CN202736969U - 一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板 - Google Patents
一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板,包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的一侧表面为凹凸成型的结构,在该凹凸成型的陶瓷基板上附着有一层奈米散热薄膜;奈米散热薄膜是由包括氮化硼、硅、锗、硼和硒半导体材料一种或者多种按比例调配构成的成膜物质。本实用新型的陶瓷散热基板结构可将发热源所传导的热辐射散热到外部,其结构设计合理,制造容易,导热性能好,可大幅提高整体散热效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED用陶瓷散热基板,特别是一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板。
背景技术
LED具有节能、环保、寿命长、抗震、安全、不伤眼、应用更灵活、显色性好、颜色多样、无电磁干扰等优点,是未来照明发展的趋势,将给照明产业带来新的生机与活力。然而,传统的LED封装的散热效果较差,容易使LED的发光效率及生命周期因为热影响而降低,改善LED的散热问题,是目前最需克服的关键技术之一。
目前已经有许多增加散热的改善,例如在承载LED电路板下方连接金属板,以传导的方式增加导热,然而,单以传导方式然后基于热自然对流的方式或者其它方式来散热的效率较差,需要进一步改善。
陶瓷散热基板具有新的导热材料和新的内部结构,以消除铝金属基板所具有的缺陷,且线路对位精确度高,为业界公认导热与散热性能极佳材料,是目前高功率LED散热最适方案。但是,由于散热量与面积成正比,三氧化二铝陶瓷基板的表面面积小,因此,散热效率还有待提高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的散热问题,而提供一种能够主动散热的热辐射奈米散热薄膜结构的三氧化二铝基材陶瓷基板,从而改善基板的整体散热效果。
解决上述技术问题采用的技术方案是:
一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板,所述陶瓷基板的一侧表面为凹凸成型的结构,在该凹凸成型的陶瓷基板上附着有一层奈米散热薄膜。
进一步的,该奈米散热薄膜是包括氮化硼、硅、锗、硼和硒等半导体材料一种或者多种按比例调配作为的成膜物质。
该三氧化二铝陶瓷基板的表面通过蚀刻、磁控溅射或者涂布的方式形成一层热辐射奈米散热薄膜,能够增大陶瓷基板的散热效率。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:由于本实施例的散热效果好,因而能够减小光衰,对LED温控效果较好,适用于LED封装。因此,陶瓷基板加上奈米辐射散热,是未来LED封装的新趋势,将对LED照明产业推向新的巅峰。
附图说明
图1是本实用新型实施例具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板凹凸成型前的结构示意图。
图2是本实用新型实施例具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板凹凸成型后的结构示意图。
图3是本实用新型实施例具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板附着一层奈米散热薄膜的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1,为本实用新型提供的具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板。该实用新型的陶瓷基板的一侧面表面首先通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸成型的结构,见图2所示。
其次,请参阅图3,将氮化硼、硅、锗、硼、硒等半导体材料一种或者多种按比例调配作为成膜物质,将这些待成膜的物质使用磁控溅射的方式或者置于真空中进行蒸发或升华,使之在经过蚀刻的三氧化二铝陶瓷基板的一侧表面上析出,构成一层热辐射奈米散热薄膜,就形成了具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板,包括陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板的一侧表面为凹凸成型的结构,在该凹凸成型的陶瓷基板上附着有一层奈米散热薄膜。
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