CN203120290U - 陶瓷覆铜板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种陶瓷覆铜板，包括有一陶瓷基板，该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层，该钛层附着于陶瓷基板上，该镍层附着于钛层上，该铜层附着于镍层上，所述铜层上还电镀有一铜加厚层。该陶瓷覆铜板的制备方法，包括清洗、等离子体处理、真空溅镀、加厚镀铜等步骤，该钛层与陶瓷基板之间具有较好的附着力，该镍层与钛层及铜层之间具有很好的附着力，如此能够使得铜层与陶瓷基板的连接更加稳固以便后续加工；采用本实用新型的陶瓷覆铜板，客户可以根据不同电路需求进行不同的电路设计，只需多加一道刻蚀工艺即可得到所要的陶瓷电路板；满足了客户对不同电路设计的电路板需求，从而有利于大批量生产，降低产品成本，提高产品市场竞争力。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路板及其制备方法领域技术，尤其是指一种氧化铝或氮化铝陶瓷覆铜板。
背景技术
陶瓷材料具有高的导热系数、低的介电常数、与芯片相近的热膨胀系数、高耐热及电绝缘性等特点，陶瓷材料已广泛应用电子产品及电子设备中。现有技术中，多采用在陶瓷基板上如下工艺：清洗——真空溅镀——化学沉铜——电路布线——贴干膜、曝光、显影——电镀铜加厚——化学刻蚀等工艺制成陶瓷电路板，现有技术中，在真空溅镀过程中，先溅射一层钛层后溅射一铜层，然而在实际应用中，由于钛金属特别容易钝化，而溅射镀铜层不够致密,在后续加工过程中药水浸泡时，难以确保钛层不被氧化、钝化。因此加厚镀铜层与钛层之间的附着力比较难以保证，容易出现抗剥离强度达不到要求。另外，金属钛的导热系数是15.24W/m·K，低于氧化铝陶瓷的导热系数24-28 W/m·K，更低于氮化铝陶瓷的导热系数170-230 W/m·K，这在一定程度上成为导热系数提高的瓶颈因素。而金属镍的导热系数为90.7 W/m·K。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种陶瓷覆铜板及其制备方法，所制得的陶瓷覆铜板具有优良的导电性且易于加工生产。
为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：一种陶瓷覆铜板，包括有一陶瓷基板，该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层，该钛层附着于陶瓷基板上，该镍层附着于钛层上，该铜层附着于镍层上。
作为一种优选方案，所述钛层的厚度为30~100纳米，所述镍层的厚度为30~100纳米，所述铜层的厚度为50~150纳米。
作为一种优选方案，所述铜层上还电镀有一铜加厚层。
作为一种优选方案，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
通过在陶瓷基板上依次设置有钛层、镍层以及铜层，该钛层与陶瓷基板之间具有较好的附着力，该镍层与钛层及铜层之间具有很好的附着力，如此能够使得铜层与陶瓷基板的连接更加稳固以便后续加工，如刻蚀等工艺。
通过在陶瓷基板上依次溅镀钛层、镍层以及铜层后，在铜层上先通过化学沉铜的方式沉积一层薄铜，然后再继续电镀一铜加厚层，客户可以根据不同电路需求进行不同的电路设计，只需多加一道刻蚀的工艺即可得到所要的陶瓷电路板；通过本实用新型的设计，满足了客户对不同电路的电路板需求，从而有利于大批量生产，降低产品成本，提高市场竞争力。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明：
附图说明
图1是本实用新型之较佳实施例的工艺流程图；
图2是本实用新型之较佳实施例的陶瓷覆铜板截面图；
图3是本实用新型之较佳实施例的陶瓷电路板截面图。
附图标识说明：
10、陶瓷基板
20、铜层
30、钛层
40、镍层
50、铜加厚层。
具体实施方式
请参照图2所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，：一种陶瓷覆铜板，包括有一陶瓷基板10，该陶瓷基板20上依次设置钛层20、镍层30以及铜层40，该钛层20附着于陶瓷基板10上，该镍层30附着于钛层20上，该铜层40附着于镍层30上；所述钛层20的厚度为30~100纳米，所述镍层30的厚度为30~100纳米，所述铜层40的厚度为50~150纳米；所述铜层40上还电镀有一铜加厚层50。
如图1所示，一种陶瓷覆铜板及其电路板的制备方法，包括以下步骤：
（1）清洗：对陶瓷基板10用酒精进行清洗，然后在200℃下烘烤60分钟，去除陶瓷基板表面的杂质和污渍；
（2）等离子体处理：对清洗后的陶瓷基板10表面进行等离子体蚀刻处理；
（3）真空溅镀：以真空溅镀方式在离子源蚀刻后的陶瓷基板表面依序溅射一钛层20、一镍层30以及一铜层40，所述钛层20的厚度为30~100纳米，所述镍层30的厚度为30~100纳米；该铜层40的厚度为50~150纳米；
（4）电镀加厚：在铜层40上先通过化学沉铜的方式沉积一层薄铜，然后再继续电镀一铜加厚层50，形成0.5OZ、1OZ、2OZ、3OZ等各种标准规格铜厚以及其他非标准规格铜厚的陶瓷覆铜板；
（5）线路制作：在陶瓷覆铜板上贴干膜或者印刷湿膜，然后利用菲林覆于陶瓷基板的表面上进行曝光、显影处理，以获得电路图案；
（6）化学蚀刻：采用化学蚀刻方式去除陶瓷基板表面除留下做导电电路导体60以外的钛层、镍层、铜层以及铜加厚层，以获得陶瓷电路板，如图3所示。
由上述制备方法，本实用新型人做了大量相关实验，并采用测得相关产品的导热系数及附着力；
导热系数的测试方法及条件：采用ASTM-D5470对所制得的陶瓷电路板进行测试。
附着力测试方法及条件：采用ICP-TM-650 2.4.8 对所制得的陶瓷电路板进行测试。
一、以导热系数为24W/m·K的96%氧化铝陶瓷基板为例，具体数据如下：
由上述实施例所制得的96%氧化铝陶瓷电路板的性能测试如下表：
以导热系数为170W/m·K的氮化铝陶瓷基板为例，具体数据如下：
由上述实施例所制得的氮化铝陶瓷电路板的性能测试如下表：
由上述实验证明：以钛-镍复合镀层取代现有技术中的单一钛层,在总体厚度保持不变的情况下,可以提高产品的总体导热系数及附着力。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (4)
1.一种陶瓷覆铜板，其特征在于：包括有一陶瓷基板，该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层，该钛层附着于陶瓷基板上，该镍层附着于钛层上，该铜层附着于镍层上。
2.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜板，其特征在于：所述钛层的厚度为30~100纳米，所述镍层的厚度为30~100纳米，所述铜层的厚度为50~150纳米。
3.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜板，其特征在于：所述铜层上还电镀有一铜加厚层。
4.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜板，其特征在于：所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。
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| CN 201320062611 CN203120290U (zh) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 陶瓷覆铜板 |
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2013
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