CN203553121U

CN203553121U - 水平校准装置

Info

Publication number: CN203553121U
Application number: CN201320717936.7U
Authority: CN
Inventors: 李秋良
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date: 2013-11-14
Filing date: 2013-11-14
Publication date: 2014-04-16
Anticipated expiration: 2023-11-14

Abstract

本实用新型提出了一种水平校准装置，用于校准刻蚀腔室内下电极的水平位置，所述装置包括校准盘、设于所述校准盘上的校准单元、与校准单元通过信号线连接的校准马达；将校准盘放置于下电极的表面，使用校准单元检测下电极的水平位置是否良好，若存在偏差，则由所述校准单元通过信号线发送信号至校准马达，促使校准马达进行相应的升降，进而对所述下电极进行相应的调整，直至校准单元检测出下电极的水平位置良好，从而达到快速、便捷的对下电极进行校准，节省人力、精力、时间以及成本。

Description

水平校准装置

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种水平校准装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，刻蚀工艺是较为重要的一个工艺。通常晶圆在刻蚀腔室内完成刻蚀工艺，所述刻蚀腔室包括上电极和下电极，两者具有一定间距，用于形成刻蚀气浆。在进行刻蚀工艺时，先将待刻蚀的晶圆放置在刻蚀腔室内的下电极上，接着，在所述刻蚀腔室内形成刻蚀气浆，由所述刻蚀气浆对所述晶圆进行刻蚀，从而达到刻蚀目的。

不同的刻蚀工艺需要上电极和下电极的间距不同，为了能够调节上电极和下电极之间的间距，通常由调节装置带动所述下电极进行垂直方向移动，从而满足不同刻蚀工艺所需的间距。

请参考图1，现有技术中刻蚀腔室包括：上电极10、下电极11和调节装置40；其中，所述上电极10接地，所述下电极11固定在所述调节装置40上，所述调节装置40能够带动所述下电极11上下移动；进行刻蚀工艺时，将所述晶圆30放置于所述下电极11的表面，并在所述晶圆30的表面形成刻蚀气浆20，所述刻蚀气浆20用于对所述晶圆30进行刻蚀。

请参考图2，随着所述调节装置40不断的上下升降，所述调节装置40和下电极11便会出现一些倾斜，致使放置在所述下电极11表面上的晶圆30也会出现倾斜，这样便会对刻蚀工艺造成一定的影响，使所述刻蚀气浆20与所述晶圆30的接触不均匀，造成刻蚀工艺出现偏差等。

现有技术中为了解决上述问题，通常是手动将调解装置40以及下电极11全部拆下，再送到专门的校准实验室进行校准，一方面需要花费大量时间和金钱，另一方面拆卸和安装也花费大量的人力和精力。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种水平校准装置，能够方便快捷的对下电极进行水平位置的校准，节省人力、精力、时间以及成本。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种水平校准装置，用于校准刻蚀腔室内下电极的水平位置，所述装置包括：

校准盘；

至少一个校准单元，所述校准单元设于所述校准盘上；

至少一个校准马达，所述校准马达与所述校准单元通过一信号线连接。

进一步的，所述校准盘内设有阻挡光路液体。

进一步的，所述校准单元包括有光源和传感器，所述光源设于所述校准盘的一侧壁上，所述传感器设于所述校准盘的另一侧壁上，所述传感器与所述光源处于同一水平面上，并与所述阻挡光路液体的液面保持预定间距。

进一步的，所述预定间距范围是0～0.001mm。

进一步的，所述校准单元的个数为1～10个。

进一步的，所述校准马达的个数为1～10个。

进一步的，所述信号线的个数为1～10个。

进一步的，所述校准马达设有卡孔。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：将校准盘放置于下电极的表面，使用校准单元检测下电极的水平位置是否良好，若存在偏差，则由所述校准单元通过信号线发送信号至校准马达，促使校准马达进行相应的升降，进而对所述下电极进行相应的调整，直至校准单元检测出下电极的水平位置良好，从而达到快速、便捷的对下电极进行校准，节省人力、精力、时间以及成本。

附图说明

图1为现有技术中刻蚀腔室的下电极处于正常位置时的结构示意图；

图2为现有技术中刻蚀腔室的下电极水平位置存在偏差时的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中水平校准装置的结构示意图；

图4为本实用新型一实施例中水平校准装置应用至刻蚀腔室中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的水平校准装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图3，在本实施例中，提出了一种水平校准装置，用于校准刻蚀腔室内下电极的水平位置，所述装置包括：

