CN203382855U - 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 - Google Patents
一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 Download PDFInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，本实用新型的目的是设计一种能够有效提升GaAs晶体产品质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。本实用新型的技术方案是，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。
Description
技术领域：
本实用新型涉及GaAs晶体的生长装置，特别是一种能够有效提高GaAs晶体质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。
背景技术：
GaAs晶体是一种重要的半导体材料，而冷壁VGF方法是生长大直径、高性能、低成本GaAs晶体的最佳手段。在生长时的热场分布无论是对GaAs晶体生长的成晶率，还是对GaAs晶体的电学性能都有极大的影响，为此得到一个合适的热场分布对GaAs晶体生长具有极为重要的意义。目前常用的方法是多级直筒式加热，这样在二个加热器接口处的温度容易形成冷点，不利于晶体生长，会严重影响GaAs晶体的产品质量。
发明内容：
本实用新型的目的是设计一种能够有效提升GaAs晶体产品质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。
本实用新型的技术方案是，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，其特征在于：在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。
本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。
附图说明：
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式：
结合附图详细描述实施例，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器2，保温罩1，在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管3；本实施例还可以在加热器与单晶炉不锈钢水冷炉壁之间设置厚石墨保温层。本实用新型的结构避免了在俩个加热器接口处的温度不稳定，容易对GaAs晶体形成冷点的弊病，能够使得整个加热器形成一个温度稳定，控制灵活、分布合理的最佳热场分布。
本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。
Claims (1)
1.一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，其特征在于：在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320447028.0U CN203382855U (zh) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320447028.0U CN203382855U (zh) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203382855U true CN203382855U (zh) | 2014-01-08 |
Family
ID=49871367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320447028.0U Expired - Fee Related CN203382855U (zh) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203382855U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103526279A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 |
| CN108103577A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-01 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置 |
-
2013
- 2013-07-25 CN CN201320447028.0U patent/CN203382855U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103526279A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 |
| CN108103577A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-01 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20180814 Granted publication date: 20140108 |
|
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20200810 Granted publication date: 20140108 |
|
| PD01 | Discharge of preservation of patent | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140108 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |