CN203311865U - 透明导电膜 - Google Patents

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高育龙
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Abstract

一种透明导电膜,包括透明基底,包括本体和从所述本体一侧延伸形成的挠性连接部件,所述挠性连接部件的宽度小于所述本体延伸有所述挠性连接部件的一侧的宽度,所述挠性连接部件设置有导通线路,所述本体包括感应区,以及位于所述感应区边缘的边框区;设置于所述本体感应区一侧的网格状的导电层,所述导电层包括相互交叉的导电丝线;设置于所述本体边框区一侧的引线电极,所述导电层和所述导通线路通过所述引线电极电连接;因挠性连接部件从透明基底本体的一侧延伸形成,也就是挠性连接部件与本体成型为一整体,无需再另行将挠性连接部件与透明导电膜贴合,减少了贴合工艺,提高了生产效率。

Description

透明导电膜
技术领域
本实用新型涉及触摸屏技术领域,特别是涉及一种透明导电膜。
背景技术
透明导电膜是一种具有良好的导电性,以及在可见光波段具有高透光率的薄膜,广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域,具有极其广阔的市场空间。
柔性电路板是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性,绝佳的可挠性印刷电路板,简称软板或FPC(Flexible Printed Circuit),具有配线密度高、重量轻、厚度薄的特点。透明导电膜通过FPC与外接电路连接,以将透明导电膜感知的位置信号传输到处理器中,进行识别,确定触摸位置。
然而,现有的透明导电膜通过FPC与外接电路连接时,先将FPC与透明导电膜的引线区域贴合,然后再与印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)相连接,导致生产效率低。
实用新型内容
基于此,有必要针对生产效率低的问题,提供一种透明导电膜。
一种透明导电膜,包括:
透明基底,包括本体和从所述本体一侧延伸形成的挠性连接部件,所述挠性连接部件的宽度小于所述本体延伸有所述挠性连接部件的一侧的宽度,所述挠性连接部件设置有导通线路,所述本体包括感应区,以及位于所述感应区边缘的边框区;
导电层,呈网格状,设置于所述本体的感应区一侧,所述导电层包括相互交叉的导电丝线;
引线电极,设置于所述本体的边框区一侧,所述导电层和所述导通线路通过所述引线电极电连接。
在其中一个实施例中,所述本体感应区的一表面开设有第一网格凹槽,所述导电层收容于所述第一网格凹槽。
在其中一个实施例中,所述本体边框区的一表面开设有第二网格凹槽,所述第二网格凹槽与所述第一网格凹槽均位于所述本体同侧,所述引线电极收容于所述第二网格凹槽;或
所述引线电极直接形成于所述边框区的表面。
在其中一个实施例中,还包括基质层,设置于所述透明基底一侧,与所述感应区对应的所述基质层远离所述透明基底的表面开设有第一网格凹槽,所述导电层收容于所述第一网格凹槽。
在其中一个实施例中,与所述边框区对应的所述基质层远离所述透明基底的表面开设有第二网格凹槽,所述引线电极收容于所述第二网格凹槽;或
所述引线电极直接形成于与所述边框区对应的所述基质层远离所述透明基底的表面。
在其中一个实施例中,所述第一网格凹槽的宽度为0.2μm~5μm,高度为2μm~6μm,所述第一网格凹槽的高度和宽度的比值大于1;
所述第二网格凹槽的宽度为0.2μm~5μm,高度为2μm~6μm,所述第二网格凹槽的高度和宽度的比值大于1。
在其中一个实施例中,所述第一网格凹槽底部和/或所述第二网格凹槽底部为非平面结构。
在其中一个实施例中,所述引线电极为网格状或者条状,网格状的所述引线电极由导电丝线交叉形成,条状的所述引线电极的最小宽度为10μm~200μm,高度为5μm~10μm。
在其中一个实施例中,所述导通线路为网格状或者条状,网格状的所述导通线路由导电丝线交叉形成。
在其中一个实施例中,还包括透明保护层,所述透明保护层至少部分包覆所述透明基底、导电层和引线电极。
上述透明导电膜,挠性连接部件从本体的一侧延伸形成,挠性连接部件设置有导通线路,本体的感应区设置有导电层,边框区设置有引线电极,导电层和导通线路通过引线电极电连接。如此,因挠性连接部件从透明基底本体的一侧延伸形成,也就是挠性连接部件与本体成型为一整体,无需再另行将挠性连接部件与透明导电膜贴合,减少了贴合工艺,提高了生产效率。
