CN203011566U - 一种阵列温度传感器 - Google Patents
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Abstract
一般来说，这种温度传感器只适用于恒定温度的环境的温度测试，如果出现了温度梯度的分布的场合，采用现有的温度传感器则很难测出温度的分布。本实用新型提供一种阵列温度传感器，包括底电极、顶电极、温敏材料层，其中，底电极、温敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，温敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且底电极、顶电极构成交叉结构。本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知温度的大小，可以探测出不均匀温度的分布。
Description
(一)技术领域
本实用新型涉及温度传感器领域，尤其是涉及到一种阵列温度传感器。
(二)背景技术
温度传感器就是探测温度的传感器，利用材料的物理性质在温度的作用下发生变化的现象而制备。常见的温度传感器即采用金属制成，例如，铂温度传感器，其优势在于，线性度好，测量温度范围宽。但是，一般来说，这种温度传感器只适用于恒定温度的环境的温度测试，如果出现了温度梯度的分布的场合，采用现有的温度传感器则很难测出温度的分布。
(三)发明内容
本实用新型提供一种阵列温度传感器，采用阵列的方式制备，可以用于探测温度的分布，适合有温度梯度的场合的测试。本实用新型所采取的技术方案为，一种阵列温度传感器，包括底电极、顶电极、温敏材料层，其中，底电极、温敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，温敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且底电极、顶电极构成交叉结构；底电极、顶电极由导电材料构成，温敏材料层为金属铂。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知温度的大小，可以探测出不均匀温度的分布。
(四)附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1底电极、2顶电极、3温敏材料层。
(五)具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图，底电极1、顶电极2、温敏材料层3，其中，底电极1、温敏材料层3、顶电极2为均匀分布的阵列；底电极1为第一层，温敏材料层3为第二层，顶电极2为第三层，且底电极1、顶电极2构成交叉结构；底电极1、顶电极2由导电材料构成，温敏材料层3为金属铂。本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知温度的大小，可以探测出不均匀温度的分布。
Claims (2)
1.一种阵列温度传感器，包括底电极、顶电极、温敏材料层，其特征在于：
所述的底电极、温敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；
所述的底电极为第一层，温敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且底电极、顶电极构成交叉结构。
2.根据权利要求1所述的一种阵列温度传感器，其特征在于：所述的底电极、顶电极由导电材料构成，温敏材料层为金属铂。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN 201220650518 CN203011566U (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 一种阵列温度传感器 |
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|---|---|
| CN (1) | CN203011566U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104990641A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-10-21 | 中国矿业大学 | 一种二维平面温度场测试传感元件及其制作方法 |
| CN105115413A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-12-02 | 中国矿业大学 | 一种模量匹配的二维平面应变场测试传感元件及其制作方法 |
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2012
- 2012-11-20 CN CN 201220650518 patent/CN203011566U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| CN105115413A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-12-02 | 中国矿业大学 | 一种模量匹配的二维平面应变场测试传感元件及其制作方法 |
| CN105115413B (zh) * | 2015-07-07 | 2018-06-05 | 浙江工商大学 | 一种模量匹配的二维平面应变场测试传感元件及其制作方法 |
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Granted publication date: 20130619 Termination date: 20131120 |