CN203225272U - 一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件 - Google Patents
一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件 Download PDFInfo
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Abstract
一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，涉及一种共面结构型电光聚合物薄膜传感技术。它为了解决现有共面结构型电光聚合物薄膜传感器件电光聚合物薄膜利用率低、有效电场低和应用不方便的问题。本实用新型包括共面结构型电光聚合物薄膜器件、陶瓷电路板和封装屏蔽壳，共面结构型电光聚合物薄膜器件与陶瓷电路板通过硅化铝紧密焊接在一起，共面结构型电光聚合物薄膜器件的电极输出端通过覆铜线与陶瓷电路板上表面的焊盘连接，共面结构型电光聚合物薄膜器件采用微观插指结构。本实用新型具有电光聚合物薄膜利用率高、响应探测效率高和应用不便捷的优点。本实用新型适用于太赫兹波探测领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及电光取样技术探测太赫兹波技术领域，尤其涉及一种共面结构型电光聚合物薄膜传感技术。
背景技术
目前的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件主要是由两平行电极组成的简单传感器件，只有一个电极通道。由于结构简单，电极厚度小等原因，这种共面结构型电光聚合物薄膜器件存在如下不足：
(1)电光聚合物薄膜利用率低
传统的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件只有一个电极通道，能有效利用的电光聚合物薄膜仅存在电极之间很狭窄的电极间隙里，成膜面积小，影响电光聚合物薄膜的利用率。
(2)有效电场低
现有的共面结构型电光聚合物薄膜器件的电极制作工艺简单，一般电极厚度在几个微米，当对电光聚合物薄膜极化时，电场分布不均匀，有效场强低，聚合物薄膜所表现出的宏观非线性光学效应小，在作为探测太赫兹波的传感器件时，影响传感器件的探测效率。
(3)应用不够便捷
由于单一的共面结构型电光聚合物结构简单，并无外接电路，在极化和用作传感器件时，给使用者带来了极大不变。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决共面结构型电光聚合物薄膜传感器件电光聚合物薄膜利用率低、有效电场低和应用不方便的问题，提供一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件。
本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件包括共面结构型电光聚合物薄膜器件1、陶瓷电路板2和封装屏蔽壳3，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1为正方形薄板，陶瓷电路板2的下表面中心位置开设有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的边长小于共面结构型电光聚合物薄膜器件1的边长，陶瓷电路板2的上表面中心位置开有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽为正方形、且其边长与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的边长相等，所述薄膜固定槽的底部与正方形的凹槽的顶部连通，共面结构型电光聚合物薄膜器件1嵌入固定在薄膜固定槽内，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1与陶瓷电路板2的连接处通过硅化铝焊接固定，封装屏蔽壳3固定在陶瓷电路板2中心的正上方、且覆盖共面结构型电光聚合物薄膜器件1，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端位于封装屏蔽壳3的内侧，所述封装屏蔽壳3设置有石英窗口，所述石英窗口位于共面结构型电光聚合物薄膜器件1的正上方。
本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的陶瓷电路板2上设有两个焊盘4，所述两个焊盘4均位于封装屏蔽壳3的外侧，且所述两个焊盘4分别通过覆铜线与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端连接。
本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的共面结构型电光聚合物薄膜器件1采用微观插指结构，所述微观插指结构的两个电极输出端即为共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端。
本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的封装屏蔽壳3由一个底面和四个侧面构成，所述底面和四个侧面围成立方体空间，四个侧面的开口侧与陶瓷电路板2的上表面固定连接。
本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的插指电极由多对电极组成，电光聚合物薄膜利用率提高5倍以上，电极厚度与现有技术相比提高了一个数量级，使得响应探测效率高20％～30％，陶瓷电路板上设有焊盘用来引出导线，应用更加便捷。
附图说明
图1为本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件结构示意图的正式图；
图2为图1的俯视图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件包括共面结构型电光聚合物薄膜器件1、陶瓷电路板2和封装屏蔽壳3，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1为正方形薄板，陶瓷电路板2的下表面中心位置开设有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的边长小于共面结构型电光聚合物薄膜器件1的边长，陶瓷电路板2的上表面中心位置开有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽为正方形、且其边长与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的边长相等，所述薄膜固定槽的底部与正方形的凹槽的顶部连通，共面结构型电光聚合物薄膜器件1嵌入固定在薄膜固定槽内，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1与陶瓷电路板2的连接处通过硅化铝焊接固定，封装屏蔽壳3固定在陶瓷电路板2中心的正上方、且覆盖共面结构型电光聚合物薄膜器件1，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端位于封装屏蔽壳3的内侧，所述封装屏蔽壳3设置有石英窗口，所述石英窗口位于共面结构型电光聚合物薄膜器件1的正上方。
