CN202571606U - 一种激光除胶的装置 - Google Patents

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彭信翰
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Abstract

本实用新型公开了一种激光除胶装置,包括:除胶部位选择单元,用于选择基体上需要除胶的部位;预设参数导入单元,用于导入除胶的预设参数,所述的预设参数包括:除胶部分占整个胶的百分比;除胶单元,与所述的预设参数导入单元及除胶部位选择单元相连,用于按照所述的预设参数多个激光束光斑点击来回点击所述的胶;除胶部分判断单元,与所述的除胶单元相连,用于判断除胶部分是否达到了所述的百分比,除胶完成提示单元,与所述的除胶部分判断单元相连,用于提示除胶完成并停止点击。实施本实用新型的激光除胶方法及装置用物理方法除去多余胶,提高IC产品的良率。

Description

一种激光除胶的装置
技术领域
本实用新型涉及激光应用领域,具体涉及一种激光除胶的装置。
背景技术
激光加工技术是利用激光束与物质相互作用的特性对材料(包括金属与非金属)进行钻开、焊接、表面处理、打孔、微加工以及作为光源,识别物体等的一门技术,传统应用最大的领域为激光加工技术,激光加工系统包括激光器、导光系统、加工机床、控制系统及检测系统。
激光机一般靠激光电源带动激光管发光,通过几个反光镜的折射,使光线传输到激光头,再由激光头上安装的聚焦镜将光线汇聚成为一点,而这一点可以达到很高的温度,从而将材料瞬间升华为气体,由抽风机吸走,这样就达到钻开或钻孔的目的。
BGA,BallGird Array,球栅阵列封装是用来代替IC元件封装结构中的引脚,从而满足电性互连以及机械连接要求的一种连接件。其终端产品为数码相机/MP3/MP4/笔记型电脑/移动通信设备(手机、高频通信设备)/LED/LCD/DVD/电脑主机板/PDA/车载液晶电视/家庭影院(AC3系统)/卫星定位系统等消费性电子产品。BGA/CSP封装件的发展顺应了技术发展的趋势并满足了人们对电子产品短、小、轻、薄的要求这是一种高密度表面装配封装技术,对bga返修台、bga封装、bga返修、BGA植球要求都非常高。在封装的底部,引脚都成球状并排列成一个类似於格子的图案,由此命名为BGA,产品特点:(胶)(无铅锡珠)的纯度和圆球度均非常高,适用於BGA,CSP等尖端封装技术及微细焊接使用,胶最小直径可为0.14mm,对非标准尺寸可以依客户的要求而定制.使用时具自动校正能力并可容许相对较大的置放误差,无端面平整度问题。
但由于元器件趋向于小型化,胶也趋向于小型化,且,在贴胶于元器件时,高温使得胶熔化后,熔液流到IC间隙处,造成外观不良,因此有必要除去一部分胶。
实用新型内容
为了解决以上的技术问题,本实用新型提供一种激光除胶的装置。
本实用新型公开了一种激光除胶的装置,包括:
除胶部位选择单元,用于选择基体上需要除胶的部位;
除胶部位选择单元,用于选择基体上需要除胶的部位;
预设参数导入单元,用于导入除胶的预设参数,所述的预设参数包括:除胶部分占整个胶的百分比;
除胶单元,与所述的预设参数导入单元及除胶部位选择单元相连,用于激光束按照所述的预设参数多个光斑连续点击所述的胶体;
除胶部分判断单元,与所述的除胶单元相连,用于判断除胶部分是否达到了所述的百分比;
除胶完成提示单元,与所述的除胶部分判断单元相连,用于提示除胶完成并停止点击。
在本实用新型所述的激光除胶的装置中,还包括压缩空气吹入单元,与所述的除胶单元相连,用于在所述的钻开部位吹入压缩空气,吹走汽化的和/或钻开下来的材料。
在本实用新型所述的激光除胶的装置中,所述的基体包括IC块、BGA。
在本实用新型所述的激光除胶的装置中,所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
在本实用新型所述的激光除胶的装置中,所述的百分比为20%至90%。
实施本实用新型的一种激光除胶的装置,具有以下有益的技术效果:
物理方法除去多余胶,降低因基板局部变形造成的连锡现象,提高产品的良率。
附图说明
图1是本实用新型实施例一种激光除胶方法流程图;
图2是本实用新型实施例一种激光除胶装置功能方框图;
图3为激光光斑示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
请参阅图1及图3,一种激光除胶方法,包括:
S1.选择基体上需要除胶的部位;
基体为印刷线路板或电子元器件表面有接触电极须要上锡膏或胶的产品,如IC,BGA...都可以使用此工艺,将基体的需要除胶的部位放在激光发生器照射下的区域内,较佳地,激光波长为192nm~10640nm。
S2.导入除胶的预设参数,所述的预设参数包括:切剔部分占整个胶的百分比;所述的百分比为20%至90%。
预设的参数包括:点击次数,由于激光的能量高,胶被扫过很快汽化,为了防止胶粘连,实践证实,除胶部分占整个胶的20%至90%为宜。
S3.按照所述的预设参数来回多个光斑点击所述的胶;所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
