CN203386579U - 半箔半线低压线圈结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘;所述箔绕线圈可以是由铜箔绕成,所述引线排可以是铜排,所述导线可以是铜线;所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘可以均采用DMD预浸布。该半箔半线低压线圈结构新颖,具有强度较高、整体性较好、抗短路能力较强、动热稳定性较好且造价较低等优点,保证变压器可靠运行。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半箔半线低压线圈结构。
背景技术
现有变压器的低压线圈有两种结构:(1)箔绕式结构:虽然强度高、整体性好,但是散热性能差且造价高;(2)线绕式结构:虽然强度较低、整体性差一些,但是散热性能好且造价低。
实用新型内容
本实用新型针对上述现有技术存在的问题做出改进,即本实用新型所要解决的技术问题是提供一种强度较高、整体性较好、散热性能较好且造价较低的半箔半线低压线圈结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘。
进一步的,所述箔绕线圈是由铜箔绕成,所述引线排为铜排。
进一步的,所述导线为铜线。
进一步的,所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘均采用DMD预浸布或其它特殊材料。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:该半箔半线低压线圈结构新颖,具有强度较高、整体性较好、抗短路能力较强、动热稳定性较好且造价较低等优点,保证变压器可靠运行。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型实施例的主视示意图。
图2为本实用新型实施例的俯视示意图。
图中:1-箔绕部分,11-箔绕线圈,12-箔绕线圈的端绝缘,13-箔绕线圈的层间绝缘,2-线绕部分,21-线绕线圈,22-线绕线圈的端绝缘,23-线绕线圈的层间绝缘,3-引线排,4-导线。
具体实施方式
如图1~2所示,一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈11,所述箔绕线圈11的每层之间设有端绝缘11和层间绝缘12,所述箔绕线圈11的首尾两端分别由引线排3出线,所述箔绕线圈11外围缠绕有线绕线圈21,所述线绕线圈21是由导线4并联绕成且分别出线,所述线绕线圈21的匝数比箔绕线圈11的匝数多,即少数匝部分用铜箔绕成、多数匝部分用导线4并联绕成,所述线绕线圈21的每层之间也设有端绝缘22和层间绝缘23。
在本实施例中,该半箔半线低压线圈结构为调容变压器的低压线圈结构,所述箔绕线圈11是由铜箔绕成,所述引线排3为铜排;当然,箔绕线圈11和引线排的材质并不局限于铜,还可以是铝等材质。所述导线4为铜线,但并不局限于此。
在本实施例中,所述箔绕线圈11和线绕线圈21的所有出线头均在上端;当然,所述箔绕线圈11和线绕线圈21的出线位置还可以在下端,具体可以根据引线结构而定。
在本实施例中,所述箔绕线圈11的端绝缘12和层间绝缘13均采用DMD预浸布或其它特殊材料,使得箔绕线圈11整体固化,提高了变压器整体抗短路能力和动热稳定性能,保证变压器运行的可靠性;所述线绕线圈21的端绝缘22和层间绝缘23可以采用电缆纸,但并不局限于此。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本实用新型的涵盖范围。
Claims (4)
1.一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,其特征在于:所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘。
2.根据权利要求1所述的半箔半线低压线圈结构,其特征在于:所述箔绕线圈是由铜箔绕成,所述引线排为铜排。
3.根据权利要求1或2所述的半箔半线低压线圈结构,其特征在于:所述导线为铜线。
4.根据权利要求1所述的半箔半线低压线圈结构,其特征在于:所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘均采用DMD预浸布。
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