CN203187778U - 用于低压外延设备的进气口插件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于低压外延设备的进气口插件成对安装于低压外延设备进气口处，使出气侧形成圆弧面，其中：所述进气口插件为一侧面为内凹弧面的长方体；所述进气口插件中间具有一隔离壁G，将所述进气口插件分成内侧出气口H和外侧出气口I；所述内侧出气口为一全敞开式通孔，位于所述隔离壁靠近底面B的一侧；所述外侧出气口为多个导流通孔K组成，位于所述隔离壁靠近顶面A的一侧，所述导流通孔K间距自底面B向顶面A的方向逐渐增大。本实用新型在气流的出气口侧的上部分，形成一具有导流通孔的石英壁，这样气流在到达外侧口的出口侧时被石英壁阻挡，只能通过有限的小孔流入设备腔体内，使晶圆整体的掺杂均匀性提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于低压外延设备反应气体进气口处的进气口插件。
背景技术
低压外延设备运用化学气象沉积的原理，在晶圆表面生长出一层单晶硅，参加反应的气体有二氯二氢硅，氯化氢，硼烷或磷烷等。其中二氯二氢硅主要用于单晶硅成长，硼烷或磷烷用于在生成的单晶硅中掺杂，调整其电阻率。
目前使用的低压外延设备，在实际的工艺工程中，在外延层生长过程时，晶圆是旋转的，因为反应过程中消耗反应气体比较快，气体浓度快速递减，晶圆左侧的气体浓度比晶圆中心高很多。结果会发现晶圆（wafer）面内的掺杂均匀性不佳，特别是在晶圆的正中心位置，掺杂浓度不够。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于低压外延设备的进气口插件使反应气体的气流在晶圆中心位置得到增加，达到增加晶圆中心位置的掺杂浓度的目的。
为解决上述技术问题，本实用新型的用于低压外延设备的进气口插件成对安装于低压外延设备进气口处，使出气侧形成圆弧面，其中：所述进气口插件为一侧面为内凹弧面的长方体，其第一侧面C与顶面A和底面B垂直并且与第二侧面D的相对，第三侧面E和第四侧面F相对并且与第一侧面C和第二侧面D垂直；
所述进气口插件中间具有一隔离壁G，将所述进气口插件分成内侧出气口H和外侧出气口I；
所述内侧出气口为一全敞开式通孔，位于所述隔离壁靠近底面B的一侧；
所述外侧出气口为多个导流通孔K组成，位于所述隔离壁靠近顶面A的一侧，所述导流通孔K间距自底面B向顶面A的方向逐渐增大。
其中，所述进气口插件为石英材质。
其中，所述进气口插件长a为130mm±5mm，厚b为17mm±1mm，顶面A的长c为100mm±10mm,底面B的长d为40mm±5mm。
其中，所述内侧出气口的长e为55mm±10mm，宽f为7mm±5mm。
其中，所述外侧出气口的导流通孔K为3至5个。
其中，所述外侧出气口的导流通孔K直径g为8mm±5mm，导流通孔间距比为1：2：3：4：5，第一个导流通孔和最后一个导流通孔分别位于所述外侧出气口的两端，所述第一个导流通孔和最后一个导流通孔孔中心与所述外侧出气口端点距离h为9mm±5mm。
本实用新型的外延设备进气口插件，在气流的出气口侧的上部分（外侧口），形成一具有导流通孔的石英壁，这样气流在到达外侧口的出口侧时被石英壁阻挡，只能通过有限的小孔流入设备腔体内，气流在y轴方向上（图4所示），晶圆中心位置的气体浓度更高，气流更密集。在晶圆旋转的作用下，使晶圆整体的掺杂均匀性提高。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本实用新型的示意图一，显示本实用新型自底面B向顶面A所示情况。
图2是本实用新型的示意图二，显示本实用新型第三侧面E所示情况。
图3是本实用新型的示意图三，显示本实用新型第一侧面C所示情况。
图4是本实用新型的气流示意图，显示本实用新型使用时在刚离开出口侧y轴方向中间气体集中度更高。
图5是本实用新型在低压外延设备的安装位置示意图。
附图标记说明
顶面A
底面B
第一侧面C
第二侧面D
第三侧面E
隔离壁G
内侧出气口H
外侧出气口I
导流通孔K
进气口插件长a
进气口插件厚b
顶面的长c
底面的长d
内侧出气口长e
内侧出气口宽f
导流通孔直径g
外侧出气口端点距离h
晶圆W
轴x、y
本实用新型在低压外延设备的安装位置O
具体实施方式
如图1至图3所示，本实用新型的用于低压外延设备的进气口插件成对安装于低压外延设备进气口处，使出气侧形成圆弧面，其中：所述进气口插件为一侧面为内凹弧面的长方体，其第一侧面C与顶面A和底面B垂直并且与第二侧面D的相对，第三侧面E和第四侧面F相对并且与第一侧面C和第二侧面D垂直；所述进气口插件中间具有一隔离壁G，将所述进气口插件分成内侧出气口H和外侧出气口I；所述内侧出气口为一全敞开式通孔，位于所述隔离壁靠近底面B的一侧；所述外侧出气口为多个导流通孔K组成，位于所述隔离壁靠近顶面A的一侧，所述导流通孔K间距自底面B向顶面A的方向逐渐增大；所述进气口插件为石英材质，其中，所述进气口插件长a为130mm±5mm，厚b为17mm±1mm，顶面A的长c为100mm±10mm,底面B的长d为40mm±5mm，所述内侧出气口的长e为55mm±10mm，宽f为7mm±5mm，所述外侧出气口的导流通孔K可为3至5个,图3中所示为4个所述外侧出气口的导流通孔K直径g为8mm±5mm，导流通孔间距比为1：2：3：4，第一个导流通孔和最后一个导流通孔分别位于所述外侧出气口的两端，所述第一个导流通孔和最后一个导流通孔孔中心与所述外侧出气口端点距离h为9mm±5mm。
以上通过具体实施方式和实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种用于低压外延设备的进气口插件，成对安装于低压外延设备进气口处，使出气侧形成圆弧面，其特征在于：所述进气口插件是一侧面为内凹弧面的长方体，其第一侧面（C）与顶面（A）和底面（B）垂直并且与第二侧面（D）的相对，第三侧面（E）和第四侧面（F）相对并且与第一侧面（C）和第二侧面（D）垂直；
所述进气口插件中间具有一隔离壁（G），将所述进气口插件分成内侧出气口（H）和外侧出气口（I）；
所述内侧出气口为一全敞开式通孔，位于所述隔离壁靠近底面（B）的一侧；
所述外侧出气口为多个导流通孔（K）组成，位于所述隔离壁靠近顶面（A）的一侧，所述导流通孔间距自底面（B）向顶面（A）的方向逐渐增大。
2.如权利要求1所述的低压外延设备的进气口插件，其特征在于：所述进气口插件为石英材质。
3.如权利要求2所述的低压外延设备的进气口插件，其特征在于：所述进气口插件长（a）为130mm±5mm，厚（b）为17mm±1mm，顶面（A）的长（c）为100mm±10mm,底面（B）的长（d）为40mm±5mm。
4.如权利要求3所述的低压外延设备的进气口插件，其特征在于：所述内侧出气口的长（e）为55mm±10mm，宽（f）为7mm±5mm。
5.如权利要求4所述的低压外延设备的进气口插件，其特征在于：所述外侧出气口的导流通孔（K）为3至5个。
6.如权利要求5所述的低压外延设备的进气口插件，其特征在于：所述外侧出气口的导流通孔（K）直径（g）为8mm±5mm，导流通孔间距比为1：2：3：4：5，第一个导流通孔和最后一个导流通孔分别位于所述外侧出气口的两端，所述第一个导流通孔和最后一个导流通孔孔中心与所述外侧出气口端点距离（h）为9mm±5mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320129063 CN203187778U (zh) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 用于低压外延设备的进气口插件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320129063 CN203187778U (zh) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 用于低压外延设备的进气口插件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN203187778U true CN203187778U (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=49104652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201320129063 Expired - Fee Related CN203187778U (zh) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 用于低压外延设备的进气口插件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203187778U (zh) |
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2013
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
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| COR | Change of bibliographic data |
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|
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