CN203205423U - 一种vdmos场效应晶体管优化结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于包括：第一金属电极，该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极；N型衬底层，设置于所述第一金属电极上；N型外延层，设置于所述N型衬底层上；第一、二P型体硅，该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内，第一终端截止环，嵌设在所述第一P型体硅内；第二终端截止环，嵌设在所述第二P型体硅内；多晶栅，设置于所述N型外延层上方；第二金属电极；第三金属电极；以及一绝缘层，覆盖在所述N型外延层上，且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。本实用新型通过改进VDMOS场效应晶体管的结构以及精确控制结构参数实现该VDMOS场效应晶体管具有低导通电阻，能有效提高漏源之间的击穿电压。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构。
背景技术
半导体技术的飞速发展，产生了VDMOS场效应晶体管功率器件，它具有输入阻抗高、开关速度快、稳定性好等特点，因此，在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视。然而，为了减小器件本身的功率损耗和提高开关速度，希望器件的导通电阻越小越好，而VDMOS场效应晶体管的导通电阻基本是由VDMOS场效应晶体管结构决定，因此，设计一种具有低导通电阻的VDMOS场效应晶体管结构是非常必要的。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种VDMOS场效应晶体管优化结构，具有低导通电阻。
本实用新型采用以下方案实现：一种VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于包括：
第一金属电极，该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极；
N型衬底层，设置于所述第一金属电极上；
N型外延层，设置于所述N型衬底层上；
第一、二P型体硅，该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内，
第一终端截止环，嵌设在所述第一P型体硅内；
第二终端截止环，嵌设在所述第二P型体硅内；
多晶栅，设置于所述N型外延层上方；
第二金属电极，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第二金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的一侧；
第三金属电极，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第三金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的另一侧；以及绝缘层，覆盖在所述N型外延层上，且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。
在本实用新型一实施例中，所述的N型外延层的厚度范围是50um~60um。
在本实用新型一实施例中，所述的N型外延层的厚度为50um。
本实用新型通过改进VDMOS场效应晶体管的结构以及精确控制结构参数实现该VDMOS场效应晶体管具有低导通电阻，能有效提高漏源之间的击穿电压。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。
如图1所示，本实施例提供一种VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于包括：第一金属电极1，该第一金属电极1作为该VDMOS场效应晶体管的漏极；N型衬底层2，设置于所述第一金属电极1上；N型外延层3，设置于所述N型衬底层2上；第一、二P型体硅4、9，该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层3内，第一终端截止环8，嵌设在所述第一P型体硅内4；第二终端截止环7，嵌设在所述第二P型体硅内9；多晶栅11，设置于所述N型外延层3上方；第二金属电极5，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第二金属电极5设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的一侧；第三金属电极6，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第三金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的另一侧；以及一绝缘层10，覆盖在所述N型外延层上，且包覆所述的多晶栅11、第二、三金属电极5、6。
本实施例中，所述的N型外延层的厚度范围是50um-60um。较佳的可以是50um。本实用新型结构采用两个P型体硅加截止环复合终端结构，充分考虑外延反扩散，提高了击穿电压，减小了泄露电流。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
Claims (3)
1.一种VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于包括：
第一金属电极，该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极；
N型衬底层，设置于所述第一金属电极上；
N型外延层，设置于所述N型衬底层上；
第一、二P型体硅，该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内，
第一终端截止环，嵌设在所述第一P型体硅内；
第二终端截止环，嵌设在所述第二P型体硅内；
多晶栅，设置于所述N型外延层上方；
第二金属电极，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第二金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的一侧；
第三金属电极，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第三金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的另一侧；以及绝缘层，覆盖在所述N型外延层上，且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。
2.根据权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于：所述的N型外延层的厚度范围是50um-60um。
3.根据权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于：所述的N型外延层的厚度为50um。
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| CN 201320120487 CN203205423U (zh) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 一种vdmos场效应晶体管优化结构 |
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| CN (1) | CN203205423U (zh) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN111952184A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法 |
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2013
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| CN111952184A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法 |
| CN111952184B (zh) * | 2020-08-21 | 2024-04-12 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法 |
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