CN203279018U - 一种新型高频头 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种新型高频头,包括馈源、内置电路板的电路板盒、设置在电路板盒上的接头,以及连接在所述馈源和所述电路板盒之间用于传递信号的导波管;所述电路板上设有控制模块和分别与其连接的高频放大模块、中频输出模块和稳压模块,所述电路板上还设有晶振锁相模块,其与所述控制模块连接。本实用新型的有益效果有:1.自动完成所述控制模块中输出信号频率及相位的调节和锁定工作,无需手动调节,从而有效降低了使用难度,方便用户使用;2.所述晶振锁相模块在一般环境中受温度的影响小,稳定性好,能有效保证输出信号的质量。

Description

一种新型高频头
技术领域
本实用新型涉及一种卫星信号接收装置,尤其涉及到一种新型高频头。
背景技术
新型高频头的作用是接收卫星电视信号,用于频道选择、信号变频处理,并最终输出稳定的电视信号。在上述工作过程中有一重要环节是新型高频头的输出信号在频率和相位上要与参考输入信号同步并保持一致,通过该环节才能得到稳定的电视画面,在现有技术中该环节的解决方案通常是在电路板的控制控制芯片以及和三极管跟谐振子组成的振荡频率电路中共同完成的,其工作原理是:在使用时,需要先通过旋转设在新型高频头上的调节螺丝以调整振荡频率电路中的触头与谐振子之间的间距,从而改变振荡频率电路所产生的本振频率,然后通过控制控制芯片控制该本振频率去调输出信号的频率及相位,直至输出信号在频率和相位上与参考输入信号同步并保持一致,最后再通过在调节螺丝处涂胶水的方式将调节螺丝固定,从而达到对输出信号进行锁定的目的。但是,由于振荡频率电路所产生的本振频率较高,一般都在20MHz以上,因而使得在调节过程中,触头与谐振子之间间距的微小变化都将导致该本振频率大幅改变。因此,通过旋转调节螺丝来调节振荡频率电路所产生的本振频率的难度非常大,用户通常需要调试多次才能完成对该本振频率的调节工作,从而增加了新型高频头的使用难度。另外,环境温度的变化还会使新型高频头的各部件发生热胀冷缩,从而极易导致调节完成后的触头与谐振子之间的间距产生变化而改变振荡频率电路所产生的本振频率,使其产生频率漂移,进而使得输出信号无法与参考输入信号同步并保持一致,最终影响输出信号的质量。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决输出信号的调节难度大和易受环境影响的问题。
本实用新型的技术方案是这样的:
一种新型高频头,包括馈源、内置电路板的电路板盒、设置在电路板盒上的接头,以及连接在所述馈源和所述电路板盒之间用于传递信号的导波管;所述电路板设有控制模块和分别与其连接的高频放大模块、中频输出模块和稳压模块,所述电路板还设有晶振锁相模块,其与所述控制模块连接;
所述控制模块接收来自于所述高频放大模块的信号并将之处理后生成输出信号,然后比较所述输出信号与参考输入信号之间的频率和相位差别并通过所述控制晶振锁相模块产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整,直至所述输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后,再将所述输出信号传输至所述中频输出模块;
其中,所述高频放大模块包括第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2和第三场效应晶体管Q3,所述第一场效应晶体管Q1的栅极G1通过所述导波管接一路射频信号,所述第一场效应晶体管Q1的源极S1串电容C1后接第三场效应晶体管Q3的栅极G3,所述第一场效应晶体管Q1的漏极D1接地;所述第二场效应晶体管Q2的栅极G2通过所述导波管接另一路射频信号,所述第二场效应晶体管Q2的源极S2串电容C2后接第三场效应晶体管Q3的栅极G3,所述第二场效应晶体管Q2的漏极D2接地;所述第三场效应晶体管Q3的源极S3和所述控制模块的信号输入引脚连接,其漏极D3接地。
本实用新型的有益效果:1.本实用新型通过控制模块改变晶振锁相模块中的晶振所生产的本振频率以自动完成对其输出信号频率及相位的调节和锁定工作,由于无需手动调节,从而有效降低了使用难度,方便了用户使用;2.所述晶振锁相模块在一般环境中受温度的影响小,稳定性好,能有效保证输出信号的质量。
附图说明
图1为本实用新型在一个实施例中的结构图;
图2为本实用新型在一个实施例中电路板的电路原理框图;
图3为本实用新型在一个实施例中电路板的电路连接图。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1、2所示,一种新型高频头,包括馈源1、内置电路板(未图示)的电路板盒2、设置在电路板盒2上的接头3,以及连接在所述馈源1和所述电路板盒2之间用于传递信号的导波管4;所述电路板上设有控制模块5,和分别与所述控制模块5连接的高频放大模块6、中频输出模块8、及稳压模块9,所述电路板上还设有晶振锁相模块10,所述晶振锁相模块10与所述控制模块5连接。
具体实施时:
