CN102554473A - 一种激光除锡球的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种激光除锡球方法，包括：S1.选择基体上需要除锡球的部位；S2.导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；S3.按照所述的预设参数移动激光束来回扫描所述的锡球；S4.判断切锡部分是否达到了所述的百分比S5.提示切锡完成并停止扫描。本发明还公开了一种激光除锡球装置。实施本发明的激光除锡球方法及装置用物理方法除去多余锡球，提高IC产品的良率。

Description

一种激光除锡球的方法和装置
技术领域
本发明涉及激光应用领域，具体涉及一种激光除锡球方法和装置。
背景技术
激光加工技术是利用激光束与物质相互作用的特性对材料(包括金属与非金属)进行钻开、焊接、表面处理、打孔、微加工以及作为光源，识别物体等的一门技术，传统应用最大的领域为激光加工技术，激光加工系统包括激光器、导光系统、加工机床、控制系统及检测系统。
激光机一般靠激光电源带动激光管发光，通过几个反光镜的折射，使光线传输到激光头，再由激光头上安装的聚焦镜将光线汇聚成为一点，而这一点可以达到很高的温度，从而将材料瞬间升华为气体，由抽风机吸走，这样就达到钻开或钻孔的目的。
锡球(BGA，Ball Gird Array，球栅阵列封装)是用来代替IC元件封装结构中的引脚，从而满足电性互连以及机械连接要求的一种连接件。其终端产品为数码相机/MP3/MP4/笔记型电脑/移动通信设备(手机、高频通信设备)/LED/LCD/DVD/电脑主机板/PDA/车载液晶电视/家庭影院(AC3系统)/卫星定位系统等消费性电子产品。BGA/CSP封装件的发展顺应了技术发展的趋势并满足了人们对电子产品短、小、轻、薄的要求这是一种高密度表面装配封装技术，对bga返修台、bga封装、bga返修、BGA植球要求都非常高。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似於格子的图案，由此命名为BGA，产品特点：(锡球)(无铅锡珠)的纯度和圆球度均非常高，适用於BGA，CSP等尖端封装技术及微细焊接使用，锡球最小直径可为0.14mm，对非标准尺寸可以依客户的要求而定制.使用时具自动校正能力并可容许相对较大的置放误差，无端面平整度问题。
但由于元器件趋向于小型化，锡球也趋向于小型化，且，在贴锡球于元器件时，高温使得锡球熔化后，熔液流到IC间隙处，造成短路，因此有必要除去一部分锡球。
发明内容
为了解决以上的技术问题，本发明提供一种激光除锡球方法和装置。
本发明公开了一种激光除锡球的方法，包括：
S1.选择基体上需要除锡球的部位；
S2.导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；
S3.按照所述的预设参数来回扫描所述的锡球；
S4.判断切锡部分是否达到了所述的百分比，若是，进入步骤S5，若否，返回步骤S3；
S5.提示切锡完成并停止扫描。
在本发明所述的激光除锡球的方法中，在步骤S3及步骤S4间还包括步骤S31，在所述的切剔部分吹入压缩空气，吹走汽化的和/或切除下来的材料。
在本发明所述的激光除锡球的方法中，所述的基体包括IC块、BGA。。
在本发明所述的激光除锡球的方法中，所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
在本发明所述的激光除锡球的方法中，所述的百分比为20％至90％。
本发明公开了一种激光除锡球的装置，用于实现上述的方法，包括：
切锡部位选择单元，用于选择基体上需要除锡球的部位；
预设参数导入单元，用于导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；
切锡单元，与所述的预设参数导入单元及预设参数导入单元相连，用于按照所述的预设参数来回扫描所述的锡球；
切锡部分判断单元，与所述的切锡单元相连，用于判断切锡部分是否达到了所述的百分比；
切剔完成提示单元，与所述的切锡部分判断单元相连，用于提示切锡完成并停止扫描。
在本发明所述的激光除锡球的装置中，还包括压缩空气吹入单元，与所述的切锡单元相连，用于在所述的钻开部位吹入压缩空气，吹走汽化的和/或钻开下来的材料。
在本发明所述的激光除锡球的装置中，所述的基体包括IC块、BGA。
在本发明所述的激光除锡球的装置中，所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
在本发明所述的激光除锡球的装置中，所述的百分比为20％至90％。
实施本发明的一种激光除锡球方法和装置，具有以下有益的技术效果：
物理方法除去多余锡球，降低因基板局部变形造成的连锡现象，提高产品的良率。
附图说明
图1是本发明实施例一种激光除锡球方法流程图；
图2是本发明实施例一种激光除锡球装置流程图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
请参阅图1，一种激光除锡球方法，包括：
S1.选择基体上需要除锡球的部位；
