为本实用新型一实施例的双层电极层的示意图；

图18为本实用新型又一实施例的面板装置的局部剖面示意图；

图19为本实用新型又一实施例的面板装置的局部剖面示意图；

图20为本实用新型另一实施例的面板装置的局部剖面示意图；

图21为本实用新型在一实施例的面板装置的局部面示意图。

附图标记说明：

10：硬质母板；

20：抗蚀膜；

20A：孔洞；

100、100’：硬质基板初坯；

102：硬质基板；

100A、100A’：切割壁；

100B’：上表面；

100C’：下表面；

102A：蚀刻壁；

200、300：触控面板；

210、310：触控组件；

220、320、320A、320B：装饰图案层；

322A、322B、324A、324B、326A、326B：层结构；

330：导线；

340：保护层；

400A、400B、500、600、700、800：面板装置；

410、710：下基板；

420A、420B、520、620、720、820：组件层；

422、424、522、524、622、624：电极层；

426：绝缘层；

428：绝缘图案；

430、530、630、640：光学胶；

650：中间基板；

722：显示介质；

724：彩色滤光层；

726：主动组件层；

B：裂隙；

d1、d2：深度；

O、T：裂隙末端；

R：导角；

S1：第一感测串行；

S2：第二感测串行；

S3：条状电极；

S4：矩形电极；

TH：穿孔；

W1、W2：尺寸。

具体实施方式

要说明的是，本实用新型实施例中所谓的玻璃的离子强化表面层的深度是指钾离子从玻璃表面扩散进入玻璃内部的平均深度，而较佳的定义是指在玻璃全表面划分出多个区域时，钾离子在这些区域中的最大扩散深度的平均值。离子强化表面层的深度一般可以通过仪器检测钾离子是否存在而得知。由于即使在同一处理过程下，离子扩散深度仍会有深浅不一的情形存在，因此本文中将采取扩散深度的平均值作为判定离子强化表面层的深度的标准。

也就是说，在一实施例中，离子强化表面层的深度可定义为在多个测量点上由玻璃表面朝内部量测钾离子(K+)的浓度以取得对应的深度，并将这些点所测量得的深度求取平均值所获得的值。通常，钾离子分布情形为表层部位最高，然后渐次向玻璃内部递减至零或是背景值。因此，每一测量点测量的深度实质上为玻璃表面到钾离子分布递减至零或是背景值的位置两者的距离，其中背景值是指玻璃制造时所含有的原料部分。

例如，玻璃原本的成分中即含有钾离子时，其原料中钾离子的浓度即可定义为背景值。换句话说，由于离子强化表面层是交换离子（例如钾离子）通过交换/扩散等机制进入玻璃的深度所界定而来的。交换离子的浓度分布会由玻璃基板表面往中心慢慢降低至零或是背景值，因此离子强化表面层是否存在可以通过仪器检测交换离子的存在而得知。另外，这里所谓的平均深度可以是离子强化表面层在多个测量点的深度的平均值。较佳地，平均深度是交换离子在玻璃内每个测量区域中的最大扩散深度的平均值所定义。

实际上，同一道离子强化处理过程可能形成深度些许不同的离子强化表面层，因此在此可以通过检测几个不同位置的离子强化表面层的深度，再取其平均值。例如，选取强化后的玻璃基板上5个不同位置点，用仪器检测钾离子的扩散深度，再加以将量测的五个数值求取平均，并以此平均数值代表整个离子强化表面层的平均深度。另外，前述钾离子置换钠离子的离子交换行为仅为例示性说明而不用以限定本实用新型，其它能产生提高强度的效果的离子交换行为，均能应用于本实用新型的各个实施例。再者，上述的玻璃材质并不特别地限定，其例如包括钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃等材质均可。

