CN202889189U - 直流电磁干扰滤波电路 - Google Patents

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雷淮刚
朱元庆
荣志杰
李华武
颜道丹
吴伦兵
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Shanghai Rujing Automatic Control System Co ltd
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Abstract

本实用新型提供一种直流电磁干扰滤波电路,所述直流电磁干扰滤波电路至少包括:一只共模线圈,第一差模电容,第二差模电容,第一共模电容组,第二共模电容组。所述共模线圈的两个输入端分别与两个直流输入端相连,两个输出端分别与两个直流输出端相连;所述第一差模电容两端分别与两个直流输入端相连;所述第二差模电容两端分别与两个直流输出端相连;所述第一共模电容组两端分别与两个直流输入端相连;所述第二共模电容组两端分别与两个直流输出端相连。本实用新型有效的滤除了直流电源带来的电磁干扰,具有电路结构简单、控制简便、对电磁干扰抑制效果良好的优点。

Description

直流电磁干扰滤波电路
技术领域
本实用新型涉及一种电磁干扰滤波电路,特别是涉及一种直流电磁干扰滤波电路。
背景技术
在电子设备供电电源上,存在有各种各样的干扰信号。很多电子设备本身,在完成其功能同时,也产生了形形色色的电磁干扰(Electro Magnetic Interference,简称EMI),以及人为和大自然的电磁干扰。这些电磁干扰,通过传导和辐射的方式,影响着该环境里运行的电子设备。
对于具有直流环节的电力电子变换器,例如家用变频空调,直流环节连接整流电路和逆变电路,逆变器后接压缩机,使得直流回路的后级会产生非常严重的电磁干扰问题,其中包括传导骚扰电压,污染周边和电网的电磁环境,严重时会造成很多危害,为此需要采用电磁干扰抑制技术。
EMI抑制技术可以采用有源技术和无源技术,其中无源技术电路简单,设计容易,成本低廉,抑制效果良好,但是必须设计合理的电路结构和电路参数,才能达到设计目标。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种直流电磁干扰滤波电路,用于解决现有技术中直流电磁干扰抑制电路设计复杂、成本较高或对电磁干扰抑制效果不佳的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种直流电磁干扰滤波电路,所述直流电磁干扰滤波电路至少包括:一只共模线圈,第一差模电容,第二差模电容,第一共模电容组,第二共模电容组。
所述共模线圈的两个输入端分别与两个直流输入端相连,两个输出端分别与两个直流输出端相连。
所述第一差模电容两端分别与两个直流输入端相连。
所述第二差模电容两端分别与两个直流输出端相连。
所述第一共模电容组两端分别与两个直流输入端相连。
所述第二共模电容组两端分别与两个直流输出端相连。
优选地,所述第一共模电容组包括第一共模电容和第二共模电容。所述第一共模电容一端与一个直流输入端相连,另一端与第二共模电容的一端相连。第二共模电容的另一端与另一个直流输入端相连。
所述第二共模电容组包括第三共模电容和第四共模电容。所述第三共模电容一端与一个直流输出端相连,另一端与第四共模电容的一端相连。第四共模电容的另一端与另一个直流输出端相连。
优选地,所述第一共模电容和第二共模电容的公共端与保护地相连。
所述第三共模电容和第四共模电容的公共端与保护地相连。
优选地,所述共模线圈的磁芯为环形镍锌铁氧体,单边感值为1.25mH。所述第一差模电容、第二差模电容为聚丙烯电容,容值为0.47μF,耐压为1200V。
优选地,所述第一共模电容、第二共模电容、第三共模电容、第四共模电容为Y电容,容值为2.2nF,耐压为250V。
如上所述,本实用新型的直流电磁干扰滤波电路,具有以下有益效果:
本实用新型将一只共模线圈、两个共模电容组和两个差模电容并联,通过共模线圈和共模电容组对共模干扰信号进行过滤,通过差模电容对差模干扰信号进行过滤,有效的滤除了直流电源带来的电磁干扰。
本实用新型电路结构简单、控制简便、设计容易,网侧功率因数高,直流电压平稳、对电磁干扰抑制效果良好,能广泛应用在前级电路为三相整流器的电力电子变换器中。
附图说明
图1显示为本实用新型直流电磁干扰滤波电路的电路示意图。
元件标号说明
1    第一共模电容组
3    第二共模电容组
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅图1。须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用以限定本实用新型可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本实用新型可实施的范畴。
以下结合图1对本实用新型直流电磁干扰滤波电路的实施例进行详细阐述。
如图1所示,本发明提供一种直流电磁干扰滤波电路,包括共模线圈CH1、第一差模电容CX1、第二差模电容CX2、第一共模电容组1、第二共模电容组3,第一共模电容组1包括第一共模电容CY1和第二共模电容CY2,第二共模电容组3包括第三共模电容CY3和第四共模电容CY4。
共模线圈CH1的两个输入端分别与两个直流输入端DCPi、DCNi相连,两个输出端分别与两个直流输出端DCPo、DCNo相连。
第一共模电容CX1的两端分别与两个直流输入端DCPi、DCNi相连。
第二共模电容CX2的两端分别与两个直流输出端DCPo、DCNo相连。
第一共模电容组1的两端分别与两个直流输入端DCPi、DCNi相连。具体地,第一共模电容CY1一端与直流输入端DCPi相连,另一端与第二共模电容CY2的一端相连。第二共模电容CY2的另一端与直流输入端DCNi相连。第一共模电容CY1和第二共模电容CY2的公共端与保护地相连。
第二共模电容组3的两端分别与两个直流输出端DCPo、DCNo相连。具体地,第三共模电容CY3一端与直流输出端DCPo相连,另一端与第四共模电容CY4的一端相连。第四共模电容CY4的另一端与直流输入端DCNo相连。第三共模电容CY3和第四共模电容CY4的公共端与保护地相连。
本实施例中,直流电压为750V以下,额定传输功率为5.0kW。所述共模线圈CH1的磁芯为环形镍锌铁氧体,单边感值为1.25mH。所述第一差模电容CX1、第二差模电容CX2为X电容,容值为0.47μF,耐压为1200V。所述第一共模电容CY1、第二共模电容CY2、第三共模电容CY3、第四共模电容CY4为Y电容,容值为2.2nF,耐压为250V。所述X电容、Y电容属于安规电容,X电容是跨接在电力线两线之间的电容,Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间的电容。
本实施例工作原理如下:
电路通电之后,直流输入端DCPi和直流输入端DCNi之间存在差模电磁干扰,所述两个直流输入端与地之间存在共模电磁干扰。
第一差模电容CX1对差模电磁干扰进行滤除。
第一共模电容组1对共模电磁干扰进行滤除。第一共模电容CY1和第二共模电容CY2的公共端连接外壳,并接保护地,避免外壳带电导致触电。
共模线圈CH1对共模电磁干扰进行滤除。
第二共模电容组3对共模电磁干扰进行滤除。第三共模电容CY3和第四共模电容CY4的公共端连接外壳,并接保护地,避免外壳带电导致触电;
第二差模电容CX2对差模电磁干扰进行滤除。
直流输出端对所连接的设备供电。
综上所述,本实用新型电路结构简单、控制简便、设计容易,网侧功率因数高,直流电压平稳、对电磁干扰抑制效果良好,能广泛应用在前级电路为三相整流器的电力电子变换器中。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效,而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (5)

