CN203559123U - 一种波浪式多气体独立通道的喷淋结构 - Google Patents
一种波浪式多气体独立通道的喷淋结构 Download PDFInfo
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Abstract
一种波浪式多气体独立通道的喷淋结构，主要解决现有的喷淋结构由于设计不够合理，气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题。该结构采用平面分区方式，隔离不同的气体路径。喷淋头结构中主体以太极或波浪式的结构形式，均匀布置气体B分区及气体C分区两个分区。分别作为气体B、C的分区，气体B、C在分区扩散后从各自分区中的孔中进入反应腔室，气体A直接从其独自的气体A通道的两个通道进入腔室。本实用新型结构合理，可广泛应用于半导体薄膜沉积技术领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种新型的喷淋结构，通过平面分区方式，来实现三种及三种以上气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。
背景技术
半导体镀膜设备在进行沉积反应时，一般需要一种气体或两种气体，有时需要三种（或三种以上）气体同时进入腔室进行薄膜沉积，要求几种气体路径相互独立，在进入腔体前不能相遇，进入腔室后都能均匀扩散到基底表面。而现有的喷淋结构大都是针对单独的气体设计的路径，或是最多有两种气体路径，并且大多结构都只是在气体进口处进行分离，在进入腔室之前两种气体已进行接触，使沉积反应提前进行。这样一来，即不易于控制沉积的时间及反应条件，也浪费了宝贵的不可再生的特气资源。当需要三种或三种以上气体时，之前的喷淋方法已不能满足要求。针对要求多种（三种及三种以上）气体同时、独立、均匀的苛刻要求，本实用新型应运而生。
发明内容
本实用新型是以解决上述问题为目的，主要解决现有的喷淋结构由于设计不够合理，气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题，而提供一种能够满足三种气体同时、独立、均匀沉积的喷淋新型结构。
为实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案：一种波浪式多气体独立通道的喷淋结构，该结构采用平面分区方式，隔离不同的气体路径。气体分别从各自独立的气体进口进入，通过各自独立的通道，到达各自分区，并从各自的分区到达腔室。彼此独立结构使不同气体不会提前相遇或反应。通过规划不同的分区结构及分区形式，能满足多种气体的分布，使气体能均匀、快速的扩散在腔室内，并在基板上进行沉积反应。其具体结构：喷淋头结构中主体以太极或波浪式的结构形式，均匀布置气体B分区及气体C分区两个分区。分别作为气体B、C的分区，气体B、C在分区扩散后从各自分区中的孔中进入反应腔室，气体A直接从其独自的气体A通道的两个通道进入腔室。
本实用新型的有益效果及特点：由于该结构采用平面分区方式，隔离不同的气体路径，来实现三种气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，较好地解决了气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题。并可在其上安装加热或冷却构件，以满足更严苛的工艺条件要求。具有结构合理及易于推广的特点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图（实施例1为太极形式结构）。
图2是本实用新型的实施例2（波浪式）的结构示意图。
图中零件标号分别代表:
1、气体A通道；2、气体B分区；3、气体C分区；4、气体A通道Ⅰ；、气体B分区Ⅰ；5、气体C分区Ⅰ。
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，喷淋头结构中主体以太极形式均匀布置气体B分区2及气体C分区3两个分区。分别作为气体B、C的分区，气体B、C在分区扩散后从各自分区中的孔中进入反应腔室，气体A直接从其独自的气体A通道1的两个通道进入腔室。
实施例2
如图2所示，喷淋头结构中主体以波浪式形式均匀布置气体B分区Ⅰ5及气体C分区Ⅰ6两个分区。分别作为气体B、C的分区，气体B、C在分区扩散后从各自分区中的孔中进入反应腔室，气体A直接从其独自的气体A通道Ⅰ4的两个通道进入腔室。
Claims (1)
1.一种波浪式多气体独立通道的喷淋结构，其特征在于：喷淋头结构中主体以太极或波浪式的结构形式，均匀布置气体B分区及气体C分区两个分区，分别作为气体B、C的分区，气体B、C在分区扩散后从各自分区中的孔中进入反应腔室，气体A直接从其独自的气体A通道的两个通道进入腔室。
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2013
- 2013-10-31 CN CN201320682574.2U patent/CN203559123U/zh not_active Expired - Lifetime
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