图1至图4为本实用新型一实施例的硬质基板的处理方法的示意图。请先参照图1，提供一硬质母板10。具体而言，硬质母板10的材质为玻璃，其例如有钠玻璃(soda-lime glass)、硼玻璃（boro-silicate glass）、铝硅酸玻璃（alumo-silicate glass）等。不过，本实用新型不特别地局限硬质母板10的材质，而凡是可以在面板装置中作为承载用的玻璃板材都可以应用以下所公开的处理方法进行处理。

接着，进行一机械加工或材料移除处理以将图1的硬质母板10图案化成至少一个具有所需外型的硬质基板初坯100，如图2所示。在一实施例中，硬质母板10可以被切削成1个、2个、3个、4个，或是多于4个硬质基板初坯100。也就是说，此处不特别地限定切削过程使硬质母板10所切削出来的硬质基板初坯100的数量。因此，图2仅示出一个硬质基板初坯100以便于说明。

另外，此处所记载的机械加工或材料移除处理可以包括切割步骤、磨边步骤、凿孔步骤、导角步骤、图案化蚀刻步骤及抛光步骤等至少其中一种工序。因此，切割后的硬质基板初坯100除了具备所设定的尺寸外还可以具有研磨过的导角R，这有利于硬质基板初坯100应用于产品时提升产品的美观并且避免产品的尖角刮伤使用者。另外，切割后的硬质基板初坯100还可以随着设计需求而通过凿孔形成穿孔TH，其可以作为实际电子产品中的耳音孔、麦克风孔、或是装饰孔等。

当然，上述结构仅是举例说明之用，并非用以限定本实用新型。在其他的实施例中，硬质基板初坯100可选择性地具有尖锐的转角。甚至，在另一实施例中，如图12所示出的本实用新型另一实施例的经机械加工或材料移除处理过的硬质基板初坯的剖面示意图，硬质基板初坯100’可以具有圆弧状的切割壁100A’。此时，硬质基板初坯100’具有实质上平坦的上表面100B′与下表面100C’且圆弧状的切割壁100A’连接于上表面100B’与下表面100C’之间。当然，这样的设计仅是举例说明之用，在其他的实施例中，上表面100B’也可以具有圆弧状外型。

值得一提的是，在切割步骤、磨边步骤、凿孔步骤、导角步骤、图案化蚀刻步骤及抛光步骤等机械加工或材料移除处理的过程中，硬质基板初坯100的切割壁100A会数次地受到撞击(刀具的撞击、研磨粒子的撞击、蚀刻剂的侵蚀或是抛光粒子的撞击等)，所以切割壁100A实际上会具有多个大小不一且规则性不佳的裂隙。这些裂隙由受到冲击的表面向内部延伸而往往在后续的制作工序或是使用过程中构成应力的集中区域。特别是，这些裂隙的规则性越差则应力越容易集中在特定的局部区域。所以，切削加工之后的硬质基板初坯100虽然已经具备所需外型却无法具有理想的机械强度。

因此，本实施例进一步对硬质基板进行其他的处理程序。举例而言，请参照图3，本实施例的处理方法进一步将一抗蚀膜20贴附于硬质基板初坯100上，且让抗蚀膜20暴露出切割壁100A甚至邻近于切割壁100A的一部分。另外，由于穿孔TH也是经由前述的机械加工或材料移除处理而制作的且定义出穿孔TH的壁面也是所谓的切割壁100A，所以，抗蚀膜20还设有暴露出穿孔TH的孔洞20A。接着，对抗蚀膜20暴露出来的切割壁100A以及定义出穿孔TH的壁面进行一蚀刻处理。

在一实施例中，蚀刻处理可以是让硬质基板初坯100接触一干蚀刻媒介或一湿蚀刻媒介，且其中干蚀刻媒介包括含氟气体或等离子体，而湿蚀刻媒介包括至少含氢氟酸或含氟的溶剂。在此，硬质基板初坯100的材质为玻璃，所以所选用的蚀刻媒介可以是氢氟酸或是可以对玻璃侵蚀的材质。

在蚀刻处理的进行下，硬质基板初坯100接触于蚀刻媒介的局部表面会侵蚀，因而切割壁100A上的裂隙会发生改变。举例而言，切割壁100A上分布及尺寸皆不均匀的裂隙可以经蚀刻媒介的作用而转变为分布及尺寸皆较为均匀的状态。因此，经由蚀刻处理后，移除抗蚀膜20并且对整个硬质基板初坯100进行离子强化处理即可以获得如图4所示出的具有理想机械强度的硬质基板102。此处的离子强化处理可以是已知的应用于强化玻璃板的离子强化过程，其例如是将表面没有贴附其他膜层的硬质基板初坯100完整地接触离子强化液。也即，将表面没有贴附其他膜层的硬质基板初坯100整个浸没于离子强化液中。值得一提的是，在蚀刻处理后，也可先进行其它处理，之后再进行离子强化处理。

在其它实施例中，也可不采用抗蚀膜20，而是改成将整个裸露的硬质基板初坯接触一干蚀刻媒介或一湿蚀刻媒介，使得硬质基板初坯接触于蚀刻媒介的表面全部都会侵蚀，经由蚀刻处理后，再对硬质基板初坯的上表面与下表面进行表面处理工序，例如抛光处理，以移除上表面与下表面的蚀刻结构，或是降低其平均表面粗糙度，接着再进行后续的离子强化处理。

值得一提的是，在上述各实施例中，当经由离子强化处理后，可进一步通过另一表面处理工序，例如抛光，以移除上表面及/或下表面的部份离子强化表面层，因为仍残留有部份离子强化表面层，因此强度仍然足够。如此一来，上表面及/或下表面即会有抛光后的抛光结构，有别于蚀刻壁上的蚀刻结构。由于上表面及/或下表面被移除部份离子强化表面层，因此离子强化表面层在上表面及/或下表面的平均深度会低于其在蚀刻壁的平均深度，且在上表面及/或下表面的表层上的交换离子浓度会低于蚀刻壁的表层上的交换离子浓度，交换离子例如是钾离子，但不以此为限。

另外，请参照图4，硬质基板102具有蚀刻壁102A，并且图4中虽未特别地示出，不过硬质基板102整个全表面上实质上完整地包覆着离子强化表面层。并且，离子强化表面层在蚀刻壁102A的平均深度实质上相同于在蚀刻壁102A以外的表面的平均深度。在一实施例中，蚀刻壁102A可以包括多个裂隙(如图7所示)，而离子强化表面层的平均深度实质上大于裂隙的平均深度。在此，离子强化表面层的深度的定义与测量方式已记载于上文中，不另赘述。

值得一提的是，此处的蚀刻壁102A不同于图3的切割壁100A之处包括有：切割壁100A的平均表面粗糙度为1.0um-3um，而蚀刻壁102A的的平均表面粗糙度为0.03um-0.8um。另外，图5及图6分别为切割壁100A与蚀刻壁102A在显微镜下放大50倍时的态样图。同时参照图5与图6可以清楚知道，切割壁100A的表面均匀性相对较差(裂隙分布较不均匀)而蚀刻壁102A的表面均匀性相对较好(裂隙分布较均匀)。此外，如图6所示，蚀刻壁102A包括多个裂隙B，且这些裂隙B的孔径大小为3微米-15微米。根据这样的结构，具有蚀刻壁102A的硬质基板102相对于具有切割壁100A的硬质基板初坯100而言，较不容易发生应力集中的现象。

举例而言，图7为本实用新型实施例的硬质基板的切割壁100A与蚀刻壁102A的剖面结构图。请参照图7，在机械加工或材料移除处理的过程当中，切割壁100A的表面会直接受到刀具、研磨粒子等物质的撞击，所以切割壁100A的剖面结构会呈现出许多大小不一且尖锐的裂隙。然而，在经过蚀刻液的作用之后，蚀刻壁102A的表面会相对于切割壁100A的表面内缩，因此，除了裂隙深度d2降低(相较于裂隙深度d1)之外，原本尖锐的裂隙末端T还可以变得相对地圆滑(如裂隙末端O)并且原来裂隙的尺寸W1也相对地增大(如裂隙尺寸W2)。

根据Griffith’s理论，裂隙末端T、O的曲率半径越大(越圆滑)则应力集中效应越小。因此，本实施例在切削过程后进行一蚀刻处理使得均匀性相对较差的切割壁100A变成均匀性相对较好的蚀刻壁102A，这有助于降低硬质基板102发生应力集中而破损的机率。另外，本实施例的处理方法在蚀刻壁102A形成后再进行离子强化步骤，可以更进一步提升硬质基板102的机械强度。

整体而言，无论切削过程的处理条件是否受到严谨地控制而避免裂隙的产生，在切削过程后使用蚀刻液接触切割壁100A都有助于让原本在切割壁100A上的裂隙深度降低，以及使得裂隙变的更为平缓而形成均匀度较高的蚀刻壁102A。如此一来，经过处理的硬质基板102在机械强度上可以优于硬质基板初坯100。因此，上述的处理步骤中，除了离子强化过程外，蚀刻液的蚀刻作用也可以使得切削过的硬质基板初坯100的强度进一步地被强化，这有助于提升硬质基板102的良率。举例而言，在通过破坏性试验以测量硬质基板102的机械强度时，硬质基板102的通过率可以较硬质基板初坯100更为提升。

图8为本实用新型一实施例的触控面板图。请参照图8，本实施例可以直接将触控组件210制作在经由上述步骤处理之后的硬质基板102上以构成触控面板200。另外，硬质基板102上还可以设置有装饰图案层220，且装饰图案层220可以位于触控组件210周边。装饰图案层220可选择性地如图8所示位于触控组件210所在位置的一侧。不过，在其他的实施例中，触控组件210与装饰图案层220可以分别地位于硬质基板102的相对两侧。装饰图案层220的材质可以是油墨、类钻碳或陶瓷材料等。

值得一提的是，上述图1至图4所记载的步骤中，硬质基板102已经被切割成设计所需的尺寸大小。因此，制作触控面板200的方法可以是直接在硬质基板102上制作触控组件210。并且制作触控组件210之后不需进一步进行分割，这有利于避免额外的分割步骤造成触控面板200的强度下降。另外，为了量产所需或是为了减少设备成本，还可以选择地将多个硬质基板102贴附于辅助载板(未示出)上，并且利用辅助载板的承载，同时在多个硬质基板102上制作对应的触控组件210。如此一来，仅需一次的制作工序就可以完成多个触控面板200的制作。由于硬质基板102具备理想的机械强度，则触控面板200可以不需额外的保护盖保护即可以具备良好的品质。因此，触控面板200可以作为电子装置中最外侧的组件而不需以其他构件保护。

此外，触控组件210可以由单层感测电极层或是多层感测电极层所构成，并且触控组件210可由多种设计来实现。举例而言，触控组件210可以由图9所示出的相互绝缘的多个第一感测串行S1与多个第二感测串行S2所构成，而绝缘的方式可以是通过整面的绝缘层，或是多个仅设置在第一感测串行S1与第二感测串行S2交叉处之间的岛状绝缘图案。另外，须说明的是，感测串行并不限于图式所示的形状，例如第一感测串行与第二感测串行也可以是直条状等其他形状。或是，触控组件210可以由图10所示出的多个条状电极S3所构成，其中每个条状电极S3的宽度由一端向另一端逐渐减少。当然，触控组件210也可以由多个图11所示出的矩形电极S4所构成。值得一提的是，上述各种触控组件210的设计仅是举例说明，并非限定本实用新型所记载的触控组件210的实施方式。

