CN206313658U - 大电流高插入损耗emi滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种大电流高插入损耗EMI滤波器，包括输入电阻、差模滤波电路和共模滤波电路；输入电阻并联于滤波器的输入端；所述差模滤波电路包括第一电容、第二电容和第一共轭电感；所述第一电容并联于所述输入电阻的两端；所述第一共轭电感的第一端并联于所述第一电容的两端；所述第二电容并联于所述第一共轭电感的第二端；所述共模滤波电路包括第二共轭电感、第三电容和第四电容；所述第二共轭电感的第一端并联于所述第二电容的两端；所述第三电容和所述第四电容相串联，此串联支路的两端并联于所述第二共轭电感的第二端；所述第三电容和所述第四电容的公共端接地。本实用新型滤波频段宽，滤波效果好，对噪声的插入损耗高，实用性强。

Description

大电流高插入损耗EMI滤波器

技术领域

本实用新型涉及滤波器，具体涉及一种大电流高插入损耗EMI滤波器。

背景技术

近年来，随着DC/DC变换器在电子仪器、仪表的供电系统中大量使用，DC/DC变换器的缺点日益突出，其主要缺点是DC/DC变换器产生的电噪声污染供电网络，尤其对于军用、航空、航天领域的28V(24V～27V)供电系统，由于对多个DC/DC变换器同时供电，因此DC/DC变换器产生的电噪声频谱特别宽，特别复杂，而且需要大电流供电。

在现有技术中，这个问题的主要解决方法是在供电系统与DC/DC变换器之间加装EMI(Electro-Magnetic Interference，电磁干扰)滤波器。

但是由于供电系统的供电电流特别大，而且电网上的电噪声滤波器频谱特征特别复杂，电噪声从低频到高频都有，加之使用场合对滤波器的可靠性要求高，使用温度范围上限要求高，普通滤波器已不能满足使用需求。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种大电流高插入损耗EMI滤波器。

本实用新型的技术方案如下：

一种大电流高插入损耗EMI滤波器，包括输入电阻、差模滤波电路和共模滤波电路；所述输入电阻并联于滤波器的输入端；

所述差模滤波电路包括第一电容、第二电容和第一共轭电感；所述第一电容并联于所述输入电阻的两端；所述第一共轭电感的第一端并联于所述第一电容的两端；所述第二电容并联于所述第一共轭电感的第二端；

所述共模滤波电路包括第二共轭电感、第三电容和第四电容；所述第二共轭电感的第一端并联于所述第二电容的两端；所述第三电容和所述第四电容相串联，此串联支路的两端并联于所述第二共轭电感的第二端；所述第三电容和所述第四电容的公共端接地；所述第三电容和所述第四电容的两端为滤波器的输出端。

其进一步的技术方案为，所述输入电阻的阻值为1MΩ；所述第一电容、所述第二电容均为10uF；所述第三电容、所述第四电容均为0.3uF。

其进一步的技术方案为，还包括第五电容；所述第五电容并联于所述第二共轭电感的第二端。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型所公开的滤波器具有滤波频段宽(10KHz～30MHz)、滤波效果好、对噪声的插入损耗高的优点，一般滤波器的插入损耗为60dB，而这款滤波器的插入损耗最高达到89dB。且本实用新型所公开的滤波器的温升小，使用温度范围上限高，达100℃以上，工作电流大(25A)，完全可以满足航空、航天及军用武器装备对滤波器的苛刻使用要求，也可代替通用型滤波器使用。

附图说明

图1是本实用新型的示意图。

图2是本实用新型的一个实施例的示意图。

具体实施方式

图1是本实用新型的示意图。如图1所示，本实用新型包括输入电阻R1、差模滤波电路和共模滤波电路；输入电阻R1并联于滤波器的输入端；

差模滤波电路包括第一电容Cx1、第二电容Cx2和第一共轭电感L1。第一电容Cx1并联于输入电阻R1的两端。第一共轭电感L1的第一端并联于第一电容Cx1的两端；第二电容Cx2并联于第一共轭电感L1的第二端。