附图说明
图1为一实施方式的透明导电膜的结构示意图;
图2为另一实施方式的透明导电膜的结构示意图;
图3为实施例一的透明导电膜的结构示意图;
图4为实施例二的透明导电膜的结构示意图;
图5为实施例三的透明导电膜的结构示意图;
图6为实施例四的透明导电膜的结构示意图;
图7为一实施方式的网格状导电层的结构示意图;
图8为另一实施方式的网格状导电层的结构示意图。
具体实施方式
为使透明导电膜的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对透明导电膜的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解透明导电膜。但是透明导电膜能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此透明导电膜不受下面公开的具体实施的限制。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于透明导电膜的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在透明导电膜的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制透明导电膜。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
下面结合附图和具体实施例对透明导电膜做进一步说明。
请参考图1至图3,一种透明导电膜,包括透明基底10、导电层20和引线电极30。透明基底10包括本体110和从本体110一侧延伸形成的挠性连接部件120,挠性连接部件120的宽度小于本体110延伸有挠性连接部件120的一侧的宽度,挠性连接部设置有导通线路122,本体110包括感应区112和位于感应区112边缘的边框区114,导电层20设置于本体110感应区112一侧,导电层20包括相互交叉的导电丝线,导电丝线相互交叉形成网格状的导电层20,引线电极30设置于本体110边框区114一侧,导电层20和导通线路122通过引线电极30电连接。在本实施例中,引线电极30和导电层20均位于透明基底10同侧。如图1所示,表示的是导电层20的网格横向排布的透明导电膜,如图2所示,表示的是导电层20的网格纵向排布的透明导电膜,如图3所示,表示的是透明导电膜相对图1或者图2所示的截面图。
上述透明导电膜,从本体110的一侧延伸形成挠性连接部件120,挠性连接部件120设置有导通线路122,本体110感应区112一侧设置有导电层20,边框区114一侧设置有引线电极30,且导电层20和引线电极30均位于透明基底10同侧,导电层20和导通线路122通过引线电极30电连接。如此,因挠性连接部件120从透明基底10本体110的一侧延伸形成,也就是挠性连接部件120与本体110成型为一整体,无需再另行将挠性连接部件120与透明导电膜贴合,减少了贴合工艺,提高了生产效率;挠性连接部件120和外部设备连接时,可以采用贴合,或在挠性连接部件120端部设有公端或母端,直接与外部设备进行插接式连接。
在其中一个实施例中,透明基底10的材质可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)。在本实施例中,基板113的材料为对苯二甲酸乙二酯,以透明绝缘材料为佳。
请参阅图3和图4,在实施例3和实施例4中,本体110感应区112一表面开设有第一网格凹槽,导电层20收容于第一网格凹槽。在本体110感应区112一表面通过使用与导电层20的网格状对应的图形化压印模版压印形成第一网格凹槽,填充导电材料于第一网格凹槽并经过烧结固化形成相互交叉的导电丝线,从而构成网格状的导电层20。如此,导电层20可由向第一网格凹槽中填充导电材料,该第一网格凹槽可通过压印模具一次成型,得到预设的图案,而不用通过图形化蚀刻,从而简化流程,提高生产效率。特别当使用ITO作为导电材料时,由于无需蚀刻,故减少了材料浪费,进而节约成本。采用第一网格凹槽以形成导电层20,使导电材料不局限于传统的ITO,从而增加了导电材料的选择面。还可减少透明导电膜的厚度,提高光在透明导电膜的透过率,其中,透明导电膜的可见光透过光率不小于86%。