举例来说，图13为本实用新型的一实施例的触控面板的局部剖面示意图。请参照图13，触控面板300包括有上述的硬质基板102、触控组件310、装饰图案层320、多条导线330以及一保护层340。硬质基板102具有前述说明所记载的特点，在此不再重复。装饰图案层320配置于硬质基板102上，并且装饰图案层320所设置的位置位于硬质基板102的周边。触控组件310配置于硬质基板102上。同时，导线330配置于装饰图案层320上并且这些导线330分别的电性连接至触控组件310。保护层340至少覆盖触控组件310，还可以进一步覆盖这些导线330，甚至全面覆盖硬质基板102及其上的组件。在本实施例中是以保护层340覆盖触控组件310以及导线330来说明，不过在其他的实施例中保护层340可以仅覆盖住触控组件310。另外，保护层340在图13中虽接触于触控组件310，但是在其他实施例中保护层340不一定接触触控组件310。保护层340例如可以是有机层，例如由光阻材料制作，或是无机层，例如由氧化硅(SiOx)或是氧化硅(SiOx)与氮化硅(SiNx)的复合层来构成。此外，保护层340也可以是无机层与有机层的堆栈。

在本实施例中，触控组件310可以具有前述图9至图11中任何一种设计，因此这些导线330可以分别连接至其中一个感测串行或是其中一个条状电极或是其中一个矩形电极。装饰图案层320在本实施例中位于硬质基板102的周边，所以装饰图案层320围绕触控组件310。另外，装饰图案层320在本实施例中可以具有单层结构，不过装饰图案层320的设计不以此为限。

图14为本实用新型一实施例的装饰图案层的剖面示意图。请参照图14，装饰图案层320A可以应用于图13中以替代装饰图案层320。在此，配置于硬质基板102上的装饰图案层320A包括有一次堆栈的多个层结构322A、324A以及326A。在本实施例中，这些层结构中322A、324A以及326A至少一层，即层结构324A被另外层结构322A与层结构326A包围。

图15为本实用新型另一实施例的装饰图案层的剖面示意图。请参照图15，装饰图案层320B可以应用于图13中以替代装饰图案层320。在此，配置于硬质基板102上的装饰图案层320B包括有一次堆栈的多个层结构322B、324B以及326B。在本实施例中，层结构322B的宽度大于层结构324B，而且层结构324B的宽度大于层结构326B，使得层结构322B、324B以及326B依序堆栈成阶梯状。也就是说，越远离硬质基板102的一层具有越小的宽度。当然，这些由多个层结构所堆栈而成的装饰图案层320A与320B仅是举例说明之用，本实用新型不须以此为限。

除了上述触控面板的实施方式之外，本实用新型也可以应用于其他设计形态的面板装置中。举例而言，图16A为本实用新型的另一实施例的触控面板的局部剖面示意图。请参照图16A，面板装置400A包括有前述的硬质基板102、下基板410、组件层420A以及光学胶430。在此，硬质基板102具有前述说明所记载的特性，不再重复。组件层420A在本实施例中配置于下基板410上。在光学胶430将下基板410与硬质基板102贴附在一起后，组件层420A是位于下基板410与硬质基板102之间。另外，组件层420A可以包括有机发光组件层、非自发光组件层、触控组件层、彩色滤光层或上述的组合。当组件层420A为触控组件层时，组件层420A例如可以具有前述图9至图11中任一种设计，但不限于此。下基板410可以为可挠性薄膜基板或是另一硬质基板。在此，下基板410指的是，位在硬质基板102下方的基板，并不一定是指最下方的基板，因此，下基板可以是面板装置400A的其中一基板，例如可以是显示器的彩色滤光片基板或主动组件基板，或是有机发光二极管的封装盖板等。当然，如面板装置包括有显示器，则下基板410也可以是显示器外部的基板，例如是设置在显示器外部的一基板。

