CN203049035U - 提升pecvd镀膜均匀性的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域,具体涉及一种提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔、射频电极和进气系统,还包括设置于沉积腔下方的真空系统,沉积腔为管式真空腔体,进气系统采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。本实用新型的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气,出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式,通过对喷气管的设计,既提升了薄膜的性能,还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池的生产技术领域,具体涉及提升一种PECVD镀膜均匀性的装置。
背景技术
太阳能电池作为一种可以将太阳辐射能直接转化为电能的器件,已经得到人们的认可和关注,并在世界范围内迅速推广和应用。
在晶体硅太阳能电池的生产过程中,需要在电池表面制作能够减少光在硅片表面反射率的减反射膜,可以显著提高晶体硅太阳能电池的转化效率。目前的晶体硅太阳能电池生产中制作减反射膜的设备一般采用管式PECVD镀膜设备,在制作减反射膜的过程中,工艺气体均采用沉积腔一端进气,另一端抽气的输送方式。这样,当工艺气体由进气端运动到抽气端时,成分发生变化,浓度也随之下降,影响沉积效果。主要表现为:一、薄膜的厚度均匀性差;二、薄膜的折射率会随气流的方向呈递减趋势。这样在一定程度上增加了电池不良品的产生几率,同时增大了太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间。目前,其改善方案是提供足够多的反应气体以保证薄膜的性能,这样势必造成了气体的浪费。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述存在的缺陷而提供一种提升PECVD镀膜均匀性的装置。本实用新型的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气,出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式,通过对喷气管的设计,既提升了薄膜的性能,还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。
本实用新型的提升PECVD镀膜均匀性的装置技术方案为,包括沉积腔、射频电极和进气系统,还包括设置于沉积腔下方的真空系统,沉积腔为管式真空腔体,进气系统采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。
喷气管一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管上设置有均匀分布的出气孔。
喷气管设置有一个以上。
出气孔为1-5行,且每一行的数量为2个以上。
所述的喷气管为圆柱、半圆柱或者长方体。
所述的出气孔的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。
所述的出气孔平行或者交叉排列。
本实用新型的有益效果为:本实用新型的一种用于提升PECVD设备的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气,出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式,喷气管一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管上设置有均匀分布的出气孔。
这样对设备进行改进,保证了沉积腔内气场的均匀性、稳定性,不仅提升了薄膜厚度的均匀性,还有效的改善了薄膜折射率的一致性,使太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间相对集中,同时减少了不良片的产生几率;另外,本沉积方法有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率
附图说明:
图1所示为本实用新型的结构示意图;
图2所示为现有技术的结构示意图;
图3所示为本实用新型实施例1的进气管局部结构示意图;
图4所示为本实用新型实施例2的进气管局部结构示意图;
图5所示为本实用新型实施例3的进气管局部结构示意图。
图中,1.沉积腔,2.进气系统,3. 真空系统,4.射频电极,5.石墨舟,6.电源系统,7喷气管,8.出气孔。
具体实施方式:
为了更好地理解本实用新型,下面结合附图来详细说明本实用新型的技术方案,但是本实用新型并不局限于此。
本实用新型的提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2,还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3,沉积腔1为管式真空腔体,进气系统2采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。沉积腔1内设有石墨舟5,射频电极4连接电源系统6。
喷气管7一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
喷气管7设置有一个以上。
出气孔8为1-5行,且每一行的数量为2个以上。
所述的喷气管7为圆柱、半圆柱或者长方体。
所述的出气孔8的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。
所述的出气孔8平行或者交叉排列。
实施例1
提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2,还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3,沉积腔1为管式真空腔体,进气系统2采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。
喷气管7一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
如图3,喷气管7为半圆柱形体,喷气管7上设置有出气孔8的长度为160cm,并设置有5排排气孔,排气孔形状为椭圆形,出气孔8排与排之间平行。
实施例2
提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2,还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3,沉积腔1为管式真空腔体,进气系统2采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。
喷气管7一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
如图4,喷气管7为方形体,喷气管7上设置有出气孔8的长度为120cm,并设置有3排出气孔8,出气孔8形状为正方形,出气孔8排与排之间交叉。
实施例3
提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2,还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3,沉积腔1为管式真空腔体,进气系统2采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。
喷气管7一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
如图5,喷气管7为半圆柱形体,喷气管7上设置有出气孔2的长度为80cm,并设置有1排出气孔8,出气孔8形状为圆形。
Claims (7)
1. 一种提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔、射频电极和进气系统,其特征在于,还包括设置于沉积腔下方的真空系统,沉积腔为管式真空腔体,进气系统采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。
2. 根据权利要求1所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置,其特征在于,喷气管一端连接进气装置,另一端为封闭端,喷气管上设置有均匀分布的出气孔。
3. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置,其特征在于,喷气管设置有一个以上。
4. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置,其特征在于,出气孔为1-5行,且每一行的数量为2个以上。
5. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置,其特征在于,所述的喷气管为圆柱、半圆柱或者长方体。
6. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置,其特征在于,所述的出气孔的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。
7. 根据权利要求4所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置,其特征在于,所述的出气孔平行或者交叉排列。
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