在其中一个实施例中,导电层20的网格由导电丝线相互交叉形成。导电丝线由填充与第一网格凹槽的导电材料固化形成。导电层20的材质可以为导电金属、碳纳米管、石墨烯墨水和导电高分子材料中的至少一种。导电金属可以包括单质金、银、铜、铝、镍、锌或其中至少二者的合金中的一种。在本实施例中,导电材料为纳米银墨水,银墨水的固含量35%,填充于第一网格凹槽并烧结后为固态柔性银线,烧结温度可以选用150摄氏度。可以理解,制备导电层20的材料为电的导体即可实现相应的功能。
请参阅图3,在实施例一中,本体110边框区114一表面开设有第二网格凹槽,第一网格凹槽和第二网格凹槽均位于本体110同侧,引线电极30收容于第二网格凹槽。填充导电材料于第二网格凹槽,固化形成网格状的引线电极30,引线电极30包括相互交叉的导电引线。在导电层20和导通线路122通过引线电极30电连接,以将感应结构所检测到的触摸信号传递至导通线路122。第二网格凹槽与第一网格凹槽所起的作用相同,如上所述,故在此不再赘述。为了节约成本,导电引线的材质可以为导电金属,导电金属可以为银或铜。
请参阅图4,在实施例二中,引线电极30可直接形成与本体110边框区114的表面。引线电极30与导电层20位于本体110同侧。此时,引线电极30可通过丝网印刷或喷墨打印形成条状的引线电极30。条状的引线电极30的最小宽度可以为10μm~200μm,高度可以为5μm~10μm。
在其中一个实施例中,导通线路122嵌设于挠性连接部件120。挠性连接部件120开设有第三网格凹槽(图未示),导通线路122收容于第三网格凹槽。填充导电材料于第三网格凹槽,固化形成网格状的导通线路122,导通线路122包括相互交叉的导通丝线。在本实施例中,为了便于导电层20和导通线路122通过电极引线电连接,第一网格凹槽、第二网格凹槽和第三网格凹槽均位于本体110同侧。在其它实施例中,导通线路122还可直接形成于挠性连接部件120表面,导通线路122为条状。第三网格凹槽与第一网格凹槽所起的作用相同,如上所述,故在此不再赘述。为了节约成本,导通丝线的材质可以为导电金属,导电金属可以为银或铜。
为了方便说明,在没有特别说明的情况下,第一网格凹槽、第二网格凹槽、和第三网格凹槽统称为网格凹槽。结合图3,网格凹槽底部为非平面结构。网格凹槽底部非平面结构的形状可以为单个V形或者单个圆弧形,非平面结构的形状也可以为多个V形组合的规则锯齿状,多个圆弧形组合的波浪状或者V形和圆弧形组合的非平面结构等,当然非平面结构还可以为其它形状,只要保证网格凹槽底部不平整即可。该非平面结构的上下波动范围为500nm~1000nm。因导电材料填充之前为液态,在将液态的导电材料填充于网格凹槽时,因网格凹槽的底部不平整,有利于分解液态的导电材料在与网格凹槽底部接触时的张力,以避免张力过大而使液态的导电材料收缩呈若干球形或者近似球形的结构,减少经烧结后导电材料呈若干互相间隔的球形或近似球形的几率,提高烧结后导电材料内部的连通性,保证透明导电膜的导电性能。
由于导电材料属于三维的具有各向异性的物质,表现为平行于层面方向的热膨胀系数远小于垂直于层面方向,所以在将导电材料填充于网格凹槽进行烧结时,如果网格凹槽深度小于宽度,会使导电材料在垂直于层面方向拉应力过大而导致材料断裂,故网格凹槽的高度和宽度的比值可合理设置为大于1,网格凹槽的宽度可以为0.2μm~5μm,高度可以为2μm~6μm。
网格凹槽的网格形状可以为规则网格或随机网格。在将导电材料填充于网格凹槽后,可形成规则网格状或者随机网格状的导电层20、引线电极30和导通线路122。如图7所示,表示的是规则网格状的导电层20。如图8所示,表示的是随机网格状的导电层20。网格凹槽的网格包括多个网格单元,规则网格指的是所有网格单元的网格周期均相同,网格周期指的是每个网格单元的大小,如此,在将透明导电膜与其他显示装置贴合时,特别是对于显示屏幕较小的显示装置,可避免显示图片出现紊乱的现象。
随机网格指的是至少两个网格单元的网格周期不相同,在将透明导电膜与其他显示装置贴合时,以避免莫尔条纹的产生,莫尔条纹是一种光学现象,是两条线或两个物体之间以恒定的角度和频率发生干涉的视觉结果,当人眼无法分辨这两条线或两个物体时,只能看到干涉的花纹,这种光学现象就是莫尔条纹。其中,导电层20的网格单元的形状均可以为菱形、矩形、平行四边形、曲边四边形或者多边形,曲边四边形具有四条曲边,相对的两条曲边具有相同的形状及曲线走向。
