CN202633209U - 等离子体处理设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种等离子体处理设备，所述设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。采用该结构，可以容易地修复和替换易受等离子体蚀刻损害的部分，以便于可以提高等离子体处理设备的耐用性。此外，能够最小化执行等离子体工艺的处理空间的变形，由此使得衬底具有均匀的性质。

Description

等离子体处理设备

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2011年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0065197、于2011年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0065198以及于2011年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0065199的优先权的权益，所述申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理设备，更具体地，涉及一种改善了耐等离子体蚀刻性能的等离子体处理设备。

背景技术

通常，等离子体处理设备应用于等离子体化学气相沉积(CVD)设备、等离子体溅射设备、等离子体蚀刻设备、等离子体离子注入和掺杂设备等，以在衬底上形成薄膜。

等离子体处理设备被构造成包括：被布置成相互面对且留有处理空间的上和下电极。在这种等离子体处理设备中，当在处理气体注入处理空间的情形下在电极之间施加射频(RF)功率时，在处理空间内产生等离子体，且在此时所产生的等离子体用于进行衬底处理工艺。

随着衬底处理工艺进行，会发生腔室内壁被在该工艺期间产生的等离子体蚀刻的现象。为了防止该现象，腔室内壁由耐蚀刻性能良好的材料制成，但即使在这种情形下，在集中分布有等离子体的衬底入口附近，蚀刻相对较活跃地发生。这种蚀刻现象不仅缩短等离子体处理设备的寿命，还会因为等离子体分布特性根据处理空间的变形而改变，导致难以处理均匀性质的衬底。

实用新型内容

因此，构思本发明以解决前述问题，且本发明的一个方面是提供一种等离子体处理设备，该设备在形成衬底入口的位置处具有改善的耐蚀刻性能，且具有在蚀刻发生的情况下容易修复且可替换的结构。

可以通过提供一种等离子体处理设备来实现前述方面，该设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。

可以通过提供一种等离子体处理设备来实现另一方面，该设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻；第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面；以及第三封盖部件，被安装成覆盖所述第二封盖部件的相邻于邻近所述开口的边缘。

可以通过提供一种等离子体处理设备来实现又一方面，该设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，包括向外突出且被插入和安装形成在腔室壁上的凹槽内的凸起，且被安装成覆盖开口的内周表面以避免其暴露于所述处理空间；第二封盖部件，被安装成覆盖腔室一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向腔室内侧方向形成的表面；以及第三封盖部件，被安装成覆盖所述第二封盖部件的邻近开口的边缘。

附图说明

图1是根据本发明第一示例性实施例的等离子体处理设备的剖视图。

图2是示出图1的腔室中的开口结构的分解透视图。

图3是示出图1的腔室开口的剖面透视图。

图4是图3的腔室开口的剖视图。

图5是示出根据另一适用实例的腔室开口结构的分解透视图。

图6是图5的腔室开口的剖视图。

图7是示出图2的第一封盖部件的形状的透视图。

图8是示出根据本发明第二示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图。

图9是示出根据本发明第三示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图。

图10是示出图9的腔室开口结构的剖视图。

图11是示出图10的腔室开口的剖面的剖视图。

图12是示出根据另一适用实例的腔室开口结构的分解透视图。

图13是示出图12的腔室开口的剖面的剖视图。

图14是示出根据本发明第四示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图。

图15是示出图14的腔室开口结构的剖视图。

图16是示出根据图15的另一适用实例的腔室开口结构的剖视图。

图17是示出根据本发明第五示例性实施例的等离子体处理设备中第一封盖部件的结构和邻近开口的腔室内壁的分解透视图。

图18是示出图17的腔室开口结构的剖视图。

具体实施方式

下文，将参考附图来详细描述根据本发明示例性实施例的等离子体处理设备。原则上，元件之间的位置关系基于附图。为方便起见，附图示出本发明的简化结构。此外，为了示例说明，附图中示出的元件尺寸会被放大且不必按比例绘制。

图1是根据本发明第一示例性实施例的等离子体处理设备的剖视图。在该示例性实施例中，该等离子体处理设备可以应用于利用等离子体处理衬底的所有设备，例如，等离子体化学气相沉积(CVD)设备、等离子体溅射设备、等离子体蚀刻设备、等离子体离子注入和掺杂设备等。

如图1中所示，在该示例性实施例中的等离子体处理设备1包括形成处理空间的腔室10，在该处理空间中处理衬底。根据本示例性实施例，将腔室10设置成方柱的形式，以便于处理矩形显示衬底S。或者，可以使用圆柱状腔室来处理圆形晶片。此外，腔室可以具有与衬底形状相应的各种形状。

其间，参考图1，腔室10在其一侧形成有开口50。此外，在开口50外侧设置可选择地打开和关闭的闸门阀60。因此，在闸门阀60打开的情形下，可以通过开口50将衬底S运入处理空间和从处理空间中取出。此外，在等离子体处理期间关闭闸门阀60，由此密封处理空间。

在腔室10的下部中设置基座20，衬底S固定于所述基座20上。因此，通过开口50运入腔室10的衬底S在被放置于基座20上时经受基于等离子体的沉积、蚀刻等工艺。此时，可以在基座20内设置用于在工艺期间夹持衬底S的静电卡盘(未示出)。

在腔室10的上部设置处理气体供给部30，处理气体从外部处理气体源(未示出)进入所述处理气体供给部30中。经由扩散室31穿过多个出口32均匀地供应通过处理气体供给部30供给的处理气体。

此外，可以在腔室10中设置产生等离子体的电极。通过经由电极施加射频(RF)电压，处理气体放电由此形成等离子体。

在该示例性实施例中，可以使用两个相反电极产生等离子体。将第一电极41安装在处理空间内的上部，并将第二电极(未示出)嵌入在基座20中。此外，每一电极与产生RF功率的RF功率源43电连接。同样，可以在每一电极与RF功率源之间提供阻抗匹配单元42以用于阻抗匹配。

该示例性实施例采用电容耦合型，其中利用来自相反电极供应的RF电压来产生等离子体，但并不限于此。或者，诸如电感耦合型、电子回旋共振(ECR)型、利用微波的类型等的各种类型均可以使用，只要其能够产生等离子体。

在等离子体处理设备1中，如果向处理空间供给处理气体，则在第一电极41与第二电极(未示出)之间施加RF功率，并由此在处理空间内产生等离子体。由此，用等离子体处理衬底S。

