CN202979183U - 串行Flash电路及具有串行Flash电路的机顶盒 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有串行Flash电路的机顶盒,包括主芯片和Flash芯片,所述Flash芯片包括数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚,所述数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚通过数据线与主芯片对应的管脚连接。与现有使用并行Flash电路的机顶盒相比,本实用新型中的机顶盒的串行Flash电路大大减少了PCB版图的面积和布线复杂度,实现了电路的简洁化,有利于产品的升级。
Description
技术领域
本实用新型属于机顶盒电路技术领域,具体涉及机顶盒内部flash电路部分。
背景技术
由于Flash电路具有强大的数据读写功能,在电子电路中起到非常关键的作用。因此市面上安全级别较高的机顶盒多采用Flash电路进行数据的读写。但现有机顶盒中的Flash电路采用并行Flash。并行Flash包含48个管脚,其中42个管脚用于与电路中的信号线连接,因此封装并行Flash的pcb占用面积较大,且布线复杂,不利于产品的升级。
因此有必要提供一种在不影响电路性能的情况下,优化Flash电路的串行Flash电路,使机顶盒内部电路布局简洁化。
实用新型内容
本实用新型实施例为解决现有机顶盒中并行Flash电路的pcb占用面积大、布线复杂的问题,提供一种优化的Flash电路,从而使机顶盒内部电路简洁,利于产品的升级。
根据本实用新型的实施例,提供一种串行Flash电路,包括主芯片和Flash芯片,所述Flash芯片包括数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚,所述数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚通过数据线与主芯片对应的管脚连接。
其中,所述Flash芯片的工作电压为3.3V,存储容量为8M。
所述Flash芯片为25系列SPI FLASH芯片MX25L6455E。
所述Flash芯片为单I/O工作模式。
所述Flash芯片在读模式下工作频率为16.9MHz。
根据本实用新型的实施例,还提供了一种具有串行Flash电路的机顶盒,包括主芯片和Flash芯片,其特征在于,所述Flash芯片包括数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚,所述数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚通过数据线与主芯片对应的管脚连接。
其中,所述Flash芯片的工作电压为3.3V,存储容量为8M。
所述Flash芯片为25系列SPI FLASH芯片MX25L6455E。
所述Flash芯片为单I/O工作模式。
所述Flash芯片在读模式下工作频率为16.9MHz。
由以上技术方案可知,本实用新型中串行Flash电路的Flash芯片设置有与主芯片的地址管脚连接的数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚。主芯片通过五根数据线与上述Flash芯片中的五个管脚连接就可实现对Flash芯片的读写(输出/输入)操作。与现有的并行Flash电路中Flash芯片与主芯片需42根信号线连接相比,本实用新型大大减少了PCB版图的面积和布线复杂度,实现电路的简洁化,有利于产品的升级。
附图说明
图1为实施例1中串行Flash电路的电路连接示意图;
图2为实施例1中Flash芯片的读写时序图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下参照附图并列举实施例,对本实用新型进一步详细说明。
实施例1:
根据本实用新型的实施例提供了一种串行Flash电路。图1示出了串行Flash电路的电路图。如图1所示,串行Flash电路包括主芯片1和Flash芯片2。本实施例中Flash芯片2采用型号为MX25L6455E的SPI FLASH芯片2。Flash芯片2在读模式时工作频率为16.9MHz,存储容量为8M。MX25L6455E芯片的工作模式为单I/O工作模式。Flash芯片2包括24个管脚,其中,数据输入管脚(SI/SI00)、数据输出管脚(SO/SI01)、时钟管脚(SCLK)、写保护管脚(WP/SI02)和片选管脚(/CS)5个管脚分别通过数据线D2、数据线D3、串行时钟数据线B2、写保护数据线C4和片选数据线C2与主芯片1的SPIMOSI、SPIMISO、SPISCK、SPIWP、SPICSN五个管脚连接。
本实施例中的Flash芯片2的工作电压为3.3V,如图1所示,Flash芯片2的电源管脚(VCC)与3.3V电源电连接。
下面对本实施例中串行Flash电路的Flash芯片2的工作流程做详细阐述。
3.3V电源通过数据线B4与Flash芯片2的VCC管脚连接,为Flash芯片2提供工作电源。
Flash芯片2检测片选管脚(/CS)接收的电信号,若片选管脚(/CS)接收的电信号为低电平信号,则Flash芯片2可以进行读写工作;若片选管脚(/CS)接收的电信号为高电平,则Flash芯片2无响应。本实施例中的高、低电平由系统软件根据需求进行设置。
Flash芯片2检测写保护管脚(WP/SI02)接收的电信号,若写保护管脚(WP/SI02)为低电平,则Flash芯片2为写保护状态;若写保护管脚(WP/SI02)为高电平,则Flash芯片2可以读写。
当Flash芯片2可进行数据读写时,Flash芯片2根据串行时钟数据线(B2)的时序并通过数据线D2和数据线D3进行数据的输出和输入。
图2示出了Flash芯片2的读写时序图。如图2所示:
SCLK上升沿触发时,SI管脚工作,Flash芯片2进行数据输入(写操作);SCLK下降沿触发时,SO管脚工作,Flash芯片2进行数据输出(读操作)。
