CN203491255U - 一种降噪及静电释放保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种降噪及静电释放保护电路，用于降噪及保护电流输入及电流/电压转换电路免受静电释放冲击；该电路包含有环形绕线电感电路；环形绕线电感电路为设置在集成电路中的环形绕线，该环形绕线电感电路两端分别电路连接参考输入电流与电流输入及电流/电压转换电路；在参考输入电流与电流输入及电流/电压转换电路为两个不同电压域电路时，该环形绕线电感电路提供不同电压域之间的静电释放二级保护。本实用新型采用环形绕线在金属走线空旷区且通过多层金属绕线实现静电释放二级保护，不需要静电释放二级保护电路，节省了芯片版图面积，同时可阻挡交流噪声，提高精度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种保护电路，具体涉及一种降噪及静电释放保护电路。
背景技术
随着对高精度电路的需求，越来越多的高精度模拟电路如DAC，高速串行接口电路需要一个高精度的参考电流。如图1所示，目前比较常用的降低噪声提高精度的方法是在电流输入及电流电压转换电路1’ 旁加滤波电容C1’。
同时，当参考电流和电流输入电路属于两个不同电压域时，存在电流输入电路被静电释放（ESD）破坏的风险。如图2所示，目前比较常用的方法为增加的ESD二级保护电路，该二级保护电路包含有DDB-MOS漏区衬底间寄生二极管2’。这需要额外的面积来实现ESD二级保护电路。同时，二级保护电路寄生二极管反向电流长时间的漏电增加了漏电流。
因此，为了克服ESD二级保护电路的不足并改进传统降噪电路。有必要设计一种更优化的降噪电路和ESD二级保护电路以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种降噪及静电释放保护电路，省面积，无漏电，且可通过同一电路既达到降噪提高精度又同时实现静电释放的二级保护。
为实现上述目的，本实用新型提供一种降噪及静电释放保护电路，用于降噪及保护电流输入及电流/电压转换电路免受静电释放冲击；其特点是，该电路包含有环形绕线电感电路；
上述环形绕线电感电路为设置在集成电路中的环形绕线，该环形绕线电感电路两端分别电路连接参考输入电流与电流输入及电流/电压转换电路；
在参考输入电流与电流输入及电流/电压转换电路为两个不同电压域电路时，该环形绕线电感电路提供不同电压域之间的静电释放二级保护。
该电路还包含电路连接在所述电流输入及电流/电压转换电路的偏置电压端与接地端之间的滤波电容。
该电路还包含电路连接在所述电流输入及电流/电压转换电路的接地端与电流输入端之间的环形绕线寄生电容。
上述的环形绕线电感电路设置在集成电路版图金属走线空旷区域。
上述的环形绕线电感电路采用八角形环形绕线。
上述的环形绕线电感电路采用多层金属绕线。
本实用新型提供一种降噪及静电释放保护电路和现有技术的降噪电路、静电释放保护电路相比，其优点在于，本实用新型采用了环形绕线实现静电释放二级保护，可以在金属走线空旷区实现且可通过多层金属绕线实现，不需要静电释放二级保护电路来实现静电释放二级保护，节省了芯片版图面积，同时完全没有任何漏电流；
本实用新型采用环形绕线，外界的静电释放电荷被该环形绕线电感电路所阻挡防止了瞬间大电荷对电流输入电路造成的大电流冲击，有效实现了对电路的静电释放二级保护；
本实用新型采用环形绕线电感电路可以阻挡交流噪声，增强了噪声滤除效果，提高了电路精度。
附图说明
图1为现有技术的降噪电路；
图2为现有技术的静电释放二级保护电路；
图3为本实用新型降噪及静电释放保护电路与电流输入电路的电路框图；
图4为本实用新型降噪及静电释放保护电路的示意图；
图5为本实用新型降噪及静电释放保护电路的一种实施例的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，进一步说明本实用新型的具体实施例。
如图3所示，本实用新型公开一种降噪及静电释放保护电路，用于降噪及保护电流输入及电流/电压转换电路402免受静电释放冲击；该电路包含有环形绕线电感电路401。该环形绕线电感电路401为设置在集成电路（芯片版图）中的环形绕线，该环形绕线电感电路401两端分别电路连接参考输入电流Iref与电流输入及电流/电压转换电路402。
在参考输入电流Iref与电流输入及电流/电压转换电路402为两个不同电压域电路时，该环形绕线电感电路401提供不同电压域之间的静电释放二级保护。因环形绕线电感电路的电流不能突变，外界的ESD电荷被该环形绕线电感电路所阻挡防止了瞬间大电荷对电流输入电路造成的大电流冲击，有效实现了对电路的ESD二级保护。
同时，当参考输入电流Iref上有交流噪声时，环形绕线电感电路401可以将交流噪声阻挡在电流输入及电流/电压转换电路402之外。
如图4所示，环形绕线电感电路401通过八角形环形绕线在芯片中实现，一端接参考输入电流Iref，另一端接电流输入及电流/电压转换电路402。该环形绕线电感电路401可以在金属走线空旷区实现，且可通过多层金属绕线实现来节省面积。
如图5所示，为应用本实用新型降噪及静电释放保护电路的一种实施例。环形绕线电感电路401电路连接在电流输入及电流/电压转换电路402与参考输入电流Iref之间。在电流输入及电流/电压转换电路402的偏置电压端VBIAS与接地端之间还电路连接有滤波电容C1。在电流输入及电流/电压转换电路402的接地端与电流输入端之间还电路连接有环形绕线寄生电容C2。其中降噪及静电释放保护电路与的滤波电容C1、环形绕线寄生电容C2一同使用，进一步减轻交流噪声对电流输入电路的影响，提高其精度。
尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (6)
1.一种降噪及静电释放保护电路，用于降噪及保护电流输入及电流/电压转换电路（402）免受静电释放冲击；其特征在于，该电路包含有环形绕线电感电路（401）；