共模滤波电路包括第二共轭电感L2、第三电容Cy1和第四电容Cy2。第二共轭电感L2的第一端并联于第二电容Cx2的两端。第三电容Cy1和第四电容Cy2相串联，此串联支路的两端并联于第二共轭电感L2的第二端。第三电容Cy1和第四电容Cy2的公共端接地。第三电容Cy1和第四电容Cy2的两端为滤波器的输出端。还可增加第五电容Cx3；第五电容Cx3并联于第二共轭电感L2的第二端。可加强第三电容Cy1和第四电容Cy2的效果。

为获得很高的插入损耗，本电路采用二级滤波线路。如图1所示，第一电容Cx1、第二电容Cx2和第一共轭电感L1组成差模滤波电路，第二共轭电感L2、第三电容Cy1和第四电容Cy2组成共模滤波电路。因此滤波器对差模和共模电噪声也有很好的滤波效果。第二共轭电感L2采用高频材料，同时对高频噪声有很强的滤波效果。第一共轭电感L1可采用高磁通、高电感系数的材料，以保证在大电流下仍有较高的电感量，同时滤波器对抑制低频、高频噪声具有很好的效果。第一共轭电感L1和第二共轭电感L2绕制时匝数不多，因此直流内阻小，温升小，满足高温度环境(100℃以上)使用需求，提高了产品的可靠性。

图1所示的各个电容优先选用陶瓷电容。

图2是本实用新型的一个实施例的示意图。如图2所示，输入电阻R1的阻值为1MΩ；第一电容Cx1、第二电容Cx2均为10uF；第三电容Cy1、第四电容Cy2均为0.3uF。第一电容Cx1、第二电容Cx2和第一共轭电感L1三者确定了DC/DC变换器的差模噪声插入损耗的数值，第二共轭电感L2、第三电容Cy1和第四电容Cy2三者确定共模插入损耗的数值。选用图2所示的元器件数值，差模插入损耗最高达到89dB，滤波效果远远高于一般滤波器。大电流25A时的壳温温升只有18℃，远低于一般滤波器的温升。工作环境温度可达100℃，经过申请人的实际使用验证，证明本专利切实有效。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种大电流高插入损耗EMI滤波器，其特征在于，包括输入电阻(R1)、差模滤波电路和共模滤波电路；所述输入电阻(R1)并联于滤波器的输入端；

所述差模滤波电路包括第一电容(Cx1)、第二电容(Cx2)和第一共轭电感(L1)；所述第一电容(Cx1)并联于所述输入电阻(R1)的两端；所述第一共轭电感(L1)的第一端并联于所述第一电容(Cx1)的两端；所述第二电容(Cx2)并联于所述第一共轭电感(L1)的第二端；

所述共模滤波电路包括第二共轭电感(L2)、第三电容(Cy1)和第四电容(Cy2)；所述第二共轭电感(L2)的第一端并联于所述第二电容(Cx2)的两端；所述第三电容(Cy1)和所述第四电容(Cy2)相串联，此串联支路的两端并联于所述第二共轭电感(L2)的第二端；所述第三电容(Cy1)和所述第四电容(Cy2)的公共端接地；所述第三电容(Cy1)和所述第四电容(Cy2)的两端为滤波器的输出端。

2.如权利要求1所述的大电流高插入损耗EMI滤波器，其特征在于，所述输入电阻(R1)的阻值为1MΩ；所述第一电容(Cx1)、所述第二电容(Cx2)均为10uF；所述第三电容(Cy1)、所述第四电容(Cy2)均为0.3uF。

3.如权利要求1所述的大电流高插入损耗EMI滤波器，其特征在于，还包括第五电容(Cx3)；所述第五电容(Cx3)并联于所述第二共轭电感(L2)的第二端。