本实施方式中，电光聚合物薄膜传感器件1的基片选用的是熔石英，所述熔石英为正方形薄片，所述正方形薄片的边长为6毫米，通过气相沉积法(PVD)在基片上镀制厚度为30微米的铝膜，封装屏蔽壳3使用铝合金制作，陶瓷电路板2的厚度为2毫米，薄膜固定槽的边长为6mm、且深度为1mm。
具体实施方式二：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的区别在于，所述的陶瓷电路板2上设有两个焊盘4，所述两个焊盘4均位于封装屏蔽壳3的外侧，且所述两个焊盘4分别通过覆铜线与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端连接。
陶瓷电路板2上的焊盘4用来引出导线，使用方便。本实施方式中，覆铜线宽度为1.5毫米，两个焊盘4的直径为1.5毫米。覆铜线与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端的连接处通过硅化铝紧密焊接在一起。
具体实施方式三：结合图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的区别在于，所述的共面结构型电光聚合物薄膜器件1采用微观插指结构，所述微观插指结构的两个电极输出端即为共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端。
微观插指电极结构如图2所示，插指电极的间距为100微米，电极长度为1.8毫米，电极宽度为100微米，电极厚度为15至30微米，插值电极面积为2*2mm2。微观插指结构型电极将原单一的电极通道变为多电极通道，使得能利用的电光聚合物薄膜面积增大，提高了电光聚合物薄膜的利用率。电极厚度提高了一个数量级，改善了电极间的电场均匀性，增大了极间的有效电场，提高了传感器件的响应探测效率。
具体实施方式四：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的区别在于，所述的封装屏蔽壳3由一个底面和四个侧面构成，所述底面和四个侧面围成立方体空间，四个侧面的开口侧与陶瓷电路板2的上表面固定连接。
本实施方式中的封装屏蔽壳3为底面为正方形的箱体结构，该封装屏蔽壳3与陶瓷电路板2固定连接后，使得电光聚合物薄膜传感器件1位于一个相对密闭的空间中，使其与外部隔离进而实现屏蔽。
Claims (4)
1.一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，它包括共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)、陶瓷电路板(2)和封装屏蔽壳(3)，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)为正方形薄板，陶瓷电路板(2)的下表面中心位置开设有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的边长小于共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的边长，陶瓷电路板(2)的上表面中心位置开有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽为正方形、且其边长与共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的边长相等，所述薄膜固定槽的底部与正方形的凹槽的顶部连通，共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)嵌入固定在薄膜固定槽内，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)与陶瓷电路板(2)的连接处通过硅化铝焊接固定，封装屏蔽壳(3)固定在陶瓷电路板(2)中心的正上方、且覆盖共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端位于封装屏蔽壳(3)的内侧，所述封装屏蔽壳(3)设置有石英窗口，所述石英窗口位于共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的正上方。
2.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，所述的陶瓷电路板(2)上设有两个焊盘(4)，所述两个焊盘(4)均位于封装屏蔽壳(3)的外侧，且所述两个焊盘(4)分别通过覆铜线与共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，所述的共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)采用微观插指结构，所述微观插指结构的两个电极输出端即为共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端。
4.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，所述的封装屏蔽壳(3)由一个底面和四个侧面构成，所述底面和四个侧面围成立方体空间，四个侧面的开口侧与陶瓷电路板(2)的上表面固定连接。
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| CN 201320286687 CN203225272U (zh) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | 一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111584434A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-25 | 中国人民解放军国防科技大学 | 兆瓦级光导半导体器件及电极连接与绝缘封装方法 |
| CN112787203A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-05-11 | 中国人民解放军空军工程大学 | 一种透射型硅基电可调太赫兹动态器件及其制备方法 |
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2013
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| CN111584434B (zh) * | 2020-05-25 | 2021-08-24 | 中国人民解放军国防科技大学 | 兆瓦级光导半导体器件及电极连接与绝缘封装方法 |
| CN112787203A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-05-11 | 中国人民解放军空军工程大学 | 一种透射型硅基电可调太赫兹动态器件及其制备方法 |
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