实施例2:
结合图1和图2,具有串行Flash电路的机顶盒,串行Flash电路包括主芯片1和Flash芯片2。本实施例中Flash芯片2采用型号为MX25L6455E的SPI FLASH芯片2。Flash芯片2读模式工作频率为16.9MHz,存储容量为8M。MX25L6455E芯片的工作模式为单I/O工作模式。Flash芯片2包括24个管脚,其中,数据输入管脚(SI/SI00)、数据输出管脚(SO/SI01)、时钟管脚(SCLK)、写保护管脚(WP/SI02)和片选管脚(/CS)5个管脚分别通过数据线D2、数据线D3、串行时钟数据线B2、写保护数据线C4和片选数据线C2与主芯片1的SPIMOSI、SPIMISO、SPISCK、SPIWP、SPICSN五个管脚连接。
本实施例中的Flash芯片2的工作电压为3.3V,如图1所示,Flash芯片2的电源管脚(VCC)与3.3V电源电连接。
下面对本实施例中串行Flash电路的Flash芯片2的工作流程做详细阐述。
3.3V电源通过数据线B4与Flash芯片2的VCC管脚连接,为Flash芯片2提供工作电源。
Flash芯片2检测片选管脚(/CS)接收的电信号,若片选管脚(/CS)接收的电信号为低电平信号,则Flash芯片2可以进行读写工作;若片选管脚(/CS)接收的电信号为高电平,则Flash芯片2无响应。本实施例中的高、低电平由系统软件根据需求进行设置。
Flash芯片2检测写保护管脚(WP/SI02)接收的电信号,若写保护管脚(WP/SI02)为低电平,则Flash芯片2为写保护状态;若写保护管脚(WP/SI02)为高电平,则Flash芯片2可以读写。
当Flash芯片2可进行数据读写时,Flash芯片2根据串行时钟数据线(B2)的时序并通过数据线D2和数据线D3进行数据的输出和输入。
图2示出了Flash芯片2的读写时序图。如图2所示:
SCLK上升沿触发时,SI管脚工作,Flash芯片2进行数据输入(写操作);SCLK下降沿触发时,SO管脚工作,Flash芯片2进行数据输出(读操作)。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种串行Flash电路,包括主芯片和Flash芯片,其特征在于,所述Flash芯片包括数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚,所述数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚通过数据线与主芯片对应的管脚连接。
2.如权利要求1所述的串行Flash电路,其特征在于,所述Flash芯片的工作电压为3.3V,存储容量为8M。
3.如权利要求1或2所述的串行Flash电路,其特征在于,所述Flash芯片为25系列SPI FLASH芯片MX25L6455E。
4.如权利要求3所述的串行Flash电路,其特征在于,所述Flash芯片为单I/O工作模式。
5.如权利要求4所述的串行Flash电路,其特征在于,所述Flash芯片在读模式下工作频率为16.9MHz。
6.一种具有串行Flash电路的机顶盒,包括主芯片和Flash芯片,其特征在于,所述Flash芯片包括数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚,所述数据输入管脚、数据输出管脚、时钟管脚、写保护管脚、片选管脚通过数据线与主芯片对应的管脚连接。
7.如权利要求6所述的机顶盒,其特征在于,所述Flash芯片的工作电压为3.3V,存储容量为8M。
8.如权利要求6或7所述的机顶盒,其特征在于,所述Flash芯片为25系列SPI FLASH芯片MX25L6455E。
9.如权利要求6或7所述的机顶盒,其特征在于,所述Flash芯片为单I/O工作模式。
10.如权利要求9所述的串行Flash电路,其特征在于,所述Flash芯片在读模式下工作频率为16.9MHz。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201220444506.8U CN202979183U (zh) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | 串行Flash电路及具有串行Flash电路的机顶盒 |
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ID=48520199
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CN201220444506.8U Expired - Lifetime CN202979183U (zh) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | 串行Flash电路及具有串行Flash电路的机顶盒 |
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CN (1) | CN202979183U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105404604A (zh) * | 2015-11-04 | 2016-03-16 | 上海斐讯数据通信技术有限公司 | I2c设备的拓展方法、设备及系统 |
-
2012
- 2012-09-03 CN CN201220444506.8U patent/CN202979183U/zh not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105404604A (zh) * | 2015-11-04 | 2016-03-16 | 上海斐讯数据通信技术有限公司 | I2c设备的拓展方法、设备及系统 |
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