CN203264325U - 一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,包括一气流通道,该通道一端为石墨烯化学气相沉积中的混合气体入口,在气流通道外侧装有若干组半导体致冷片,各致冷片通电联接形成电学低温气流冷阱并吸附杂质气体,气流通道另一端为纯化气体出口。本实用新型采用半导体致冷器件,通过低温吸附的方法,除去混合气源中的杂质气体,结构简单,使用方便,易于维护。
Description
技术领域
本实用新型公开一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,按国际专利分类表(IPC)划分属于科学仪器制造技术领域。
背景技术
石墨烯(Graphene)自2004年发现以来,在短短数年间已经成为凝聚态物理、化学、材料科学等领域研究中倍受瞩目的新型材料,化学气相沉积(CVD)是目前制备石墨烯的最有效、也是最具研究价值的方法。目前,石墨烯化学气相沉积设备所采用的杂质气体吸附装置是一个装有液氮的吸附冷阱,使用时需要不停地人工添加液氮,费时费力。
发明内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种结构合理、使用方便的用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,通过电子元器件形成电学低温冷阱,不需要液氮等额外的冷却剂。
为达到上述目的,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,包括一气流通道,该通道一端为石墨烯化学气相沉积中的混合气体入口,在气流通道外侧装有若干组半导体致冷片,各致冷片通电联接形成电学低温气流冷阱并吸附杂质气体,气流通道另一端为纯化气体出口。
进一步,所述气流通道的两端分别连接真空法兰。
本实用新型采用半导体致冷器件,形成一个电学低温冷阱,不需要液氮等额外的冷却剂,而是通过低温吸附的方法,除去混合气源中的杂质气体,结构简单,使用方便,易于维护。
附图说明
图1是本实用新型示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
实施例:请参阅图1,一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,包括一气流通道1,该通道一端为石墨烯化学气相沉积中的混合气体入口,在气流通道外侧装有若干组半导体致冷片2,各致冷片与电源电联接并形成电学低温气流冷阱并吸附杂质气体,气流通道另一端为纯化气体出口。在气流通道的两端分别连接真空法兰11、12。
本实用新型包括一个气路流通结构,气体从一个口输入,从另一个口输出。在结构的外侧,装有几组半导体致冷片。在致冷片上施加电流后,半导体致冷片开始工作,其中紧贴气体流通结构的一侧温度降低,冷却了气体流通结构,从而形成一个气体冷阱。当石墨烯化学气相沉积中的混合气体进入该冷阱后,杂质气体被冷凝吸附在冷阱内壁,无法进入高温反应腔式内,从而对混合反应气体起到了纯化的作用。
以上所记载,仅为利用本创作技术内容的实施例,任何熟悉本项技艺者运用本创作所做的修饰、变化,皆属本创作主张的专利范围,而不限于实施例所揭示者。
Claims (2)
1.一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,其特征在于:包括一气流通道,该通道一端为石墨烯化学气相沉积中的混合气体入口,在气流通道外侧装有若干组半导体致冷片,各致冷片通电联接形成电学低温气流冷阱并吸附杂质气体,气流通道另一端为纯化气体出口。
2.根据权利要求1所述的一种用于石墨烯化学气相沉积设备的杂质气体吸附装置,其特征在于:所述气流通道的两端分别连接真空法兰。
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CN105648535A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-06-08 | 电子科技大学 | 一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法 |
CN107328846A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-11-07 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 质谱进样系统及冷却装置 |
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- 2013-04-24 CN CN 201320211860 patent/CN203264325U/zh not_active Expired - Lifetime
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