CN203049035U - 提升pecvd镀膜均匀性的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域，具体涉及一种提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气系统，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。本实用新型的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，通过对喷气管的设计，既提升了薄膜的性能，还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池的生产技术领域，具体涉及提升一种PECVD镀膜均匀性的装置。
背景技术
太阳能电池作为一种可以将太阳辐射能直接转化为电能的器件，已经得到人们的认可和关注，并在世界范围内迅速推广和应用。
在晶体硅太阳能电池的生产过程中，需要在电池表面制作能够减少光在硅片表面反射率的减反射膜，可以显著提高晶体硅太阳能电池的转化效率。目前的晶体硅太阳能电池生产中制作减反射膜的设备一般采用管式PECVD镀膜设备，在制作减反射膜的过程中，工艺气体均采用沉积腔一端进气，另一端抽气的输送方式。这样，当工艺气体由进气端运动到抽气端时，成分发生变化，浓度也随之下降，影响沉积效果。主要表现为：一、薄膜的厚度均匀性差；二、薄膜的折射率会随气流的方向呈递减趋势。这样在一定程度上增加了电池不良品的产生几率，同时增大了太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间。目前，其改善方案是提供足够多的反应气体以保证薄膜的性能，这样势必造成了气体的浪费。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述存在的缺陷而提供一种提升PECVD镀膜均匀性的装置。本实用新型的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，通过对喷气管的设计，既提升了薄膜的性能，还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。
本实用新型的提升PECVD镀膜均匀性的装置技术方案为，包括沉积腔、射频电极和进气系统，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。
喷气管一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管上设置有均匀分布的出气孔。
喷气管设置有一个以上。
出气孔为1-5行，且每一行的数量为2个以上。
所述的喷气管为圆柱、半圆柱或者长方体。
所述的出气孔的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。
所述的出气孔平行或者交叉排列。
本实用新型的有益效果为：本实用新型的一种用于提升PECVD设备的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，喷气管一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管上设置有均匀分布的出气孔。
这样对设备进行改进，保证了沉积腔内气场的均匀性、稳定性，不仅提升了薄膜厚度的均匀性，还有效的改善了薄膜折射率的一致性，使太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间相对集中，同时减少了不良片的产生几率；另外，本沉积方法有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率
附图说明：
图1所示为本实用新型的结构示意图；
图2所示为现有技术的结构示意图；
图3所示为本实用新型实施例1的进气管局部结构示意图；
图4所示为本实用新型实施例2的进气管局部结构示意图；
图5所示为本实用新型实施例3的进气管局部结构示意图。
图中，1.沉积腔，2.进气系统，3. 真空系统，4.射频电极，5.石墨舟，6.电源系统，7喷气管，8.出气孔。
具体实施方式：
为了更好地理解本实用新型，下面结合附图来详细说明本实用新型的技术方案，但是本实用新型并不局限于此。
本实用新型的提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2，还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3，沉积腔1为管式真空腔体，进气系统2采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。沉积腔1内设有石墨舟5，射频电极4连接电源系统6。
喷气管7一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
喷气管7设置有一个以上。
出气孔8为1-5行，且每一行的数量为2个以上。
所述的喷气管7为圆柱、半圆柱或者长方体。
所述的出气孔8的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。
所述的出气孔8平行或者交叉排列。
实施例1
提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2，还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3，沉积腔1为管式真空腔体，进气系统2采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。
喷气管7一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
如图3，喷气管7为半圆柱形体，喷气管7上设置有出气孔8的长度为160cm，并设置有5排排气孔，排气孔形状为椭圆形，出气孔8排与排之间平行。
实施例2
提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2，还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3，沉积腔1为管式真空腔体，进气系统2采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。
喷气管7一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
如图4，喷气管7为方形体，喷气管7上设置有出气孔8的长度为120cm，并设置有3排出气孔8，出气孔8形状为正方形，出气孔8排与排之间交叉。
实施例3
提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔1、射频电极4和进气系统2，还包括设置于沉积腔1下方的真空系统3，沉积腔1为管式真空腔体，进气系统2采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔1一侧的进气装置和位于沉积腔1内部上方的喷气管7。
喷气管7一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管7上设置有均匀分布的出气孔8。
如图5，喷气管7为半圆柱形体，喷气管7上设置有出气孔2的长度为80cm，并设置有1排出气孔8，出气孔8形状为圆形。
Claims (7)
1. 一种提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气系统，其特征在于，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置和位于沉积腔内部上方的喷气管。
2. 根据权利要求1所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，喷气管一端连接进气装置，另一端为封闭端，喷气管上设置有均匀分布的出气孔。
3. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，喷气管设置有一个以上。
4. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，出气孔为1-5行，且每一行的数量为2个以上。
5. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，所述的喷气管为圆柱、半圆柱或者长方体。
6. 根据权利要求2所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，所述的出气孔的形状为圆形、椭圆形、方形等任意形状。
7. 根据权利要求4所述的提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，所述的出气孔平行或者交叉排列。
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| CN 201220665837 CN203049035U (zh) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | 提升pecvd镀膜均匀性的装置 |
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| CN104419909A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 茂迪(苏州)新能源有限公司 | 一种镀膜炉管 |
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| CN104419909B (zh) * | 2013-08-27 | 2016-12-28 | 茂迪(苏州)新能源有限公司 | 一种镀膜炉管 |
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