图16A是以组件层420A为双层电极层422与424所构成的触控组件层作为示例进行说明。电极层422与电极层424可以通过一绝缘层426的设置而分隔开来。也就是说，电极层422与电极层424是彼此电性独立的。而此绝缘层426例如可以是一基板，且电极层422与电极层424分别设置在该基板的二相对面，当然，并不以此为限，该绝缘层也可以是胶层或薄膜层。在其他的实施例中，如图17所示，电极层422与电极层424可以为彼此交错的设计。此时，可以仅在电极层422与电极层424交错处设置绝缘图案428来分隔两者。图17中虽然仅表示一个绝缘图案428，但不以此为限。在电极层422与电极层424具有多数个交错处时，绝缘图案428的数量即为多数个。

在此所谓的一个电极层可以表示为由单一层导电材料层所构成的组件，或是由多层导电材料层所构成的一个电性连续的组件。也就是说，此处所谓的单一电极层，是指电信号特性上具有相同功能的导电组件而非限定要以相同的导电材料层来构成。举例来说，组件层420A具有如图9的设计时，电极层422与电极层424可以分别构成第一感测串行S1与第二感测串行S2。也就是，第一感测串行S1与第二感测串行S2其中一者由电极层422构成而另一者为电极层424构成。不过，由图9可知，每一条第一感测串行S1都具有宽度较大的部份以及宽度较小的部分，其中宽度较小的部分会与第二感测串行S2交错。因此，在其他实施例中，每一条第一感测串行S1中宽度较大的部分与第二感测串行S2可以由电极层422与电极层424其中一者来构成，而每一条第一感测串行S1中宽度较小的部分可以由电极层422与电极层424的另一者构成。因此，第一感测串行S1在这样的设计中是由两个电极层422与424所组成的，而第二感测串行S2仅由电极层422与424其中一者组成。上述导电材料层可以包括透明导电材料(例如金属氧化物)或是非透明导电材料(例如金属)，但不以此为限；此外，导电材料层的形态可以是网格状，例如可以是金属网格。

另外，图16B为本实用新型的另一实施例的触控面板的局部剖面示意图。请参照图16B，面板装置400B包括有前述的硬质基板102、下基板410、以及光学胶430，其中组件层420B不同于前述的组件层420A。组件层420B在其他实施例中可以由单层电极层来构成。此时，构成组件层420B的单层电极可以直接制作于下基板410上，再通过光学胶430将下基板410与其上的单层电极的组件层420B贴附于硬质基板102上。在这样的实施方式中，单层电极层所构成的组件层420B上可以选择地覆盖一层保护层以保护组件层420。因此，组件层420B与光学胶430之间可选择地存在一层保护层。

图18为本实用新型又一实施例的面板装置的局部剖面示意图。请参照图18，面板装置500包括有前述的硬质基板102、下基板410、组件层520以及光学胶530。在此，硬质基板102、下基板410具有前述说明所记载的特性，不再重复。图18是以组件层520为双层电极层522与524所构成的触控组件层作为示例进行说明。电极层522与524分别配置于硬质基板102与下基板410上。同时，光学胶530配置于电极层522与电极层524间以将硬质基板102与下基板410贴附在一起。值得一提的是，电极层524也可设置在下基板410的下方，例如是在下基板410的下表面。

图19为本实用新型又一实施例的面板装置的局部剖面示意图。请参照图19，面板装置600包括有前述的硬质基板102、下基板410、组件层620、光学胶630、另一光学胶640以及中间基板650。在此，硬质基板102、下基板410具有前述说明所记载的特性，不再重复。图19是以组件层620为双层电极层622与624所构成的触控组件层作为示例进行说明。同时，中间基板650位于下基板410与硬质基板102之间。中间基板650通过光学胶630贴附于硬质基板上102且电极层622与624分别配置于中间基板650与下基板410上。光学胶640配置于电极层622与电极层624间以将中间基板650与下基板410贴附在一起。中间基板650可以是可挠性薄膜基板，例如塑料基板。另一提的是，电极层624也可设置在下基板410的下方，例如是下基板410的下表面；同样的，电极层622也可设置在中间基板650的上方，例如是中间基板650的上表面。此外，在其他实施例中，电极层622与电极层624还可以分别设置在硬质基板102与中间基板650上，例如电极层622设置在硬质基板102的下表面，电极层624设置在中间基板650的下表面，但不以此为限。

