CN202872356U - 一种浪涌抑制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种浪涌抑制电路,包括有电源管理芯片、为电源管理芯片供电的线性稳压电路、以电源管理芯片为核心组成的升压电路、分别与电源管理芯片连接的二极管倍压电路、反馈回路以及限幅电路。相较于现有技术,本实用新型浪涌抑制电路解决了P-MOS管在过压浪涌发生时输出电压震荡、导通电阻大、效率低的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于数据查询统计技术领域,涉及一种浪涌抑制电路。
背景技术
当用户需要设计一款浪涌抑制器,要求其对GJB181-1986中规定的尖峰电压±600V/10us和过压浪涌80V/50ms进行有效抑制,使其输出电压抑制在40V以下,在低压8V输入时将输出电压升压到18V以上,以保障后级的DC/DC变换器不受瞬态电压的影响。该需求之浪涌抑制器指标要求最大输出功率50W,过压浪涌(80V/50ms)发生时输出电压40V以下,低压输入(8V)时输出电压18V以上。目前现有浪涌抑制电路已难以实现。
目前,现有的浪涌抑制电路大多是采用P-MOS管作为限幅器件,后级加一个升压(Boost)电路,检测输入电压超过设定电压时控制P-MOS管关断来抑制输出电压,输入电压低于设定值时启动升压(Boost)电路升压,该结构的电路优点是驱动方式简单,然而其存在诸多缺陷,如:过压浪涌发生时输出电压振荡,有较大的毛刺,需外接大电容滤波,且P-MOS导通电阻较大,效率较低。
故,针对上述现有技术在浪涌抑制电路方面存在的缺陷,实有必要进行研究,以提供一种浪涌抑制电路,以解决P-MOS管在过压浪涌发生时输出电压震荡、导通电阻大、效率低的问题。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型的目的在于提供一种浪涌抑制电路,以解决P-MOS管在过压浪涌发生时输出电压震荡、导通电阻大、效率低的问题。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案为:
一种浪涌抑制电路,包括有电源管理芯片、为电源管理芯片供电的线性稳压电路、以电源管理芯片为核心组成的升压电路、分别与电源管理芯片连接的二极管倍压电路、反馈回路以及限幅电路。
进一步地,所述线性稳压电路包括有第一三极管(Q1)、连接第一三极管(Q1)基极的第一稳压二极管(B1)与第一电阻(R1)、连接于第一三极管(Q1)发射极的第一电容C1;其中,第一三极管(Q1)的发射极通过该第一电容(C1)连接至地。
进一步地,所述二极管倍压电路包括有第二三极管(Q2)、第五三极管(Q5)、以及分别连接于第五三极管(Q5)的集电极的第六电阻(R6)与第六电容(C6)、与第六电容(C6)连接的第四二极管(B4)、第五二极管(B5)、以及与第五二极管(B5)连接的第四电容(C4)。
进一步地,所述第二三极管(Q2)的发射极通过一第八电阻(R8)连接至第五三极管(Q5)的基极,第五三极管(Q5)的发射极直接连接至地,而第五三极管(Q5)的基极通过一第七电阻(R7)连接至地;第四电容(C4)连接至一N-MOS管(M1)的源极。
进一步地,所述升压电路包括有电感(L1)、与电感(L1)串联连接的第三二极管(B3)、以及一第二MOS管(M2)与一第十三电容(C13);其中,所述第二MOS管(M2)为一N型MOS管,其栅极连接于电源管理芯片(U1)的第6脚,而所述第十三电容(C13)一端连接于第三二极管(B3),另一端接地。
进一步地,所述反馈回路包括有连接电源管理芯片(U1)的第1脚的第八电容(C8),与第八电容(C8)串联连接的第十一电阻(R11)、一端连接第十一电阻(R11),另一端连接至输出端的第十电阻(R10)、以及一端连接第十一电阻(R11),另一端接地的第十电阻(R10)。
进一步地,所述限幅电路包括有第三三极管(Q3)、连接第三三极管(Q3)的第四三极管(Q4)、并联连接于第三三极管(Q3)基极的第三电阻(R3)与第四电阻(R4)、以及连接于第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)发射极的第五电阻(R5)。
进一步地,所述第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)的发射极通过第五电阻(R5)连接至地。
相较于现有技术,本实用新型浪涌抑制电路采用N-MOS管,解决了P-MOS管在过压浪涌发生时输出电压震荡、导通电阻大、效率低的问题。
附图说明
图1是本实用新型浪涌抑制电路的电路原理图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参照图1所示,本实用新型浪涌抑制电路包括有电源管理芯片U1、为电源管理芯片供电的线性稳压电路、以电源管理芯片为核心组成的升压电路、分别与电源管理芯片连接的二极管倍压电路、反馈回路以及限幅电路。本发明实施例中的电源管理芯片为UCC2803,电源管理芯片UCC2803的第4脚提供的振荡源组成倍压电路驱动N-MOS管M1,而电源管理芯片UCC2803的第8脚提供的4V基准用于组成过压限幅电路的基准,当输入电压为8V-18V时,该电路输出升压电压18V。当输入电压在18V-40V时,输出电压跟随输入电压。而当输入电压高于40V以上时,输出电压为限幅40V,以保障后级的DC/DC变换器不受电压瞬变的影响。