此时，形成处理空间的腔室10的内壁具有凹壁，该凹壁比开口附近的相邻部分更加凹陷(参考图1)。因此，等离子体相对集中分布在形成开口50的位置处。此外，在等离子体工艺结束之后，在排放处理气体期间会在开口周围导致湍流。因此，相比较其它部分，邻近开口的腔室内壁以及腔室开口的内周表面可能被等离子体更严重地蚀刻。

根据本发明的示例性实施例，在腔室的开口中安装多个封盖部件110和120，以便于提高在等离子体工艺期间的耐蚀刻性能。下面，将参考图2和3来向详细描述开口的结构。

图2是示出图1的腔室开口结构的分解透视图，图3是示出图1的腔室开口的剖面透视图。

如图2和3所示，在该示例性实施例中的等离子体处理设备1包括：第一封盖部件110，被安装成覆盖开口50的内周表面；和第二封盖部件120，被安装成覆盖腔室10的内壁以及第一封盖部件110的(面向腔室内侧的)后表面。将第一封盖部件110和第二封盖部件120放置在开口50的附近，通过该开口将衬底S运入处理空间或从其中取出。

具体地，该示例性实施例中的开口50可以具有在水平方向上宽阔地形成的长方形或类长方形结构。此外，如图2中所示，开口50的内周表面51包括：位于腔室10外侧方向的第一内周表面51a；位于腔室10内侧方向且形成为与第一内周表面51a高度不同的第二内周表面51b；以及在第一内周表面51a与第二内周表面51b之间垂直形成的第三内周表面51c。

因此，开口50和腔室10的相邻壁在运送衬底S的方向上高度相互不同以具有台阶状结构，以至于朝向腔室内侧方向的开口大于朝向腔室外侧方向的开口。

在此期间，第一封盖部件110覆盖开口50的内周表面51以阻止其暴露于处理空间，由此防止开口50的内周表面51被等离子体蚀刻。因此，第一封盖部件110由耐等离子体蚀刻性能优良的材料制成。例如，第一封盖部件110由阳极氧化铝制成。

第一封盖部件110的与开口50的内周表面51接触的一侧形成有与开口50的形状相应的台阶状部分111。详细地，台阶状部分111包括：位于朝向腔室10外侧方向的第一表面111a；位于朝向腔室10内侧方向的第二表面111b；以及在第一表面111a与第二表面111b之间垂直形成的第三表面111c。

由此，如图2中所示，第一封盖部件110在朝向腔室内侧方向的横截面厚度厚于朝向腔室外侧方向的横截面厚度。例如，第一封盖部件110在朝向腔室外侧方向的横截面厚度T₁(参考图4)为10mm或以下，而第一封盖部件110在朝向腔室内侧方向的横截面厚度T₂(参考图4)为20mm或以上。此外，如图3中所示，第一封盖部件110的第一表面111a与第一内周表面51a接触，第二表面111b与第二内周表面51b接触，且第三表面111c与第三内周表面51c接触，由此覆盖开口50的内周表面51。

同时，如图2和3中所示，第二封盖部件120被塑形为类似平板状。此外，第二封盖部件120覆盖邻近开口50的腔室10的内壁和第一封盖部件110的后表面，以防止暴露于处理空间。可以将第二封盖部件120形成为覆盖形成有开口50的腔室10的整个内壁，或仅覆盖等离子体集中分布的开口附近的腔室内壁。此外，可以将第二封盖部件120设置为单个部件或多个部件。

第二封盖部件防止邻近开口50附近的腔室10的内壁被等离子体蚀刻，并防止等离子体进入开口50与第一封盖部件110之间。第二封盖部件120由耐等离子体蚀刻性能优良的材料制成。例如，第二封盖部件120可以由阳极氧化铝制成。

图4是图3的腔室开口的剖面视图。下面，将参考图4详细描述用于安装第一封盖部件110和第二封盖部件120的结构。

如上所述，第一封盖部件110和第二封盖部件120由耐蚀刻性优良的材料制成。即使在这种情况下，随着重复执行等离子体工艺，第一封盖部件110和第二封盖部件120还是会被等离子体蚀刻且会使得处理空间变形。因此，可以利用多个紧固部件可拆卸地安装第一封盖部件110和第二封盖部件120，以便于它们可以在被蚀刻到特定程度以上的情况下容易被修复或替换。

具体地，第一封盖部件110包括多个通孔112。如图4中所示，将通孔112形成为穿透第三表面111c和形成在朝向腔室10内侧方向上的封盖部件110的表面。这里，通孔112的前端部(邻近第三表面)的直径小于后端部(邻近后表面)的直径。

第一紧固部件130插入在多个通孔112中并被固定，由此将第一封盖部件110固定在腔室10的壁中邻近开口50的位置。第一紧固部件130包括头131和外表带螺纹的主体132。头131的直径d₁大于通孔112的前端部的直径D₁，但是小于后端部的直径D₂。因此，第一紧固部件130的主体132在插入通孔112的同时，与在第三内周表面51c中形成的第一紧固孔52螺纹联结，由此固定第一封盖部件110。

此外，通过第二紧固部件140将第二封盖部件120安装在腔室的内壁中。像第一紧固部件130一样，第二紧固部件140包括头141和外表带螺纹的主体142。因此，第二紧固部件140插入到形成在第二封盖部件120中的孔121中，并与形成于腔室内壁中的第二紧固孔53螺纹联结，由此固定第二封盖部件120。

这里，第二紧固部件140的头141由耐蚀刻性优良的材料制成，因为其暴露于处理空间。例如，可以将第二紧固部件140的头141用耐蚀刻性优良的陶瓷材料涂敷或者用单独的陶瓷帽覆盖。

如上所述，图4公开了通过多个第一和第二紧固部件安装第一和第二封盖部件的结构。然而，这仅是出于示例说明目的的实例。此外，可以通过各种方法安装封盖部件。

图5是示出根据另一适用实例的腔室开口的结构的分解透视图，图6是图5的腔室开口的剖视图。下面，将参考图5和6来详细说明安装第一和第二封盖部件的另一适用实例。

如图5和6中所示，如前述示例性实施例那样，第一封盖部件110包括多个通孔112，所述通孔穿透第三表面111c和形成在朝着腔室内侧的方向上的表面。每一通孔112的前端部(邻近第三表面)的直径D₁小于后端部(邻近后表面)的直径D₂。此外，通孔112的后端部可以是内部带螺纹的，且前端部可以是内部带螺纹的。