1.一种直流电磁干扰滤波电路,其特征在于,所述直流电磁干扰滤波电路至少包括:一只共模线圈,第一差模电容,第二差模电容,第一共模电容组,第二共模电容组;
所述共模线圈的两个输入端分别与两个直流输入端相连,两个输出端分别与两个直流输出端相连;
所述第一差模电容两端分别与两个直流输入端相连;
所述第二差模电容两端分别与两个直流输出端相连;
所述第一共模电容组两端分别与两个直流输入端相连;
所述第二共模电容组两端分别与两个直流输出端相连。
2.根据权利要求1所述的直流电磁干扰滤波电路,其特征在于:
所述第一共模电容组包括第一共模电容和第二共模电容;所述第一共模电容一端与一个直流输入端相连,另一端与第二共模电容的一端相连;第二共模电容的另一端与另一个直流输入端相连;
所述第二共模电容组包括第三共模电容和第四共模电容;所述第三共模电容一端与一个直流输出端相连,另一端与第四共模电容的一端相连;第四共模电容的另一端与另一个直流输出端相连。
3.根据权利要求2所述的直流电磁干扰滤波电路,其特征在于:
所述第一共模电容和第二共模电容的公共端与保护地相连;
所述第三共模电容和第四共模电容的公共端与保护地相连。
4.根据权利要求1所述的直流电磁干扰滤波电路,其特征在于:
所述共模线圈的磁芯为环形镍锌铁氧体,单边感值为1.25mH;所述第一差模电容、第二差模电容为X电容,容值为0.47μF,耐压为1200V。
5.根据权利要求2所述的直流电磁干扰滤波电路,其特征在于:
所述第一共模电容、第二共模电容、第三共模电容、第四共模电容为Y电容,容值为2.2nF,耐压为250V。
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