基体为印刷线路板或电子元器件表面有接触电极须要上锡膏或锡球的产品，如IC，BGA...都可以使用此工艺，将基体的需要除锡的部位放在激光发生器照射下的区域内，较佳地，激光波长为192nm～10640nm。
S2.导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；所述的百分比为20％至90％。
预设的参数包括：扫描次数，由于激光的能量高，锡球被扫过很快汽化，为了防止锡球粘连，实践证实，切剔部分占整个锡球的20％至90％为宜。
S3.按照所述的预设参数来回扫描所述的锡球；所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
为了钻切方便，激光束可根据需要切割的部分而不断上下移动、左右移动、前后移动。
S31，在所述的切剔部分吹入压缩空气，吹走汽化的和/或切除下来的材料。
高速气流对激光与基体相互作用区有一定的冷却作用，使激光与基体互相作用产生的热量向基体内部的传导深度降低，从而使由于受热融化快速冷却而产生的重铸层厚度下降，激光束射向基体样品，激光束焦点处的能量密度超过基体的破坏阀值，使得切割处的基体汽化成陶瓷颗粒，通过吹入压缩空气将汽化状态的基体颗粒迅速去除，以免影响下面的加工。
S4.判断切锡部分是否达到了所述的百分比，若是，进入步骤S5，若否，返回步骤S3；
S5.提示切锡完成并停止扫描。
请参阅图2，一种激光除锡球的装置，用于实现上述的方法，包括：
切锡部位选择单元10、预设参数导入单元20、切锡单元30、压缩空气吹入单元35、切锡部分判断单元40、切剔完成提示单元50。
切锡部位选择单元10，用于选择基体上需要除锡球的部位；
预设参数导入单元20，用于导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；
切锡单元30，与预设参数导入单元20相连，用于按照所述的预设参数来回扫描所述的锡球；
切锡部分判断单元40，与切锡单元30相连，用于判断切锡部分是否达到了所述的百分比；
切剔完成提示单元50，与切锡部分判断单元40相连，用于提示切锡完成并停止扫描。
较佳地，本发明的一种激光除锡球的装置还包括压缩空气吹入单元35，与切锡单元30相连，用于在所述的钻开部位吹入压缩空气，吹走汽化的和/或钻开下来的材料。
其中，所述的基体包括IC块、BGA，所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动，所述的百分比为20％至90％。
实施本发明的一种激光除锡球方法和装置，具有以下有益的技术效果：
物理方法除去多余锡球，降低因基板局部变形造成的连锡现象，提高产品的良率。
上面结合附图对本发明的实施倒进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种激光除锡球的方法，其特征在于，包括：
S1.选择基体上需要除锡球的部位；
S2.导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；
S3.按照所述的预设参数移动激光束来回扫描所述的锡球；
S4.判断切锡部分是否达到了所述的百分比，若是，进入步骤S5，若否，返回步骤S3；
S5.提示切锡完成并停止扫描。
2.根据权利要求1所述的激光除锡球的方法，其特征在于，在步骤S3及步骤S4间还包括步骤S31，在所述的切剔部分吹入压缩空气，吹走汽化的和/或切除下来的材料。
3.根据权利要求1或2任一项所述的激光除锡球的方法，其特征在于，所述的基体为包括IC块、BGA。
4.根据权利要求1或2任一项所述的激光除锡球的方法，其特征在于，所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
5.根据权利要求1或2任一项所述的激光除锡球的方法，其特征在于，所述的百分比为20％至90％。
6.一种激光除锡球的装置，用于实现权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
切锡部位选择单元，用于选择基体上需要除锡球的部位；
预设参数导入单元，用于导入除锡球的预设参数，所述的预设参数包括：切剔部分占整个锡球的百分比；
切锡单元，与所述的预设参数导入单元及切锡部位选择单元相连，用于按照所述的预设参数来回移动激光束来回扫描所述的锡球；
切锡部分判断单元，与所述的切锡单元相连，用于判断切锡部分是否达到了所述的百分比；
切剔完成提示单元，与所述的切锡部分判断单元相连，用于提示切锡完成并停止扫描。
7.根据权利要求6所述的激光除锡球的装置，其特征在于，还包括压缩空气吹入单元，与所述的切锡单元相连，用于在所述的钻开部位吹入压缩空气，吹走汽化的和/或钻开下来的材料。
8.根据权利要求6或7任一项所述的激光除锡球的装置，其特征在于，所述的基体包括IC块、BGA。
9.根据权利要求6或7任一项所述的激光除锡球的装置，其特征在于，所述的激光束可X轴、Y轴、Z轴三个方向上运动。
10.根据权利要求6或7任一项所述的激光除锡球的装置，其特征在于，所述的百分比为20％至90％。
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