此时，第一紧固部件的主体132的直径对应于通孔前端部的直径D₁。此外，第一紧固部件130的头131的直径d₁大于通孔前端部的直径D₁，且等于或小于后端部的直径D₂。由此，在被插入通孔112时，第一紧固部件130与形成在第三内周表面51c中的第一紧固孔52螺纹联结，由此将第一封盖部件固定到腔室。

同时，第二紧固部件140的主体142的尺寸对应于形成在第一封盖部件110中的通孔112的后端部的直径D₂。此外，第二紧固部件140的头141形成为大于形成于第一封盖部件110中的通孔的后端部的直径D₂。因此，在将第二封盖部件120布置在安装位置的状态下，第二紧固部件140穿过第二封盖部件120的孔121并与第一封盖部件110的通孔112螺纹联结，由此固定第二封盖部件120。

如此，在图5和6中示出的适用实例中，使用两个紧固部件，且第二紧固部件的主体的直径d₂等于或大于第一紧固部件的头。因此，利用一个通孔112双重地固定第一紧固部件130和第二紧固部件140，由此固定和安装第一封盖部件110和第二封盖部件120。因此，能够减少固定紧固部件所需的紧固孔的数量，并简化了处理和安装工艺。

同时，在通过前述紧固方法安装或替换第一和第二封盖部件的情况下，如果封盖部件的尺寸太大，则一个人很难安装或替换第一和第二封盖部件。通常，等离子体处理设备的腔室开口可以根据衬底的尺寸而改变。在等离子体处理设备用于处理大尺寸衬底的情况下，开口的宽度可以达到2m或以上。因此，如果在用于大尺寸衬底的等离子体处理设备中将第一封盖部件构造为单个部件，则由于第一封盖部件具有相当大的尺寸和重量而很难夹持第一封盖部件以及固定第一紧固部件。

因此，在该示例性实施例中，如图7中所示，可以将第一封盖部件110分割成多个单元110a、110b、110c和110d。在这种情形下，与将第一封盖部件设置为单个部件的情形相比，比较容易夹持第一封盖部件110和固定第一紧固部件130。此外，可以仅选择性地替换和使用第一封盖部件中相对较快被蚀刻的单元，由此节省费用。

具体地，如图7中所示，第一封盖部件110可以包括：形成上部主体的第一单元110a，形成侧面主体的第二单元110b和第三单元110c，以及形成下部主体的第四单元110d。

此时，将分别形成上部主体和下部主体的第一单元110a和第四单元110d形成为具有相同结构，并且将分别形成侧面主体的第二单元110b和第三单元110c形成为具有相同结构。在这种情况下，所述单元被制造为两类，由此节省用于维修和保养的费用。

每一个单元包括至少两个通孔。因此，可以将每一单元单独地固定于腔室壁。

图4示出将第一封盖部件按照上、下、左和右的方向被分割成四个单元，但不限于此。或者，可以将相对较难安装的第一封盖部件的顶部结构分割成两个单元，即，左侧顶部单元和右侧顶部单元，而相对较容易安装的下部结构可以设置为单个单元。此外，考虑到工作便利或蚀刻程度，可以不同地构造第一封盖部件。

下面，将参考图8详细描述根据第二示例性实施例的等离子体处理设备。这里，与第一示例性实施例中的元件相对应的元件将采用相同的术语，且省略其重复说明。

在前述示例性实施例中，在腔室开口中设置两种封盖部件，即，第一封盖部件和第二封盖部件。然而，在该示例性实施例中，可以设置第一封盖部件、第二封盖部件和第三封盖部件。

这里，第一封盖部件110和第二封盖部件120与前述示例性实施例中描述的相同，因此省略其额外描述。

参考图8，第三封盖部件150比第一和第二封盖部件细，且被安装在第二封盖部件120的邻近开口50的边缘。

如上所述，基于等离子体的蚀刻在等离子体工艺期间相对集中地发生在邻近腔室10的开口50的位置，且极其集中发生在开口50起始的边缘部分。因此，在该示例性实施例中，将第三封盖部件150单独安装在最容易受等离子体蚀刻损害的部分。

具体地，将第三封盖部件150构造成具有小宽度的长衬垫形式。此外，弯曲部151形成为一端与开口50相邻，且弯曲并朝向腔室外侧的方向凸起。因此，将第三封盖部件150安装为覆盖第二封盖部件120的后表面中邻近开口50的部分。此外，弯曲部151弯曲与第二封盖部件120的厚度T₃(参考图8)一样的长度，且覆盖第一封盖110的后表面中邻近开口50的部分和第二封盖120中面向开口50形成的一个表面，由此形成边缘，开口50从该边缘起始。

在这种情况下，第三封盖部件150被构造成小于第一和第二封盖部件110和120，且因此，即使其具有优良的耐蚀刻性能，但由于成本，利用不用于第一和第二封盖部件110和120的材料形成开口的边缘，由此提高等离子体处理设备1的耐用性。即使第三封盖部件采用与第一和第二封盖部件相同的材料制成，也会有利地降低维修和保养的成本，因为可以仅单独修复或替换蚀刻极易发生的开口的边缘部分。

可以通过各种方法紧固第一封盖部件、第二封盖部件和第三封盖部件。例如，可以将第一紧固部件130和第二紧固部件140双重固定于第一封盖部件的通孔。

根据第一示例性实施例，参考图5描述了这种固定结构，且相似的方法可以应用于该示例性实施例。然而，根据该示例性实施例，在第二封盖部件120和第三封盖部件130布置在安装位置的状态下，第二紧固部件140穿过第二封盖部件120的孔121和第三封盖部件150的孔152，并与第一封盖部件110的通孔112螺纹联结，以便于立刻固定第二封盖部件120和第三封盖部件150。

下面，将参考图9至13来描述本发明的第三示例性实施例的等离子体处理设备。这里，与第一示例性实施例的元件相对应的元件采用相同的术语，并将省略其重复说明。

图9是示出根据本发明第三示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图，且图10是示出图9的腔室开口的结构的剖视图。

如图9和10中所示，该示例性实施例的等离子体处理设备11包括：第一封盖部件1110，被安装成覆盖开口50的内周表面；第二封盖部件1120，被安装成覆盖腔室10的内壁和第一封盖部件1110的后表面(面朝腔室的内侧)；和第三封盖部件1130，被安装成覆盖第二封盖部件1120的后表面。第一封盖部件1110和第二封盖部件1120放置在开口50附近，通过该开口将衬底S运入处理空间或从其中取出。