所述高频放大模块6包括第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2和第三场效应晶体管Q3,其中,所述第一场效应晶体管Q1的栅极G1通过所述导波管4接一路射频信号,所述第一场效应晶体管Q1的源极S1串电容C1后接第三场效应晶体管Q3的栅极G3,所述第一场效应晶体管Q1的漏极D1接地;所述第二场效应晶体管Q2的栅极G2通过所述导波管4接另一路射频信号,所述第二场效应晶体管Q2的源极S2串电容C2后接第三场效应晶体管Q3的栅极G3,所述第一场效应晶体管Q2的漏极D2接地;所述第三场效应晶体管Q3的源极S3和所述控制模块5的信号输入引脚连接,其漏极D3接地。当然,也可采用其他替代性的有高频放大功能的电路。
所述中频输出模块8包括电容C3,该电容C3的一端与所述控制模块5的信号输出引脚连接,另一端和所述接头3连接,当然,也可以采用多个电容,或用电感替代。
所述晶振锁相模块10是晶振XAL,所述晶振XAL的一端与所述控制模块5的一个晶振引脚连接,所述晶振XAL的另一端与所述控制模块5的另一个晶振引脚连接。在具体设计时,可以在上述基础上做进一步的优化,如在所述晶振XAL的端部加设接地电容以减小频率的偏移或不稳定。
所述稳压模块9为三端稳压管,如78LXX系列,该三端稳压器的第一端a接电源,第二端b接所述控制模块5的电源输入引脚,第三端c接地。在具体情况下也可以根据电路参数采用其他系列的稳压管或集成稳压IC,或设计具有相同功能的电路模块。
优化的,所述电路板上还包括滤波模块7,所述滤波模块7连接在所述高频放大模块6和所述控制模块5之间,以消除杂波。
优化的,所述控制模块5为夏普QM1LC0056控制芯片,当然也可采用其他控制芯片。
工作原理如下:
所述馈源1接收到卫星信号后通过所述导波管4传输至所述高频放大模块6,所述高频放大模块6将所述信号作放大处理并经所述滤波模块7滤除杂波后传输至控制模块5,所述控制模块5将接收到来自于所述滤波模块7的信号进行处理,处理后生成输出信号,然后比较所述输出信号与参考输入信号之间的频率和相位差别并通过所述控制晶振锁相模块10产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整,直至所述输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后,再将所述输出信号传输至所述中频输出模块9,所述中频输出模块9从来自于所述控制模块5的所述输出信号中还原出中频信号,并将还原出的所述中频信号通过所述接头3传输至播放器(如电视)中用于播放。
为了使上述阐述的内容更清晰,下面结合具体元器件列举一细化的电路连接图,并根据所述电路连接图描述信号走向作为参考:
需要说明的是,本具体电路连接图中,所述控制模块5采用型号为夏普QM1LC0056的控制芯片,所述稳压模块9采用三端稳压管78L33L,所述场效应晶体管为P型场效应晶体管,但上述器件的采用并不用于限制本实用新型,因此在实际生产时,可根据具体需求选用其他型号的器件或替代模块。
如图3,所述馈源将接收到的卫星信号分成第一信号和第二信号,并通过所述导波管4分别传输至高频放大模块6中;
所述第一信号传输至第一P型场效应晶体管Q1的栅极G1,所述第二信号传输至第二场P型效应晶体管Q2的栅极G2;所述第一P型场效应晶体管Q1的源极S1串电容C1后和所述第二P型场效应晶体管Q2的源极S2串电容C2后均接在第三场P型效应晶体管Q3的栅极G3上,所述第三P型场效应晶体管Q3的源极和所述滤波模块的信号输入端连接,所述第一P型场效应晶体管Q1的漏极D1、第二P型场效应晶体管Q2的漏极D2和第二P型场效应晶体管Q3的漏极D3均接地:此阶段是所述第一信号和所述第二信号经放大和滤波后合成一路信号,该路信号经第三P型场效应晶体管Q3放大后传输至滤波模块7中;
所述滤波模块7的信号输出端和控制芯片(夏普QM1L1C0056)的信号输入端连接,即和引脚RFIN连接:此阶段是所述滤波模块7将其信号输入端接收到的信号作滤波处理后通过和所述引脚RFIN的连接将做滤波处理后的信号传输至所述控制芯片;由于所述滤波模块7内部结构可以采用任意常规的滤波电路连接结构,固此不做进一步阐述;
所述控制芯片含有24个引脚,其中引脚X0和引脚X1为晶振引脚,用于和所述晶振锁相模块10连接,具体为所述引脚X0与所述晶振XAL的一端连接,所述引脚X1与所述晶振XAL的另一端连接:此阶段是在所述控制芯片通过引脚RFIN接收到信号后,将该接收到的信号进行处理并在处理后生成输出信号,然后把该输出信号和参考输入信号的频率和相位进行比较,并通过控制所述晶振XAL产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整,当所述输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后,将调整后的输出信号传输至中频输出模块9;