所述线性稳压电路包括有第一三极管Q1、连接第一三极管基极的第一稳压二极管B1与第一电阻R1、连接于第一三极管发射极的第一电容C1,第一三极管Q1的发射极通过该第一电容C1连接至地,另外,该第一三极管Q1的发射极还连接有电源Vcc。
所述二极管倍压电路包括有第二三极管Q2、第五三极管Q5、以及分别连接于第五三极管Q5的集电极的第六电阻R6与第六电容C6、与第六电容C6连接的第四二极管B4、第五二极管B5、以及与第五二极管B5连接的第四电容C4。其中,第二三极管Q2的发射极通过一第八电阻R8连接至第五三极管Q5的基极,第五三极管Q5的发射极直接连接至地,而第五三极管Q5的基极通过一第七电阻R7连接至地;第四电容C4连接至一N-MOS管M1的源极。当输入电压为18V-40V时,N-MOS管M1的G极电压高于S极,驱动N-MOS管M1完全开通,输出电压跟随输入电压。第二稳压管B2为10V稳压管,控制N-MOS管M1的Ugs电压,以免电压过高而损坏N-MOS管。
所述升压电路包括有电感L1、与电感L1串联连接的第三二极管B3、以及一第二MOS管M2与一第十三电容C13。其中,所述第二MOS管M2为一N型MOS管,其连接于电源管理芯片U1的第6脚,而所述第十三电容R13一端连接于第三二极管B3,另一端接地。当输入电压为8V-18V时,升压电路将会使输出电压升压至18V。
所述反馈回路包括有连接电源管理芯片U1的第1脚的第八电容C8,与第八电容C8串联连接的第十一电阻R11、一端连接第十一电阻R11,另一端连接至输出端的第十电阻R10、以及一端连接第十一电阻R11,另一端接地的第十电阻R10。
所述限幅电路包括有第三三极管Q3、连接第三三极管Q3的第四三极管Q4、并联连接于第三三极管Q3基极的第三电阻R3与第四电阻R4、以及连接于第三三极管Q3、第四三极管Q4发射极的第五电阻R5。其中,所述第三三极管Q3、第四三极管Q4的发射极通过第五电阻R5连接至地。当输入电压大于40V时,所述限幅电路用来控制N-MOS管M1的G极电压,使N-MOS管M1的S极输出电压在40V以下。其中电源管理芯片U1的第8脚输出4V基准电压,第三电阻R3与第四电阻R4的分压连接第三三极管Q3的基极用来监测N-MOS管的G极电压,当N-MOS管M1的G极电压高于40V时,第三三极管Q3导通,使N-MOS管M1的G极电压稳定在40V。
以上所述仅为本发明创作的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种浪涌抑制电路,包括有电源管理芯片,其特征在于,还包括有为电源管理芯片供电的线性稳压电路、以电源管理芯片为核心组成的升压电路、分别与电源管理芯片连接的二极管倍压电路、反馈回路以及限幅电路。
2.如权利要求1所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述线性稳压电路包括有第一三极管(Q1)、连接第一三极管(Q1)基极的第一稳压二极管(B1)与第一电阻(R1)、连接于第一三极管(Q1)发射极的第一电容C1;其中,第一三极管(Q1)的发射极通过该第一电容(C1)连接至地。
3.如权利要求2所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述二极管倍压电路包括有第二三极管(Q2)、第五三极管(Q5)、以及分别连接于第五三极管(Q5)的集电极的第六电阻(R6)与第六电容(C6)、与第六电容(C6)连接的第四二极管(B4)、第五二极管(B5)、以及与第五二极管(B5)连接的第四电容(C4)。
4.如权利要求3所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述第二三极管(Q2)的发射极通过一第八电阻(R8)连接至第五三极管(Q5)的基极,第五三极管(Q5)的发射极直接连接至地,而第五三极管(Q5)的基极通过一第七电阻(R7)连接至地;第四电容(C4)连接至一N-MOS管(M1)的源极。
5.如权利要求4所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述升压电路包括有电感(L1)、与电感(L1)串联连接的第三二极管(B3)、以及一第二MOS管(M2)与一第十三电容(C13);其中,所述第二MOS管(M2)为一N型MOS管,其栅极连接于电源管理芯片(U1)的第6脚,而所述第十三电容(C13)一端连接于第三二极管(B3),另一端接地。
6.如权利要求5所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述反馈回路包括有连接电源管理芯片(U1)的第1脚的第八电容(C8),与第八电容(C8)串联连接的第十一电阻(R11)、一端连接第十一电阻(R11),另一端连接至输出端的第十电阻(R10)、以及一端连接第十一电阻(R11),另一端接地的第十电阻(R10)。
7.如权利要求6所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述限幅电路包括有第三三极管(Q3)、连接第三三极管(Q3)的第四三极管(Q4)、并联连接于第三三极管(Q3)基极的第三电阻(R3)与第四电阻(R4)、以及连接于第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)发射极的第五电阻(R5)。
8.如权利要求7所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)的发射极通过第五电阻(R5)连接至地。
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