上述实施例都是以组件层为触控组件层来说明，不过本实用新型不以此为限。图20为本实用新型另一实施例的面板装置的局部剖面示意图。请参照图20，面板装置700包括硬质基板102、下基板710以及组件层720，其中组件层720位于硬质基板102与下基板710之间。在此，硬质基板102具有前述说明所记载的特性，不再重复。组件层720具体来说包括有显示介质722、彩色滤光层724与主动组件层726，且显示介质722位于彩色滤光层724与主动组件层726之间。也就是说，面板装置700为一种显示面板。显示介质722可以为非自发光型显示介质或是自发光型显示介质。当显示介质722为非自发光型显示介质时，其材质例如为液晶材料、电泳材料、电湿润显示材料等。当显示介质722为自发光型，其材质例如为有机发光材料。此外，当显示介质722为自发光型，面板装置700可以省略彩色滤光层。

举例而言，图21为本实用新型在一实施例的面板装置的局部面示意图。面板装置800包括硬质基板102、下基板710以及组件层820。在此，硬质基板102具有前述说明所记载的特性，不再重复。组件层820例如为有机发光单元数组，且组件层820配置于下基板710上。此时，面板装置800例如为有机发光显示面板，而硬质基板102即为有机发光显示面板的盖板。综上所述，本实用新型对切削加工后的硬质基板的壁(也即切割壁)以蚀刻液进行局部的蚀刻。所以，硬质基板具有蚀刻壁，其中蚀刻壁相对于切割壁具有更佳的均匀性。所以，经离子强化过的蚀刻壁不容易发生应力集中的现象而有助于提升硬质基板的机械强度，例如抗弯曲（bending）强度。值得一提的是，因为前段机械加工或材料移除处理加工的品质不一，这样的前段加工所造成的裂隙深度将会不一致，这会影响离子强化之后所能够达成的效果。不过，本实用新型实施例通过将前段加工之后的硬质基板先进行蚀刻后再全面施行化学强化，这可以更确保裂隙可以实质上被离子强化表面层所涵盖。此时，离子强化表面层可以衍生出一对应的压应力分布层，而压应力层可约束玻璃表层的裂隙成长而提高玻璃受破坏的强度，因此可使得成品强度更稳固。

如此一来，以这样的硬质基板制作触控面板、显示面板等面板结构可以让触控面板具有理想的机械强度及良好的品质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (33)

1.一种面板装置，其特征在于，包括： 

一硬质基板，包括一离子强化表面层，完整地包覆于该硬质基板的全表面，且该硬质基板具有一蚀刻壁，其中该离子强化表面层在该蚀刻壁的平均深度与其在该蚀刻壁以外的表面的平均深度相同； 

一下基板，与该硬质基板相对；以及 

一组件层，配置于该硬质基板与该下基板之间。 

2.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，该硬质基板的该蚀刻壁的平均表面粗糙度为0.03um-0.8um。 

3.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，该硬质基板的该蚀刻壁包括多个裂隙，且这些裂隙的孔径大小为3微米-15微米。 

4.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，该硬质基板的该蚀刻壁包括多个裂隙，该离子强化表面层的平均深度大于这些裂隙的平均深度。 

5.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，该组件层包括有机发光组件层、非自发光组件层、触控组件层、彩色滤光层或上述的组合。 