所述控制芯片的引脚IFOUT为信号输出引脚,并通过该引脚IFOUT和所述中频输出模块连接,所述中频输出单元为电容C3,该电容C3一端和所述引脚IFOUT连接,另一端和所述接头3连接:此阶段是将引脚IFOUT的输出信号的高频部分滤除以还原出所述输出信号中的中频信号,用于视频、电视画面的播放。(注:电视机图像信号是中频信号38MHZ)
以上为本电路连接图的基本连接结构和信号处理的全过程;
另外,该在电路连接中,还有包括三端稳压管9(78L33L),该三端稳压管9的第一端a外接电源,其第二端b接所述控制芯片的引脚CNT,第三端c接地,该三端稳压管用于所述控制芯片电压的稳定;进一步的,所述第三端c处还分别电容C13的一端和电容C14一端连接,所述电容C13的另一端和所述电容C14的另一端均接地,该设置用于滤波,使直流更平滑,控制芯片运行更稳定。
上述已描述了所述控制芯片的引脚X0、引脚X1、引脚IFOUT、引脚CNT和引脚RFIN的连接状态,下面详述所述控制芯片的其他引脚的连接状态:引脚DV和所述第一场效应晶体管Q1的源极S1连接,引脚GV串电阻R1后和所述第一场效应晶体管Q1的栅极G1连接,引脚HA串电阻R5后接地,引脚Cap1串电容C5后接地,引脚Lock悬空,引脚VCC接电源,引脚Cap2串电容C6后接地,引脚LO串电阻R6后接地,引脚G2串电阻R3后和第三场效应晶体管Q3的栅极G3连接,所述引脚D2和所述第三场效应晶体管Q3的源极S3连接,引脚GAIN串电阻R4后接地,引脚DH和所述第二场效应晶体管Q2的源极S2连接,引脚GH串电阻R4后和所述第二场效应晶体管Q2的栅极G2连接,所述控制芯片中其他未作描述的引脚均接地。
为进一步优化电路性能,在电路连接的多个节点处设有接地电容,为消除不必要的干扰信号或高频杂波,在所述第一场效应晶体管Q1的源极S1和所述控制芯片的引脚DV的连接节点处连有一接地电容C12,在所述电阻R1和所述控制芯片的引脚GV的连接节点处连有一接地电容C11,所述第二场效应晶体管Q2的源极S2和所述控制芯片的引脚DH的连接节点处连有一接地电容C9,在所述电阻R2和所述控制芯片的第二引脚的连接节点处连有一接地电容C10,在所述第三场效应晶体管Q3的源极S3和所述控制芯片的引脚D2的连接节点处连有一接地电容C7,所述电阻R3和所述控制芯片的引脚G2的连接节点处连有一接地电容C8。所述控制芯片的引脚VCC连有接地电容C4,用于滤波和储能。
以上所述的本实用新型实施方式,并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。

Claims (5)

1.一种新型高频头,其特征在于:包括馈源、内置电路板的电路板盒、设置在电路板盒上的接头,以及连接在所述馈源和所述电路板盒之间用于传递信号的导波管;所述电路板上设有控制模块和分别与其连接的高频放大模块、中频输出模块和稳压模块,所述电路板上还设有晶振锁相模块,其与所述控制模块连接; 
所述控制模块接收来自于所述高频放大模块的信号并将之处理后生成输出信号,然后比较所述输出信号与参考输入信号之间的频率和相位差别并通过所述控制晶振锁相模块产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整,直至所述输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后,再将所述输出信号传输至所述中频输出模块; 
其中,所述高频放大模块包括第一场效应晶体管(Q1)、第二场效应晶体管(Q2)和第三场效应晶体管(Q3),所述第一场效应晶体管(Q1)的栅极G1通过所述导波管接一路射频信号,所述第一场效应晶体管(Q1)的源极S1串电容C1后接第三场效应晶体管(Q3)的栅极G3,所述第一场效应晶体管(Q1)的漏极D1接地;所述第二场效应晶体管(Q2)的栅极G2通过所述导波管接另一路射频信号,所述第二场效应晶体管(Q2)的源极S2串电容C2后接第三场效应晶体管(Q3)的栅极G3,所述第二场效应晶体管(Q2)的漏极D2接地;所述第三场效应晶体管(Q3)的源极S3和所述控制模块的信号输入引脚连接, 其漏极D3接地。 
2.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述晶振锁相模块包括一晶振,所述晶振的一端与所述控制模块的一个晶振引脚连接,所述晶振的另一端与所述控制模块的另一个晶振引脚连接。 
3.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述中频输出模块包括电容C3,该电容C3的一端与所述控制模块的信号输出引脚连接,另一端和所述接头连接。 
4.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述电路板上还设有滤波模块,所述滤波模块连接在所述高频放大模块和所述控制模块之间。 
5.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述稳压模块包括三端稳压管,所述三端稳压管的第一端接电源,其第二端接所述控制模块,其第三端接地。 
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