为了钻切方便,激光束可根据需要除胶的部分而不断上下移动、左右移动、前后移动。
S31,在所述的除胶部分吹入压缩空气,吹走汽化的和/或切除下来的材料。
高速气流对激光与基体相互作用区有一定的冷却作用,使激光与基体互相作用产生的热量向基体内部的传导深度降低,从而使由于受热融化快速冷却而产生的重铸层厚度下降,激光束射向基体样品,激光束焦点处的能量密度超过基体的破坏阀值,使得切割处的基体汽化成陶瓷颗粒,通过吹入压缩空气将汽化状态的基体颗粒迅速去除,以免影响下面的加工。
S4.判断除胶部分是否达到了所述的百分比,若是,进入步骤S5,若否,返回步骤S3;
S5.提示除胶完成并停止点击。
请参阅图2,一种激光除胶的装置,用于实现上述的方法,包括:
除胶部位选择单元10、预设参数导入单元20、除胶单元30、压缩空气吹入单元35、除胶部分判断单元40、切剔完成提示单元50。
除胶部位选择单元10,用于选择基体上需要除胶的部位;
预设参数导入单元20,用于导入除胶的预设参数,所述的预设参数包括:切剔部分占整个胶的百分比;
除胶单元30,与预设参数导入单元20相连,用于按照预设参数来回多个光斑点击所述的胶;;
除胶部分判断单元40,与除胶单元30相连,用于判断除胶部分是否达到了所述的百分比;
除胶完成提示单元50,与除胶部分判断单元40相连,用于提示除胶完成并停止点击。
较佳地,本实用新型的一种激光除胶的装置还包括压缩空气吹入单元35,与除胶单元30相连,用于在所述的钻开部位吹入压缩空气,吹走汽化的和/或钻开下来的材料。
其中,所述的基体包括IC块、BGA,所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动,所述的百分比为20%至90%。
实施本实用新型的一种激光除胶方法和装置,具有以下有益的技术效果:
物理方法除去多余胶,降低因基板局部变形造成的连锡现象,提高产品的良率。
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述,但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下,在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种激光除胶的装置,其特征在于,包括:
除胶部位选择单元,用于选择基体上需要除胶的部位;
预设参数导入单元,用于导入除胶的预设参数,所述的预设参数包括:除胶部分占整个胶的百分比;
除胶单元,与所述的预设参数导入单元及除胶部位选择单元相连,用于激光束按照所述的预设参数多个光斑连续点击所述的胶体;
除胶部分判断单元,与所述的除胶单元相连,用于判断除胶部分是否达到了所述的百分比;
除胶完成提示单元,与所述的除胶部分判断单元相连,用于提示除胶完成并停止点击。
2.根据权利要求1所述的激光除胶的装置,其特征在于,还包括压缩空气吹入单元,与所述的除胶单元相连,用于在所述的钻开部位吹入压缩空气,吹走汽化的和/或钻开下来的材料。
3.根据权利要求1或2任一项所述的激光除胶的装置,其特征在于,所述的基体包括IC块、BGA。
4.根据权利要求1或2任一项所述的激光除胶的装置,其特征在于,所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
5.根据权利要求1或2任一项所述的激光除胶的装置,其特征在于,所述的百分比为20%至90%。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106695121A (zh) * 2017-01-09 2017-05-24 上海交通大学 一种压缩空气辅助的激光熔融去除镀层的装置及方法
CN110102900A (zh) * 2019-04-03 2019-08-09 大族激光科技产业集团股份有限公司 紫外激光除胶方法和系统
CN111438444A (zh) * 2018-12-28 2020-07-24 北京北科天绘科技有限公司 一种基于器件阵列巨量转移的激光切割方法及系统

Cited By (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106695121A (zh) * 2017-01-09 2017-05-24 上海交通大学 一种压缩空气辅助的激光熔融去除镀层的装置及方法
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CN110102900A (zh) * 2019-04-03 2019-08-09 大族激光科技产业集团股份有限公司 紫外激光除胶方法和系统
CN110102900B (zh) * 2019-04-03 2020-11-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 紫外激光除胶方法和系统

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Addressee: SHENZHEN MUSEN TECHNOLOGIES Co.,Ltd.

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