CN203521468U - 发光二极管 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管，包括一具有电路结构和反射杯的基板、发光二极管芯片和封装材料，发光二极管芯片设置于基板的反射杯的底部且与基板的电路结构电连接，封装材料设置在所述基板的反射杯内并包覆发光二极管芯片。所述发光二极管芯片为一紫外光发光二极管芯片，所述发光二极管还包括一设置于封装材料之上的量子点薄膜，所述量子点薄膜包含两个透明片材，以及设置在两个透明片材之间的第一型量子点、第二型量子点和第三型量子点中的一种或多种的组合，所述第一型量子点受到紫外光激发时发出红光，所述第二型量子点受到紫外光激发时发出绿光，所述第三型量子点受到紫外光激发时发出蓝光。

Description

发光二极管
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管，特别涉及各种色光的发光二极管。
背景技术
发光二极管作为一种新型的光源，目前已广泛应用于多种场合，对于不同色光的发光二极管的需求也在日益增加。通常制造不同色光的发光二极管是先利用磊晶方法制造出可以发出不同色光的发光二极管芯片，并将此发光二极管芯片固着于基板上，然后采用透明封装将此不同色光的发光二极管封装而成。例如，橙色发光二极管是将可以发出橙色光的GaAsP芯片固着于基板上，再利用透明封装材料封装而成的，以此类推，其他色光的发光二极管的制造方法类似。
然而，现有的方法制造不同色光的发光二极管需要选用可以发出不同色光的发光二极管芯片，这不仅增加了生产成本，同时不利于小批量客制化的生产模式。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种发光二极管以克服上述缺陷。
一种发光二极管，包括一具有电路结构和反射杯的基板、发光二极管芯片和封装材料，发光二极管芯片设置于基板的反射杯的底部且与基板的电路结构电连接，封装材料设置在所述基板的反射杯内并包覆发光二极管芯片。所述发光二极管芯片为一紫外光发光二极管芯片，所述发光二极管还包括一设置于封装材料之上的量子点薄膜，所述量子点薄膜包含两个透明片材，以及设置在两个透明片材之间的第一型量子点、第二型量子点和第三型量子点中的一种或多种的组合，所述第一型量子点受到紫外光激发时发出红光，所述第二型量子点受到紫外光激发时发出绿光，所述第三型量子点受到紫外光激发时发出蓝光。
进一步地，所述封装材料为透明封装材料。所述封装材料为环氧树脂、硅胶或聚甲基丙烯酸甲酯。所述封装材料中不包含荧光粉或量子点。
所述量子点的平均粒径小于15nm。所述第一型量子点为平均粒径为9-11nm的CdSe量子点。所述第二型量子点为平均粒径为4-6nm的CdSe量子点。所述第三型量子点为平均粒径为1-3nm的CdSe量子点。
本实用新型所提供的发光二极管，在基板的凹槽底部设置紫外光发光二极管芯片，以透明封装材料封装发光二极管芯片，然后在封装材料之上设置包含第一型量子点、第二型量子点和第三型量子点的量子点薄膜。通过对量子点薄膜中的量子点的粒径的选择和不同粒径的量子点的配比，就可以呈现出大自然所有的可见光色彩。本实用新型所提供的发光二极管不仅生产成本低，并且可以小批量客制化的生产模式。
附图说明
图1为本实用新型提供的发光二极管的示意图。
主要元件符号说明
基板 11
电路结构 111
反射杯 112
发光二极管芯片 12
封装材料 13
量子点薄膜 14
第一透明片材 141
第二透明片材 142
量子点 20
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。
具体实施方式
下面将结合附图，对本实用新型作进一步的详细说明。
请参阅图1，本实用新型提供一种发光二极管，所述发光二极管包含一具有电路结构111和反射杯112的基板11、发光二极管芯片12、封装材料13和量子点薄膜14。
所述发光二极管芯片12设置于基板11的反射杯112的底部，并且所述发光二极管芯片12与基板11的电路结构111电连接。所述发光二极管芯片12为紫外光发光二极管芯片12。
所述封装材料13设置在基板11的反射杯112内，并且包覆所述发光二极管芯片12。所述封装材料13为透明封装材料。所述封装材料13可选择环氧树脂、硅胶或聚甲基丙烯酸甲酯等材料。所述封装材料13中不包含荧光粉或者量子点。
所述量子点薄膜14设置于封装材料13之上。所述量子点薄膜14包含第一透明片材141和第二透明片材142，在所述第一透明片材141和第二透明片材142之间均匀的设置有第一型、第二型和第三型量子点20的其中一种或多种的组合。所述第一透明片材141和第二透明片材142为硬质材料，可以理解的是，所述第一透明片材141和第二透明片材142亦可以为柔性材料。
具体的，首先，提供一第一透明片材141，在所述第一透明片材141上均匀的设置量子点20，提供一第二透明片材142覆盖于所述量子点20之上。然后，采用加热的方法使得所述第一透明片材141和第二透明片材142贴合以得到量子点薄膜14，并且所述量子点20位于第一透明片材141和第二透明片材142之间。最后，将量子点薄膜14设置于封装材料13之上。需要说明的是，本实用新型采用的封装材料13具有热固化性或紫外固化性，可以在所述封装材料13固化之前将量子点薄膜14粘附于封装材料13之上，待封装材料13固化后，量子点薄膜14固着于封装材料13之上。