所述环形绕线电感电路（401）为设置在集成电路中的环形绕线，该环形绕线电感电路（401）两端分别电路连接参考输入电流Iref与所述的电流输入及电流/电压转换电路（402）；
在参考输入电流Iref与电流输入及电流/电压转换电路（402）为两个不同电压域电路时，该环形绕线电感电路（401）提供不同电压域之间的静电释放二级保护。
2.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路，其特征在于，该电路还包含电路连接在所述电流输入及电流/电压转换电路（402）的偏置电压端与接地端之间的滤波电容（C1）。
3.如权利要求1或2所述的降噪及静电释放保护电路，其特征在于，该电路还包含电路连接在所述电流输入及电流/电压转换电路（402）的接地端与电流输入端之间的环形绕线寄生电容（C2）。
4.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路，其特征在于，所述的环形绕线电感电路（401）设置在集成电路版图金属走线空旷区域。
5.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路，其特征在于，所述的环形绕线电感电路（401）采用八角形环形绕线。
6.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路，其特征在于，所述的环形绕线电感电路（401）采用多层金属绕线。
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| CN201320325588.9U CN203491255U (zh) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | 一种降噪及静电释放保护电路 |
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Publications (1)
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| CN (1) | CN203491255U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104992649A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-21 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于测试显示面板的电路及液晶显示面板 |
| CN106782241A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于阵列基板的测试电路及制作方法 |
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2013
- 2013-06-07 CN CN201320325588.9U patent/CN203491255U/zh not_active Expired - Lifetime
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Denomination of utility model: Noise reduction and electrostatic discharge protection circuit Effective date of registration: 20180420 Granted publication date: 20140319 Pledgee: Wick International Holding Co.,Ltd. Pledgor: BRITE SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) Corp. Registration number: 2018310000019 |
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Date of cancellation: 20190416 Granted publication date: 20140319 Pledgee: Wick International Holding Co.,Ltd. Pledgor: BRITE SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) Corp. Registration number: 2018310000019 |
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Address after: Room 409, building 1, 88 Chenhui Road, Zhangjiang High Tech Park, Pudong New Area, Shanghai 201203 Patentee after: Canxin semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd. Address before: Room 409, building 1, 88 Chenhui Road, Zhangjiang High Tech Park, Pudong New Area, Shanghai 201203 Patentee before: BRITE SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) Corp. |
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