校准盘100，所述校准盘100内设有阻挡光路液体130；

至少一个校准单元，所述校准单元设于所述校准盘100上，用于检测所述下电极的水平位置；

至少一个校准马达140，所述校准马达140与所述校准单元通过一信号线150连接，所述校准马达140用于调节所述下电极的水平位置。

在本实施例中，所述校准单元包括有光源110和传感器120，所述光源110可以为镭射灯，所述光源110设于所述校准盘100的一侧壁上，所述传感器120设于所述校准盘100的另一侧壁上，所述传感器120与所述光源110处于同一水平面上，并与所述阻挡光路液体130的液面保持预定间距，所述预定间距范围是0～0.001mm，例如是0.0005mm。

将所述校准盘100放置于所述下电极的表面时，若下电极的水平位置良好，则所述阻挡光路液体130的液面不存在倾斜，即所述光源110发出的光线能够被所述传感器120接收，此时，所述传感器120通过所述信号线150控制所述校准马达140停止对所述下电极进行抬升或者下降，即保持所述下电极的水平位置；若下电极的水平位置存在倾斜，则所述阻挡光路液体130的液面也会随之倾斜，并且阻挡由所述光源110发出的光线，使之无法被所述传感器120接收，此时，所述传感器120会通过所述信号线150控制所述校准马达140对所述下电极进行抬升或者下降，直至所述传感器120能够收到由所述光源110发出的光线，即说明已经将所述下电极的水平位置存在的倾斜消除。

在本实施例中，所述校准单元的个数为1～10个，例如是1个，即1个光源110和1个感应器120；所述校准马达140的个数为1～10个，例如是1个，所述信号线150的个数为1～10个，例如是1个，保持所述校准马达140、信号线150以及校准单元的个数一致。

在本实施例中，所述校准马达140设有卡孔，用于连接与下电极相连的调节装置。

具体的，请参考图4，将所述水平校准装置应用至刻蚀腔室中的下电极上，所述刻蚀腔室包括：

调节装置200、下电极250、支架210、若干丝杆230以及导块240，所述下电极250位于所述调节装置200之上，所述调节装置200一部分位于所述支架210内，并与所述导块240相固定，所述丝杆230通过所述导块240连接所述调节装置200，所述丝杠230还通过轴承220与所述支架210相固定，所述丝杆230的一端伸出所述支架210。

在进行所述下电极250的水平位置校准时，先将所述丝杠230伸出所述支架210的一端通过所述卡孔固定在所述校准马达140上，再将所述校准盘100放置于所述下电极250的表面，然后进行校准。具体的校准步骤请参考上文。

当一根丝杆230校准完毕后，再将马达与另一根丝杆230相连，并将所述准盘100按照丝杆230的位置进行相应的旋转即可，然后重复上述测试步骤进行测试即可，依次类推，直至将所有的丝杆230均校准完毕即完成对所述下电极250的校准；优选的，可以采用多个校准马达140、多个校准单元对多个丝杆230同时进行校准，达到节省时间的目的，在本实施例中，为了简化图形，仅适用一个校准马达140和校准单元。

综上，在本实用新型实施例提供的水平校准装置中，将校准盘放置于下电极的表面，使用校准单元检测下电极的水平位置是否良好，若存在偏差，则由所述校准单元通过信号线发送信号至校准马达，促使校准马达进行相应的升降，进而对所述下电极进行相应的调整，直至校准单元检测出下电极的水平位置良好，从而达到快速、便捷的对下电极进行校准，节省人力、精力、时间以及成本。

上述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案的范围内，对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本实用新型的技术方案的内容，仍属于本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种水平校准装置，用于校准刻蚀腔室内下电极的水平位置，其特征在于，所述装置包括：

校准盘；

至少一个校准单元，所述校准单元设于所述校准盘上；

2.如权利要求1所述的水平校准装置，其特征在于，所述校准盘内设有阻挡光路液体。

3.如权利要求2所述的水平校准装置，其特征在于，所述校准单元包括有光源和传感器，所述光源设于所述校准盘的一侧壁上，所述传感器设于所述校准盘的另一侧壁上，所述传感器与所述光源处于同一水平面上，并与所述阻挡光路液体的液面保持预定间距。

4.如权利要求3所述的水平校准装置，其特征在于，所述预定间距范围是0～0.001mm。

5.如权利要求1所述的水平校准装置，其特征在于，所述校准单元的个数为1～10个。

6.如权利要求5所述的水平校准装置，其特征在于，所述校准马达的个数为1～10个。

7.如权利要求6所述的水平校准装置，其特征在于，所述信号线的个数为1～10个。

8.如权利要求1所述的水平校准装置，其特征在于，所述校准马达设有卡孔。