具体地，在该示例性实施例中的开口50可以具有在水平方向上宽阔地形成的长方形或类长方形结构。此外，如图9中所示，开口50的内周表面51包括：位于朝向腔室10外侧方向的第一内周表面51a；位于朝向腔室10内侧方向且形成为与第一内周表面51a高度不同的第二内周表面51b；以及在第一内周表面51a与第二内周表面51b之间垂直形成的第三内周表面51c。

因此，开口50和腔室10的相邻壁在运送衬底S的方向上高度相互不同，以具有台阶状结构，从而使得朝向腔室内侧方向的开口可以大于朝向腔室外侧方向的开口，如图9中所示。

同时，第一封盖部件1110覆盖开口50的内周表面51以阻止其暴露于处理空间，由此防止开口50的内周表面51被等离子体蚀刻。因此，第一封盖部件1110由耐等离子体蚀刻性能优良的材料制成。例如，第一封盖部件1110由阳极氧化铝制成。

第一封盖部件1110的与开口50的内周表面51接触的一侧形成有与开口50的形状相应的台阶状部分1111。详细地，台阶状部分1111包括：位于朝向腔室10外侧方向的第一表面1111a；位于朝向腔室10内侧方向的第二表面1111b；以及在第一表面1111a与第二表面1111b之间垂直形成的第三表面1111c。

由此，如图9中所示，第一封盖部件1110在朝向腔室内侧方向的横截面厚度厚于朝向腔室外侧方向的横截面厚度。例如，第一封盖部件1110在朝向腔室外侧方向的横截面厚度T₁(参考图11)为10mm或以下，而第一封盖部件1110在朝向腔室内侧方向的横截面厚度T₂(参考图11)为20mm或以上。此外，如图10中所示，第一封盖部件1110的第一表面1111a与第一内周表面51a接触，第二表面1111b与第二内周表面51b接触，且第三表面1111c与第三内周表面51c接触，由此覆盖开口50的内周表面51。

同时，如图9和10中所示，第二封盖部件1120被塑形为类似平板状。此外，第二封盖部件1120覆盖邻近开口50的腔室10的内壁和第一封盖部件1110的后表面，以防止暴露于处理空间。可以将第二封盖部件1120形成为覆盖形成有开口50的腔室10的整个内壁，或仅覆盖等离子体集中分布的开口附近的腔室内壁。此外，可以将第二封盖部件1120设置为单个部件或多个部件。

第二封盖部件1120防止邻近开口50附近的腔室10的内壁被等离子体蚀刻，并防止等离子体进入开口50与第一封盖部件1110之间。第二封盖部件1120由耐等离子体蚀刻性能优良的材料制成。例如，第二封盖部件1120可以由阳极氧化铝制成。

此外，参考图9，第三封盖部件1130比第一和第二封盖部件细，且被安装在第二封盖部件1120的邻近开口50的边缘。

如上所述，基于等离子体的蚀刻在等离子体工艺期间相对集中地发生在邻近腔室10的开口50的位置，且极其集中发生在开口50起始的边缘部分。因此，在该示例性实施例中，可以将第三封盖部件1130单独地安装在最容易受等离子体蚀刻损害的部分。

具体地，将第三封盖部件1130构造成具有小宽度的长衬垫形式。此外，弯曲部1131形成为一端与开口50相邻，且弯曲并朝向腔室外侧的方向凸起。因此，将第三封盖部件1130安装成覆盖第二封盖部件1120的后表面中邻近开口50的部分。此外，弯曲部1131弯曲与第二封盖部件1120的厚度T₃(参考图11)一样的长度，且覆盖第一封盖1110的后表面中邻近开口50的部分和第二封盖1120中面向开口50形成的一个表面，由此形成边缘，开口50从该边缘处起始。

在这种情况下，第三封盖部件1130被构造成小于第一和第二封盖部件1110和1120，且因此，即使其具有优良的耐蚀刻性能，但由于成本，利用不用于第一和第二封盖部件1110和1120的材料形成开口的边缘，由此提高等离子体处理设备11的耐用性。即使第三封盖部件采用与第一和第二封盖部件相同的材料制成，也会有利地降低维修和保养的成本，因为可以仅单独修复或替换蚀刻极易发生的开口的边缘部分。

图11是图10的腔室开口的剖视图。下面，将参考图11详细描述用于安装第一封盖部件1110、第二封盖部件120和第三封盖部件1130的结构。

如上所述，第一封盖部件1110、第二封盖部件1120和第三封盖部件1130由耐蚀刻性优良的材料制成。即使在这种情况下，随着重复执行等离子体工艺，第一封盖部件1110、第二封盖部件1120和第三封盖部件1130还是会被等离子体蚀刻且会使得处理空间变形。因此，可以利用多个紧固部件可拆卸地安装第一封盖部件1110、第二封盖部件1120和第三封盖部件1130，以便于它们可以在被蚀刻到特定程度以上的情况下容易被修复或替换。

具体地，第一封盖部件1110包括多个通孔1112。如图11中所示，将通孔1112形成为穿透第三表面1111c和形成在朝向腔室10内侧方向上的封盖部件1110的表面。这里，通孔1112的前端部(邻近第三表面)的直径小于后端部(邻近后表面)的直径。

第一紧固部件1140插入在多个通孔1112中并被固定，以便于可以将第一封盖部件1110固定在腔室10的壁中邻近开口50的位置。第一紧固部件1140包括头1141和外表带螺纹的主体1142。头1141的直径d₁大于通孔1112的前端部的直径D₁，但是小于后端部的直径D₂。因此，第一紧固部件1140的主体1142在插入通孔1112的同时，与在第三内周表面51c中形成的第一紧固孔52螺纹联结，由此固定第一封盖部件1110。

此外，通过第二紧固部件1150将第二封盖部件1120安装在腔室的内壁中。像第一紧固部件1140一样，第二紧固部件1150包括头1151和外表带螺纹的主体1152。因此，第二紧固部件1150插入到形成在第二封盖部件1120中的孔1121中，并与形成在腔室内壁中的第二紧固孔53螺纹联结，由此固定第二封盖部件1120。

同时，通过第三紧固部件1160将第三封盖部件1130与开口50相邻地安装在第二封盖部件1120的朝向腔室内侧形成的表面上。像第一和第二紧固部件1140和1150一样，第三紧固部件1160包括头1161和外表带螺纹的主体1162。因此，第三紧固部件1160插入形成在第三封盖部件1130中的孔1132中，并与形成在第二封盖部件1120中的第三紧固孔1122螺纹联结，由此固定第三封盖部件1130。

这里，第二紧固部件1150的头1151和第三紧固部件1160的头1161由耐蚀刻性优良的材料制成，因为其暴露于处理空间。例如，可以将第二紧固部件1150的头1151和第三紧固部件1160的头1161用耐蚀刻性优良的陶瓷材料涂敷或者用单独的陶瓷帽覆盖。

如上所述，图11公开了一种通过多个第一、第二和第三紧固部件安装第一、第二和第三封盖部件的结构。然而，这仅是用于示例性目的的实例。此外，可以通过各种方法安装封盖部件。

图12是示出根据另一可适用实例的腔室开口的结构的分解透视图，图13是图12的腔室开口的剖视图。下面，将参考图12和13详细描述安装第一、第二和第三封盖部件的另一可适用实例。

如图12和13中所示，如前述示例性实施例那样，第一封盖部件1110包括多个通孔1112，所述通孔穿透第三表面1111c和形成在朝向腔室内侧方向上的表面。每一通孔1112的前端部(邻近第三表面)的直径D₁小于后端部(邻近后表面)的直径D₂。此外，通孔1112的后端部可以是内部带螺纹的，且前端部可以是内部带螺纹的。

此时，第一紧固部件的主体1142的直径对应于通孔前端部的直径D₁。此外，第一紧固部件1140的头1141的直径d1大于通孔前端部的直径D₁，且等于或小于后端部的直径D₂。由此，在被插入通孔1112时，第一紧固部件1140与形成在第三内周表面51c中的第一紧固孔52螺纹联结，由此将第一封盖部件固定于腔室。

同时，第二紧固部件1150的主体1152的尺寸对应于形成在第一封盖部件1110中的通孔1112的后端部的直径D₂。此外，第二紧固部件1150的头1151形成为大于形成于第一封盖部件1110中的通孔的后端部的直径D₂。因此，在将第二封盖部件1120和第三封盖部件1130布置在安装位置的状态下，第二紧固部件1150穿过第二封盖部件1120的孔1121和第三封盖部件的孔1132，并与第一封盖部件1110的通孔1112螺纹联结，由此固定第二封盖部件1120和第三封盖部件1130。

如此，在图12和13中示出的可适用实例中，使用两个紧固部件，且第二紧固部件的主体的直径d₂等于或大于第一紧固部件的头。因此，利用一个通孔2112双重地固定第一紧固部件2140和第二紧固部件2150，由此固定和安装第一封盖部件2110和第二封盖部件2120。因此，能够减少固定紧固部件所需的紧固孔的数量，并由此简化处理和安装工艺。

下面，将参考图14至16来详细描述根据本发明第四示例性实施例的等离子体处理设备。这里，与第一示例性实施例中的元件相对应的元件采用相同的术语，且省略其重复说明。

图14是示出根据本发明第四示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图，图15是示出图14的腔室开口结构的剖视图。

如图14和15中所示，在该示例性实施例中，等离子体处理设备21包括：第一封盖部件2110，被安装成覆盖开口50的内周表面；第二封盖部件2120，被安装成覆盖腔室10的内壁和第一封盖部件2110的后表面(面朝腔室的内侧)；和第三封盖部件2130，被安装成覆盖第二封盖部件2120的后表面。第一封盖部件2110和第二封盖部件2120放置在开口50附近，通过该开口将衬底S运入处理空间或从其中取出。

具体地，在该示例性实施例中，开口50可以具有在水平方向上宽阔地形成的长方形或类长方形结构。此外，如图14中所示，开口50的内周表面51包括：位于朝向腔室10外侧方向的第一内周表面51a；位于朝向腔室10内侧方向且形成为与第一内周表面51a高度不同的第二内周表面51b；以及在第一内周表面51a与第二内周表面51b之间垂直形成的第三内周表面51c。

因此，开口50和腔室10的相邻壁在运送衬底S的方向上高度相互不同，以具有台阶状结构，从而使得朝向腔室内侧方向的开口可以大于朝向腔室外侧方向的开口，如图14中所示。

同时，第一封盖部件2110覆盖开口50的内周表面51以阻止其暴露于处理空间，由此防止开口50的内周表面51被等离子体蚀刻。因此，第一封盖部件2110由耐等离子体蚀刻性能优良的材料制成。例如，第一封盖部件2110由阳极氧化铝制成。

第一封盖部件2110的与开口50的内周表面51接触的一侧形成有与开口50的形状相应的台阶状部分2111。详细地，台阶状部分2111包括：位于朝向腔室10外侧方向的第一表面2111a；位于朝向腔室10内侧方向的第二表面2111b；以及在第一表面2111a与第二表面2111b之间垂直形成的第三表面2111c。

由此，如图14中所示，第一封盖部件2110在朝向腔室内侧方向的横截面厚度厚于朝向腔室外侧方向的横截面厚度。例如，第一封盖部件2110在朝向腔室外侧方向的横截面厚度T₁(参考图16)为10mm或以下，而第一封盖部件2110在朝向腔室内侧方向的横截面厚度T₂(参考图16)为20mm或以上。此外，如图15中所示，第一封盖部件2110的第一表面2111a与第一内周表面51a接触，第二表面2111b与第二内周表面51b接触，且第三表面2111c与第三内周表面51c接触，由此覆盖开口50的内周表面51。

此时，等离子体处理设备的腔室开口的尺寸可以根据衬底的尺寸而改变。在等离子体处理设备用于处理大尺寸衬底的情况下，开口的宽度可以达到2m或以上。因此，如果封盖部件尺寸太大，则一个人很难布置或安装与开口尺寸相应的第一封盖部件2110。

因此，根据该示例性实施例的等离子体处理设备的第一封盖部件2110还包括至少一个向外形成的凸起2113。此外，该凸起2113插入在形成在与开口50相邻的腔室10壁上的凹槽54中。因此，凸起2113与腔室壁的凹槽54对准，从而容易地确定第一封盖部件2110的位置。

具体地，如图14中所示，将凸起2113构造成包括头2113a和将头2113a与第一封盖部件2110的主体2110a连接的连接单元2113b。此时，可以将连接单元2113b形成得比头2113a的宽度窄。此外，形成与腔室10壁上的凹槽54与凸起2113的形状相对应地凹陷。因此，当凸起2113插入凹槽54中时，头2113a被腔室10的壁钩住并被固定，由此帮助第一封盖部件2110的紧固工作。

图14示出，所述头被塑形为在开口的宽度方向上比连接单元宽，且腔室壁的凹槽与凸起的形状相匹配，但不限于此。这是为了方便起见的实例。例如，可以将头塑形为在衬底S进入的方向上比连接单元宽，或者凹槽可以比凸起大预定尺寸以便可以容易地插入和安装凸起。此外，可以不同地设计凸起和凹槽，以便当将凸起插入并安装在凹槽内时可以导引第一封盖部件的安装位置。

这里，在第一封盖部件2110的顶部上形成凸起2113。由于凸起2113形成在第一封盖部件2110的顶部上，所以有利于形成凸起2113和凹槽54的形状和进行诸如凸起2113的插入和安装的操作，且能够通过第一封盖部件自己的重量，在凸起钩在凹槽内的状态下固定第一封盖部件。

图14示出第一封盖部件包括一个凸起，但不限于此。或者，第一封盖部件可以包括多个凸起。在这种情况下，多个凸起中的至少一个可以形成在第一封盖部件的顶部外侧，而其它的可以形成在第一封盖部件的一侧或底部。

同时，如图14和15中所示，将第二封盖部件2120被塑形为平板状。此外，第二封盖部件2120覆盖邻近开口50的腔室10的内壁和第一封盖部件2110的后表面，以防止暴露于处理空间。可以将第二封盖部件2120形成为覆盖形成有开口50的腔室10的整个内壁，或仅覆盖等离子体集中分布的开口附近的腔室内壁。此外，可以将第二封盖部件2120设置为单个部件或多个部件。

第二封盖部件防止邻近开口50附近的腔室10的内壁被等离子体蚀刻，并防止等离子体进入开口50与第一封盖部件2110之间。第二封盖部件2120由耐等离子体蚀刻性能优良的材料制成。例如，第二封盖部件2120可以由阳极氧化铝制成。

此外，如图14中所示，第三封盖部件2130比第一和第二封盖部件中的每一个细，且被安装在第二封盖部件2120的邻近开口50的边缘。

如上所述，基于等离子体的蚀刻在等离子体工艺期间相对集中地发生在邻近腔室10的开口50的位置，且极其集中发生在开口50起始的边缘部分。因此，在该示例性实施例中，将第三封盖部件2130单独安装在最容易受等离子体蚀刻损害的部分。

具体地，将第三封盖部件2130构造成具有小宽度的长衬垫形式。此外，弯曲部2131形成为一端与开口50相邻，且弯曲并朝向腔室外侧的方向凸起。因此，将第三封盖部件2130安装为覆盖第二封盖部件2120的后表面中邻近开口50的部分。此外，弯曲部2131弯曲与第二封盖部件2120的厚度T₃(参考图8)一样的长度，且覆盖第一封盖2110的后表面中邻近开口50的部分和第二封盖部件2120中面向开口50形成的一个表面，由此形成边缘，开口50从该边缘起始。

在这种情况下，第三封盖部件2130被构造成小于第一和第二封盖部件2110和2120，且因此，即使其具有优良的耐蚀刻性能但由于成本，利用不用于第一和第二封盖部件2110和2120的材料形成开口的边缘，由此提高等离子体处理设备21的耐用性。即使第三封盖部件采用与第一和第二封盖部件相同的材料制成，也会有利地降低维修和保养的成本，因为可以仅单独修复或替换仅蚀刻极易发生的开口边缘部分。

通过将参考图15详细说明的多个紧固部件，将第一封盖部件、第二封盖部件和第三封盖部件顺序地安装于腔室的开口。

如上所述，第一封盖部件2110和第二封盖部件2120由耐蚀刻性优良的材料制成。即使在这种情况下，随着重复执行等离子体工艺，第一封盖部件2110和第二封盖部件2120还会被等离子体蚀刻且会使得处理空间变形。因此，可以利用多个紧固部件可拆卸地安装第一封盖部件2110和第二封盖部件2120，以便于它们可以在被蚀刻到特定程度以上的情况下容易被修复或替换。

具体地，第一封盖部件2110包括多个通孔2112。如图15中所示，将通孔2112形成为穿透第三表面2111c和形成在朝向腔室10内侧方向上的封盖部件2110的表面。这里，通孔2112的前端部(邻近第三表面)的直径小于后端部(邻近后表面)的直径。

第一紧固部件2140插入在多个通孔2112中并被固定，以便于可以将第一封盖部件2110固定在腔室10的壁中邻近开口50的位置。第一紧固部件2140包括头2141和外表带螺纹的主体2142。头2141的直径d₁大于通孔2112的前端部的直径D₁，但是小于后端部的直径D₂。因此，第一紧固部件2140的主体2142在插入通孔2112的同时，与在第三内周表面51c中形成的第一紧固孔52螺纹联结，由此固定第一封盖部件2110。

此外，通过第二紧固部件2150将第二封盖部件2120安装在腔室的内壁中。像第一紧固部件2140一样，第二紧固部件2150包括头2151和外表带螺纹的主体2152。因此，第二紧固部件2150插入到形成在第二封盖部件2120中的孔2121中，并与形成在腔室内壁中的第二紧固孔53螺纹联结，由此固定第二封盖部件2120。

同时，通过第三紧固部件2160将第三封盖部件2130与开口50相邻地安装在第二封盖部件2120的朝向腔室内侧形成的表面上。像第一和第二紧固部件2140和2150一样，第三紧固部件2160包括头2161和外表带螺纹的主体2162。因此，第三紧固部件2160插入形成在第三封盖部件2130中的孔2132中，并与形成在第二封盖部件2120中的第三紧固孔2122螺纹联结，由此固定第三封盖部件2130。

这里，第二紧固部件2150的头2151和第三紧固部件2160的头2161由耐蚀刻性优良的材料制成，因为其暴露于处理空间。例如，可以将第二紧固部件2150的头2151和第三紧固部件2160的头2161用耐蚀刻性优良的陶瓷材料涂敷或者用单独的陶瓷帽覆盖。

如上所述，图15公开了一种通过多个第一、第二和第三紧固部件安装第一、第二和第三封盖部件的结构。然而，这仅是用于示例性目的的实例。此外，可以通过各种方法安装封盖部件。

图16是示出根据图15的另一可适用实例的腔室开口结构的剖视图。下面，将参考图16来详细描述安装第一、第二和第三封盖部件的另一可适用实例。

如图16中所示，如前述示例性实施例那样，第一封盖部件2110包括多个通孔2112，所述通孔穿透第三表面2111c和形成在朝向腔室内侧方向上的表面。每一通孔2112的前端部(邻近第三表面)的直径D₁小于后端部(邻近后表面)的直径D₂。此外，通孔2112的后端部可以是内部带螺纹的，且前端部可以是内部带螺纹的。

此时，第一紧固部件的主体2142的直径对应于通孔前端部的直径D₁。此外，第一紧固部件2140的头2141的直径d₁大于通孔前端部的直径D₁，且等于或小于后端部的直径D₂。由此，在被插入通孔2112时，第一紧固部件2140与形成在第三内周表面51c中的第一紧固孔52螺纹联结，由此将第一封盖部件固定于腔室。

同时，第二紧固部件2150的主体2152的尺寸对应于形成在第一封盖部件2110中的通孔2112的后端部的直径D₂。此外，第二紧固部件2150的头2151形成为大于形成于第一封盖部件2110中的通孔的后端部的直径D₂。因此，在将第二封盖部件2120和第三封盖部件2130布置在安装位置的状态下，第二紧固部件2150穿过第二封盖部件2120的孔2121和第三封盖部件的孔2132，并与第一封盖部件2110的通孔2112螺纹联结，由此固定第二封盖部件2120和第三封盖部件2130。

如此，在图16中示出的可适用实例中，使用两个紧固部件，且第二紧固部件的主体的直径d₂等于或大于第一紧固部件的头。因此，利用一个通孔2112双重地固定第一紧固部件2140和第二紧固部件2150，由此固定和安装第一封盖部件2110、第二封盖部件2120。因此，能够减少固定紧固部件所需的紧固孔的数量，并由此简化处理和安装工艺。

根据本示例性实施例的等离子体处理设备不限于图15中示出的安装结构，且可以被本领域技术人员改变。

下面，将参考图17和18来详细描述根据本发明第五示例性实施例的等离子体处理设备。这里，与第一示例性实施例的元件相应的元件采用相同的术语，并省略其重复说明。

图17是示出根据本发明第五示例性实施例的等离子体处理设备中的第一封盖部件的结构和邻近开口的腔室内壁的分解透视图，图18是示出图17的腔室开口结构的剖视图。

如图17和18中所示，根据该示例性实施例的等离子体处理设备包括被安装在腔室开口50中的第一封盖部件2110、第二封盖部件2120和第三封盖部件2130。第一封盖部件2110被安装成覆盖腔室开口50的内周表面2111，第二封盖部件2120被安装成覆盖腔室10的内壁和第一封盖部件2110的后表面(面朝腔室的内侧)，而第三封盖部件2130被安装成覆盖第二封盖部件2120的与开口50相邻的边缘。

此时，第一封盖部件2110包括朝外突出形成的多个凸起2113。此外，如图17中所示，可以分别在第一封盖部件2110的顶部和相对侧上形成多个凸起2113。图17示出第一封盖部件的底部没有凸起，但不限于此。选择地，可以在第一封盖部件的底部上设置凸起。

在该示例性实施例中，封盖部件2110在凸起2113中具有通孔2112。第一紧固部件2140在插入凸起2113的通孔2112中的时被固定，由此固定和安装第一紧固部件2140。虽然，根据前述第四示例性实施例的凸起仅导引第一紧固部件的位置和初步固定第一紧固部件，但是，在本示例性实施例中，在通过凸起2113确定第一封盖部件的安装位置的状态下，凸起2113直接固定第一紧固部件。虽然在第四示例性实施例中，将腔室的内周表面和第一封盖部件的主体构造成具有台阶状结构，以便于形成通孔，所述第一紧固部件被安装在该通孔中，但是，根据本示例性实施例，由于在凸起2113中形成通孔2112，因此在腔室10的内壁和第一封盖部件2110的主体2110a中不需要台阶状结构。因此，等离子体处理设备中的制造工艺变得更加简单，且在达到预定使用周期后将要被替换的第一封盖部件可以形成得很薄，以具有15mm或以下的厚度，由此降低成本。

特别地，如图17和18中所示，将形成于凸起2113中的通孔2112的前端部形成为与第一紧固部件2140的主体2142的直径相对应。此外，通孔2112的后端部等于或大于第一紧固部件2140的头2141的直径。因此，第一紧固部件2140在插入通孔2112时与在腔室10的内壁上形成的第一紧固孔52螺纹联结，由此固定第一封盖部件2110。

以这种方式，将第一紧固部件顺序地安装到第一封盖部件2110的顶部和相对侧的凸起，由此完成第一封盖部件的安装。

在图17中，第一封盖部件的凸起具有半圆形形状，但不限于此。选择地，可以将通孔结构应用到第四示例性实施例的凸起的形状。此外，凸起可以具有各种其他形状。

此外，图17示出第一封盖部件被构造成单个部件的结构，但不限于此。选择地，根据安装位置，封盖部件可以包括多个单元。在这种情况下，每一个单元可以具有凸起以单独地固定于腔室内壁。

此外，在安装第一封盖部件的情形下，可以在第一封盖部件之后安装第二封盖部件和第三封盖部件，由于在第四示例性实施例已描述，因此此处省略详细说明。

在上述等离子体处理设备中，在腔室的开口中安装多个封盖部件，由此提高抗等离子体蚀刻性能并通过修复和替换来降低成本。

如上所述，易受等离子体蚀刻损害的部分可以容易地被修复或替换，以便于可以提高等离子体处理设备的耐用性。此外，能够最小化在其中执行等离子体工艺的处理空间的变形，由此使得衬底具有均匀性质。

应该理解，示例性实施例仅是说明性的而不用于限制目的。因此，本发明的范围并非由本发明的详细描述来限定，而是由附属的权利要求书限定，且本领域技术人员应该理解，在不脱离如附属权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种改变。

Claims (26)

1.一种等离子体处理设备，包括：

腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；

第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及

第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述第一封盖部件包括：形成上部结构的第一单元；形成侧面结构的第二单元和第三单元；以及形成下部结构的第四单元。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其中，将所述第一单元和所述第四单元形成为具有相同的结构，将所述第二单元和所述第三单元形成为具有相同的结构，并将所述第一单元至所述第四单元分别在至少两处位置固定于所述腔室的壁上。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述开口的内周表面包括沿着运送所述衬底的方向的台阶状结构，且所述第一封盖部件包括在运送所述衬底的方向上的与所述内周表面形状相对应的台阶状部分。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理设备，其中，所述第一封盖部件在朝向所述腔室内侧方向的横截面厚度比朝向所述腔室外侧方向的横截面厚度厚。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，所述台阶状部分包括：形成为高度互不相同的第一表面和第二表面；和在所述第一表面与所述第二表面之间形成垂直表面的第三表面；以及

所述第一封盖部件包括多个通孔，该通孔穿透所述第三表面和所述第一封盖部件在朝向所述腔室内侧方向上形成的一个表面。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中，所述通孔包括：

一个端部，用于将所述第一封盖部件固定到所述腔室的第一紧固部件安装到该端部，

另一端部，用于将所述第二封盖部件固定到所述第一封盖部件朝向所述腔室内侧方向形成的一个表面的所述第二紧固部件安装到该端部，且

所述多个通孔包括前端部和后端部，且前端部的直径小于后端部的直径。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其中，将所述第一紧固部件的头安装到通孔的前端部，将所述第二紧固部件的主体安装到通孔的后端部，且所述第二紧固部件的主体的直径等于或大于所述第一紧固部件的所述头的直径。

9.一种等离子体处理设备，包括：

腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；

第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻；

第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面；以及

第三封盖部件，被安装成覆盖所述第二封盖部件的邻近所述开口的边缘。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理设备，其中，通过多个紧固部件将所述第一封盖部件、所述第二封盖部件和所述第三封盖部件安装成能够被替换。

11.根据权利要求9所述的等离子体处理设备，其中，所述开口的内周表面包括沿着运送所述衬底的方向的台阶状结构，且所述第一封盖部件包括在运送所述衬底的方向上的与所述内周表面形状相对应的台阶状部分。

12.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，所述第一封盖部件在朝向所述腔室内侧方向的横截面厚度比朝向所述腔室外侧方向的横截面厚度厚。

13.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，所述台阶状部分包括：形成为高度互不相同的第一表面和第二表面；和在所述第一表面与所述第二表面之间形成垂直表面的第三表面；以及

所述第一封盖部件包括多个通孔，该通孔穿透所述第三表面和所述第一封盖部件在朝向所述腔室内侧方向上形成的一个表面。

14.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，所述第三封盖部件在邻近所述开口的端部处包括在朝向腔室外侧方向上突出形成的弯曲部，且所述第三封盖部件覆盖朝向腔室内侧方向形成的一个表面上与所述开口相邻的部分、所述第二封盖部件面向所述开口形成的一个表面、以及所述第二封盖部件在朝向腔室内侧方向形成的一个表面上与所述开口相邻的部分，以及

所述弯曲部突起的长度与所述第二封盖部件的厚度相对应。

15.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中，所述通孔包括：

一个端部，用于将所述第一封盖部件固定到所述腔室的第一紧固部件安装到该端部，

另一端部，用于将所述第二封盖部件固定到所述第一封盖部件朝向所述腔室内侧方向形成的一个表面的所述第二紧固部件安装到该端部，且

所述多个通孔包括前端部和后端部，且前端部的直径小于后端部的直径。

16.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其中，将所述第一紧固部件的头安装到所述通孔的前端部，将所述第二紧固部件的主体安装到所述通孔的后端部，且所述第二紧固部件的主体的直径等于或大于所述第一紧固部件的所述头的直径。

17.一种等离子处理设备，包括：

腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；

第一封盖部件，包括向外突出且被插入和安装到形成在所述腔室壁上的凹槽内的凸起，且被安装成覆盖所述开口的内周表面以避免其暴露于所述处理空间；

第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向腔室内侧方向形成的表面；以及

第三封盖部件，被安装成覆盖所述第二封盖部件的邻近所述开口的边缘。

18.根据权利要求17所述的等离子体处理设备，其中，所述凸起插入和安装到所述腔室的所述凹槽内并导引安装所述第一封盖部件的位置。

19.根据权利要求18所述的等离子体处理设备，其中，所述凸起包括：头；和将所述头与所述第一封盖部件的主体连接且宽度比所述头窄的连接单元，并且将插入并安装有所述凸起的所述凹槽塑形为与该凸起相对应。

20.根据权利要求19所述的等离子体处理设备，其中，所述开口的内周表面包括沿着运送所述衬底的方向的台阶状结构，且所述第一封盖部件包括在运送所述衬底的方向上与所述内周表面形状相对应的台阶状部分。

21.根据权利要求20所述的等离子体处理设备，其中，所述第一封盖部件在朝向所述腔室内侧方向的横截面厚度比朝向所述腔室外侧方向的横截面厚度厚。

22.根据权利要求20所述的等离子体处理设备，其中，所述台阶状部分包括：形成为高度互不相同的第一表面和第二表面；和在所述第一表面与所述第二表面之间形成垂直表面的第三表面；以及

所述第一封盖部件包括多个通孔，该通孔穿透所述第三表面和所述第一封盖部件在朝向所述腔室内侧方向上形成的一个表面，且用于将所述第一封盖部件固定于所述腔室的壁的第一紧固部件插入和安装到该通孔中。

23.根据权利要求18所述的等离子体处理设备，其中，所述凸起包括至少一个通孔，且将所述第一紧固部件插入并安装在该通孔内以将所述第一封盖部件固定于所述腔室的壁。

24.根据权利要求23所述的等离子体处理设备，其中，分别在第一封盖部件的顶部和相对的侧面形成所述凸起。

25.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，所述第三封盖部件在邻近所述开口的端部处包括形成为在所述腔室外侧方向上突出的弯曲部，且所述第三封盖部件覆盖朝向所述腔室内侧方向形成的一个表面上与所述开口相邻的部分、所述第二封盖部件面向所述开口形成的一个表面、以及所述第二封盖部件在朝向所述腔室内侧方向形成的一个表面上与所述开口相邻的部分。

26.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，所述弯曲部突起的长度与所述第二封盖部件的厚度相对应。

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