6.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，该组件层包括一触控组件层。 

7.根据权利要求6所述的面板装置，其特征在于，该触控组件层为金属网格。 

8.根据权利要求6所述的面板装置，其特征在于，该触控组件层包括一第一电极层与一第二电极层，该第一电极层与该第二电极层彼此电性独立。 

9.根据权利要求8所述的面板装置，其特征在于，该第一电极层与该第二电极层分别配置于该下基板与该硬质基板上，且该下基板通过一光学胶贴附于该硬质基板上。 

10.根据权利要求8所述的面板装置，其特征在于，该第一电极层与该第二电极层都配置于该下基板上，且该下基板通过一光学胶贴附于该硬质基板上。 

11.根据权利要求8所述的面板装置，其特征在于，还包括一中间基板，该中间基板位于该下基板与该硬质基板之间，该中间基板通过一光学胶贴附于该硬质基板上且该第一电极层与该第二电极层分别配置于该中间基板与该 下基板上。 

12.根据权利要求8所述的面板装置，其特征在于，还包括一中间基板，该中间基板位于该下基板与该硬质基板之间，该中间基板通过一光学胶贴附于该硬质基板上且该第一电极层与该第二电极层分别配置于该硬质基板与该中间基板上。 

13.根据权利要求8所述的面板装置，其特征在于，该第一电极层与该第二电极层通过一绝缘层分隔。 

14.根据权利要求8所述的面板装置，其特征在于，该第一电极层与该第二电极层通过多个绝缘图案分隔。 

15.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，还包括一装饰图案层，配置于该硬质基板上，位于该硬质基板与该下基板之间。 

16.根据权利要求15所述的面板装置，其特征在于，该装饰图案层为单层结构。 

17.根据权利要求15所述的面板装置，其特征在于，该装饰图案层包括依次堆栈的多个层结构。 

18.根据权利要求17所述的面板装置，其特征在于，该些层结构堆栈成阶梯状。 

19.根据权利要求17所述的面板装置，其特征在于，该些层结构中至少一层被另外两层包围。 

20.根据权利要求1所述的面板装置，其特征在于，该下基板为一显示器的一彩色滤光片基板，或是一有机发光二极管显示器的一封装盖板。 

21.一种触控面板，其特征在于，包括： 

一硬质基板，该硬质基板包括一离子强化表面层，完整地包覆于全表面，且该硬质基板具有一蚀刻壁，且该离子强化表面层在该蚀刻壁的平均深度与其在该蚀刻壁以外的表面的平均深度相同； 

一触控组件，配置于该硬质基板上； 

一装饰图案层，配置于该硬质基板上，且至少位于该触控组件的一侧边；以及 

一保护层，至少覆盖该触控组件。 

22.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，该蚀刻壁的平均表 面粗糙度为0.03um-0.8um。 

23.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，该蚀刻壁包括多个裂隙，且这些裂隙的孔径大小为3微米-15微米。 

24.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，该蚀刻壁包括多个裂隙，该离子强化表面层的平均深度大于这些裂隙的平均深度。 

25.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，该装饰图案层为单层结构。 

26.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，该装饰图案层包括依次堆栈的多个层结构。 

27.根据权利要求26所述的触控面板，其特征在于，该些层结构堆栈成阶梯状。 

28.根据权利要求26所述的触控面板，其特征在于，该些层结构中至少一层被另外两层包围。 

29.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，还包括多条导线，该些导线配置于该装饰图案层上并且分别连接至该触控组件。 

30.根据权利要求21所述的触控面板，其特征在于，该触控组件为金属网格。 

31.一种面板装置，其特征在于，包括： 

一硬质基板，包括一离子强化表面层，完整地包覆于该硬质基板的全表面，且该硬质基板具有一蚀刻壁，其中该离子强化表面层在该蚀刻壁的平均深度高于其在该蚀刻壁以外的表面的平均深度； 

一下基板，与该硬质基板相对；以及 

一组件层，配置于该硬质基板与该下基板之间。 

32.根据权利要求31所述的面板装置，其特征在于，该硬质基板包括相对的一上表面与一下表面，且该蚀刻壁位于该上表面与该下表面之间。 

33.根据权利要求31所述的面板装置，其特征在于，该硬质基板包括相对的一上表面与一下表面，且在该上表面及该下表面具有抛光结构。 

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