请参阅图5和图6,在实施例三和实施例四中,透明导电膜还包括基质层40,设置于透明基底10一侧,与感应区112对应的基质层40远离透明基底10的一侧开设有第一网格凹槽,导电层20收容于第一网格凹槽。在透明基底10表面涂布基质层40,通过使用与网格状的导电层20对应的图形化压印模版压印与感应区112对应的基质层40远离透明基底10的表面形成第一网格凹槽,填充导电材料于第一网格凹槽形成导电层20。该基质层40可用于绝缘和成型。
在其中一个实施例中,基质层40的材料可以为固化胶、压印胶或聚碳酸酯。
请参阅图5,在实施例三中,与边框区114对应的基质层40远离透明基底10的表面开设有第二网格凹槽,引线电极30收容于第二网格凹槽。填充导电材料于第二网格凹槽,固化形成网格状的引线电极30,引线电极30包括相互交叉的导电引线。在导电层20和导通线路122通过引线电极30电连接,以将感应结构所检测到的触摸信号传递至导通线路122。
请参阅图6,在实施例四中,引线电极30可直接形成与边框区114对应的基质层40远离透明基底10的表面。引线电极30与导电层20位于基质层40同侧。此时,引线电极30可通过丝网印刷或喷墨打印形成条状的引线电极30。条状的引线电极30的最小宽度可以为50μm~200μm,高度可以为5μm~10μm。
在其中一个实施例中,透明导电膜还可以包括透明保护层(图未示),透明保护层至少部分包覆透明基底10、导电层20和引线电极30。透明保护层的材质可以为紫外光固化胶(UV胶)、压印胶或聚碳酸酯。透明导电膜设置有透明保护层能够有效防止导电材料的氧化。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种透明导电膜,其特征在于,包括:
透明基底,包括本体和从所述本体一侧延伸形成的挠性连接部件,所述挠性连接部件的宽度小于所述本体延伸有所述挠性连接部件的一侧的宽度,所述挠性连接部件设置有导通线路,所述本体包括感应区,以及位于所述感应区边缘的边框区;
导电层,呈网格状,设置于所述本体的感应区一侧,所述导电层包括相互交叉的导电丝线;
引线电极,设置于所述本体的边框区一侧,所述导电层和所述导通线路通过所述引线电极电连接。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述本体感应区的一表面开设有第一网格凹槽,所述导电层收容于所述第一网格凹槽。
3.根据权利要求2所述的透明导电膜,其特征在于,所述本体边框区的一表面开设有第二网格凹槽,所述第二网格凹槽与所述第一网格凹槽均位于所述本体同侧,所述引线电极收容于所述第二网格凹槽;或
所述引线电极直接形成于所述边框区的表面。
4.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,还包括基质层,设置于所述透明基底一侧,与所述感应区对应的所述基质层远离所述透明基底的表面开设有第一网格凹槽,所述导电层收容于所述第一网格凹槽。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜,其特征在于,与所述边框区对应的所述基质层远离所述透明基底的表面开设有第二网格凹槽,所述引线电极收容于所述第二网格凹槽;或
所述引线电极直接形成于与所述边框区对应的所述基质层远离所述透明基底的表面。
6.根据权利要求3或5所述的透明导电膜,其特征在于,所述第一网格凹槽的宽度为0.2μm~5μm,高度为2μm~6μm,所述第一网格凹槽的高度和宽度的比值大于1;
所述第二网格凹槽的宽度为0.2μm~5μm,高度为2μm~6μm,所述第二网格凹槽的高度和宽度的比值大于1。
7.根据权利要求6所述的透明导电膜,其特征在于,所述第一网格凹槽底部和/或所述第二网格凹槽底部为非平面结构。
8.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述引线电极为网格状或者条状,网格状的所述引线电极由导电丝线交叉形成,条状的所述引线电极的最小宽度为10μm~200μm,高度为5μm~10μm。
9.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述导通线路为网格状或者条状,网格状的所述导通线路由导电丝线交叉形成。
10.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,还包括透明保护层,所述透明保护层至少部分包覆所述透明基底、导电层和引线电极。
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