所述量子点20的材质可选择CdS、CdSe、CdTe、CdPo、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnTe、ZnPo、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、CdS1-xSex、BaTiO3、PbZrO3、PbZnxTi1-xO3、SrTiO3、LaMnO3、CaMnO3和La1-xCaxMnO3中的一种或者几种的配合。所述量子点20的平均粒径小于15nm。
所述量子点20在受到紫外光发光二极管芯片12发出的紫外光的激发下，能产生荧光，更重要的是，不同粒径的量子点20在紫外光的激发可以产生不同波长的光线，也即量子点20发出光线的波长与量子点20的粒径有关，所述第一型量子点20受到紫外光激发时发出红光，所述第二型量子点20受到紫外光激发时发出绿光，所述第三型量子点20受到紫外光激发时发出蓝光。举例来说，第一型量子点20为平均粒径为9-11nm的CdSe量子点20，受到紫外光激发时发出红光，第二型量子点20为平均粒径为4-6nm的CdSe量子点20，受到紫外光激发时发出绿光，第三型量子点20的平均粒径为1-3nm的CdSe量子点20，受到紫外光激发时发出蓝光。
优选的，第一型量子点20为平均粒径为10nm的CdSe量子点20。第二型量子点20为平均粒径为5nm的CdSe量子点20。第三型量子点20的平均粒径为2nm的CdSe量子点20。
所述量子点薄膜14中的第一型、第二型和第三型量子点20的数量配比的具体实施方式如下：
第一实施例：量子点薄膜14中仅包含第一型量子点20，则配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发红色光。
第二实施例：量子点薄膜14中包含的第一型量子点20与第二型量子点20的数量之比为75％：25％，配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发橙色光。
第三实施例：量子点薄膜14中包含的第一型量子点20与第二型量子点20的数量之比为50％：50％，配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发黄色光。
第四实施例：量子点薄膜14中仅包含第二型量子点20，则配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发绿色光。
第五实施例：量子点薄膜14中仅包含第三型量子点20，则配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发蓝色光。
第六实施例：量子点薄膜14中包含的第一型量子点20与第三型量子点20的数量之比为25％：75％，配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发蓝紫色光。
第七实施例：量子点薄膜14中包含的第一型量子点20与第三型量子点20的数量之比为50％：50％，配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发紫色光。
第八实施例：量子点薄膜14中包含的第一型量子点20与第三型量子点20的数量之比为75％：25％，配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发红紫色光。
第九实施例：量子点薄膜14中包含的第一型量子点20、第二型量子点20和第三型量子点20的数量之比为33％：33％：34％，配合紫外光发光二极管芯片12所制造的发光二极管发白光。
需要说明的是，本实用新型所提供的发光二极管发出的不同色光并不拘泥于以上九种实施例。
本实用新型提供了可以发出不同色光的发光二极管，通过改变量子点薄膜14中第一型、第二型和第三型量子点20的数量配比可以制造出能够呈现大自然各种可见光色彩的发光二极管，并可以降低生产成本，符合小批量客制化的生产模式的要求。

Claims (6)

1.一种发光二极管，包括一具有电路结构和反射杯的基板、发光二极管芯片和封装材料，发光二极管芯片设置于基板的反射杯的底部且与基板的电路结构电连接，封装材料设置在所述基板的反射杯内并包覆发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片为一紫外光发光二极管芯片，所述发光二极管还包括一设置于封装材料之上的量子点薄膜，所述量子点薄膜包含两个透明片材，以及设置在两个透明片材之间的第一型量子点、第二型量子点和第三型量子点中的一种或多种的组合，所述第一型量子点受到紫外光激发时发出红光，所述第二型量子点受到紫外光激发时发出绿光，所述第三型量子点受到紫外光激发时发出蓝光。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述封装材料中不包含荧光粉或量子点。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述量子点的平均粒径小于15nm。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一型量子点为平均粒径为9-11nm的CdSe量子点。
5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第二型量子点为平均粒径为4-6nm的CdSe量子点。
6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第三型量子点为平均粒径为1-3nm的CdSe量子点。
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