CN203325954U - 一种过饱和掺杂高效异质结电池 - Google Patents
一种过饱和掺杂高效异质结电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203325954U CN203325954U CN2013203640602U CN201320364060U CN203325954U CN 203325954 U CN203325954 U CN 203325954U CN 2013203640602 U CN2013203640602 U CN 2013203640602U CN 201320364060 U CN201320364060 U CN 201320364060U CN 203325954 U CN203325954 U CN 203325954U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- supersaturation
- selenium
- battery
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上。本实用新型的优点是电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池的制作方法，尤其涉及一种过饱和掺杂高效异质结电池。
背景技术
石化能源对环境污染严重，而且还面临着资源越来越少的危险，太阳能作为新型绿色能源有望成为未来的主要能源之一。太阳能电池是利用太阳能的有效方法之一，发展方向是提高转化效率、降低生产成本。目前，利用非晶硅薄膜作为窗口层，单晶硅片作为衬底，形成的异质结太阳能电池既利用了低温的薄膜沉积工艺，又发挥了晶体硅高迁移率的优势，制备工艺简单，具有实现高效率、低成本的发展前景。
在现有的异质结太阳能电池中，由于位于硅带隙中的深能级是最有效的载流子复合中心，对光生载流子具有很大的复合效应，减小载流子的寿命，进而严重影响电池效率，所以，在制备中会极力消除和避免深能级杂质。但是，当深能级杂质的掺杂浓度足够高，高浓度深能级中心波函数相互交叠，载流子可以在深能级之间做共有化运动时，可以在禁带中形成杂质能带。这种中间带的形成能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害。
实用新型内容
发明目的：本实用新型的发明目的是提供一种过饱和掺杂高效异质结电池，电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。
技术方案：本实用新型所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，所述晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，所述正电极位于硅-硒掺杂层上。
所述非晶硅薄膜包括从上至下的本征非晶硅薄膜和P+型非晶硅薄膜。
所述本征非晶硅薄膜和所述P+型非晶硅薄膜都为氢化纳米硅薄膜。
所述导电薄膜为透明导电膜。
有益效果：本实用新型与现有的异质结太阳能电池相比，其显著特点是电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。
附图说明
图1是本实用新型实施例的结构示意图；
图2是图1中正电极结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型做进一步说明。
如图1及图2所示，本实用新型实施例提供的一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅3、正电极1、从上至下依次位于晶硅3背面的本征非晶硅薄膜4、P+型非晶硅薄膜5、透明导电膜（TCO）6和金属电极7，晶硅3上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层2，正电极1位于硅-硒掺杂层2上。
由于电池的晶硅3上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层2，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。
Claims (4)
1.一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅（3）、正电极1、从上至下依次位于晶硅（3）背面的非晶硅薄膜、导电薄膜（6）和金属电极（7），其特征在于：所述晶硅（3）上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层（2），所述正电极（1）位于硅-硒掺杂层（2）上。
2.根据权利要求1所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，其特征在于：所述非晶硅薄膜包括从上至下的本征非硅薄膜（4）和P+型非晶硅薄膜（5）。
3.根据权利要求2所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，其特征在于：所述本征非晶硅薄膜（4）和P+型非晶硅薄膜（5）都为氢化纳米硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，其特征在于：所述导电薄膜（6）为透明导电膜（TCO）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013203640602U CN203325954U (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种过饱和掺杂高效异质结电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013203640602U CN203325954U (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种过饱和掺杂高效异质结电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203325954U true CN203325954U (zh) | 2013-12-04 |
Family
ID=49665260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013203640602U Expired - Fee Related CN203325954U (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种过饱和掺杂高效异质结电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203325954U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367515A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-10-23 | 国电光伏有限公司 | 一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法 |
-
2013
- 2013-06-21 CN CN2013203640602U patent/CN203325954U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367515A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-10-23 | 国电光伏有限公司 | 一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102738291B (zh) | 一种硅基异质结双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN201562684U (zh) | 硅基薄膜太阳能电池 | |
| CN102683468A (zh) | 一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构 | |
| CN103219413A (zh) | 一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102201480B (zh) | 基于n型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池 | |
| CN202189800U (zh) | 一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池 | |
| CN101771097A (zh) | 一种带隙可调控的硅基异质结太阳电池 | |
| CN203325954U (zh) | 一种过饱和掺杂高效异质结电池 | |
| CN201667340U (zh) | 一种叠层太阳能电池 | |
| CN101431128A (zh) | 一种非晶硅叠层太阳能电池制备方法 | |
| CN101882636B (zh) | 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 | |
| CN202134543U (zh) | 掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池 | |
| CN210052747U (zh) | 一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构 | |
| CN202977494U (zh) | 一种晶体硅\非晶硅双节双面电池 | |
| CN203536448U (zh) | 一种掺杂量子点硅太阳电池 | |
| CN209729915U (zh) | 一种钝化接触的p型mwt电池 | |
| CN202633058U (zh) | 一种电动汽车用纳米太阳能电池 | |
| CN101908569B (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN203260611U (zh) | 一种hit太阳能电池结构 | |
| CN206878008U (zh) | 一种多晶硅太阳能电池 | |
| CN206878022U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
| CN203883020U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
| CN204118089U (zh) | 一种太阳电池 | |
| CN202585492U (zh) | 一种太阳能电池组件 | |
| CN201708168U (zh) | 太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131204 Termination date: 20160621 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |