CN202600319U - 薄膜晶体管阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括一基板，该基板包括：多条栅极线与多条数据线，栅极线和数据线交叉形成的像素区域；多条修复线，其中基板上方的修复线与数据线的输入端子相连，基板上方的修复线还连接位于基板左侧或右侧的Dummy像素的数据线，Dummy像素的数据线通过基板下方的修复线与数据线的终端相连接。本实用新型能节省配线空间。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜晶体管阵列基板。
背景技术
近年来随着LCD行业的发展，面板逐渐往大尺寸、多元化显示方向转变，因此如何提高面板的良率也是当前各个厂家面临的首要问题，所以，在提高产线生产工艺稳定性的同时，更是对面板的设计提出了更高的要求。
面板生产过程中的点线不良是造成面板良率问题的主要因素之一，当前各个TFT（薄膜晶体管）面板厂对于线不良的一般做法是在显示区外围放置线修补线路，各个IC（驱动集成电路）之间设有相互导通的连接线，在面板内的结构示意图如图1所示，有4个Source IC（源极驱动集成电路）和3个Gate IC（栅极驱动集成电路），如果数据线中间任何一点发生不良需要进行线修复时，通常的修复手法如图2所示。
当面板内有数据线发生不良，面板上方将进行两次激光熔接，打通修复回路，并在发生不良的线路右侧进行激光切断（图示虚线Cut处），以减少修复后线路的负载；面板下方也需要进行两次激光熔接，将修复回路打通，并切断发生不良的线路右侧（图示虚线Cut处），以减少修复后线路的负载。这样就可以形成完整的修复回路。当修复回路打通后，发生不良的数据线的信号可由面板上方的修复线输出，通过PCB（印刷电路板）上的信号放大器放大后，最后供给面板下方的修复线路进入到发生不良的数据线，从而达到线修复的目的。但是这种修复方法需要在面板外围放置修复线路，不仅占用了一定的空间，而且对于大尺寸的面板来说，外围走线过长也是引起RC值增加的最大因素，可能造成信号延迟之类的显示问题。
实用新型内容
实用新型目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本实用新型的目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板，节省配线空间。
技术方案：为实现上述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案为一种薄膜晶体管阵列基板，包括一基板，该基板包括：
多条栅极线与多条数据线，栅极线和数据线交叉形成的像素区域；
多条修复线，其中基板上方的修复线与数据线的输入端子相连，基板上方的修复线还连接位于基板左侧或右侧的Dummy像素（哑像素）的数据线，Dummy像素的数据线通过基板下方的修复线与数据线的终端相连接。
进一步地，还包括多条辅助修复线，基板上方的修复线通过辅助修复线与数据线的输入端子相连，基板上方的修复线还通过辅助修复线连接位于基板左侧或右侧的Dummy像素的数据线。
进一步地，所述修复线和数据线形成在第一金属层上，辅助修复线形成在第二金属层上。
有益效果：本实用新型可以在面板内发生线不良时，将Dummy像素线路用激光切断后作为修复通道进行线修复，避免在面板外围放置线修复结构，节省了空间。在不需要进行线修复时，可以将Dummy像素接地、Floating（浮接）或者接Vcom（公共电极）等。本实用新型可用于所有的显示领域线修复方面，优化面板内部的配线方式，节省配线空间，使面板尺寸更容易实现大尺寸化。
附图说明
图1为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图2为现有技术数据线断点修复的示意图；
图3为本实用新型薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图4为本实用新型数据线断点修复的示意图；
图5为图4中A-A’的断面图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
本实用新型利用显示区两侧的Dummy像素线路进行激光切断后作为线修复回路，代替原先通常设在面板外围线修复线路。在面板内结构示意图如图3所示。当面板中间发生信号线不良时，将显示区两侧的Dummy像素走线用激光切断，作为线修复回路。当无不良发生的状态下，可将Dummy像素接地、Floating（浮接）或者接Vcom（公共电极）电压，以起到平衡电场或者其他作用。
如图4和图5所示，本实用新型的修复线和辅助修复线分别由两个金属层构成，在两个金属层重合的地方，由下到上依次为：第一金属层1、第一绝缘层2、第二金属层3和第二绝缘层4。在Dummy像素修复位置放置两条信号连接线在进行线修复前，两层金属层被绝缘层隔绝无法导通；当需要进行线修复时，通过激光熔接图示的W1至W6点位，来实现两层金属间的导通，打通修复通道：断路靠近源极驱动器的一端信号正常，将该正常的信号通过W3进入辅助修复线，再通过W4进入上方的修复线，然后经过放大（图3所示）通过W1进入辅助修复线，再通过W2进入Dummy像素的信号线，接着通过W5进入基板下方的修复线，最后通过W6进入断路靠近基板下方的一端，使得断路下方的信号与断路上方相同。进行修复时，先将Dummy像素原先的接续线路切断（图示S0切断）。基板上方的切断是为了防止W2和W3之间短路；基板下方的切断是为了减小修复线的负载。
Claims (3)
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括一基板，该基板包括：
多条栅极线与多条数据线，栅极线和数据线交叉形成的像素区域；
多条修复线，其中基板上方的修复线与数据线的输入端子相连，基板上方的修复线还连接位于基板左侧或右侧的Dummy像素的数据线，Dummy像素的数据线通过基板下方的修复线与数据线的终端相连接。
2.根据权利要求1所述薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：还包括多条辅助修复线，基板上方的修复线通过辅助修复线与数据线的输入端子相连，基板上方的修复线还通过辅助修复线连接位于基板左侧或右侧的Dummy像素的数据线。
3.根据权利要求2所述薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述修复线和数据线形成在第一金属层上，辅助修复线形成在第二金属层上。
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| CN202600319U true CN202600319U (zh) | 2012-12-12 |
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Family Applications (1)
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2012
- 2012-05-08 CN CN 201220204170 patent/CN202600319U/zh not_active Expired - Lifetime
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