CN202534325U - 发光二极管的驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种发光二极管的驱动电路,此驱动电路包括一电流驱动单元以及一残影消除电路,其中,残影消除电路包括一残影消除单元以及一判断单元。电流驱动单元具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号。残影消除单元耦接电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压。判断单元耦接残影消除单元,用以输出残影消除信号给残影消除单元。另外,判断单元根据一闩锁信号,决定残影消除信号输出的时间。本实用新型利用发光二极管的驱动电路本身所需要接入的信号,来判定在画面的插黑期间是否通过将电流驱动端的电压拉高至高电位来加强消除残影。
Description
技术领域
本实用新型是有关于一种发光二极管的驱动电路,且特别是有关于一种具有残影消除功能的发光二极管的驱动电路。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有体积小、省电且耐用等优点。而且随着工艺的成熟,价格下降,近来以发光二极管做为光源的产品越来越普遍。发光二极管在各种终端设备中被广泛使用,从汽车前照灯、交通信号灯、文字显示器、看板及大荧幕视频显示器,到普通及建筑照明和LCD背光等领域。
请参照图1,其为先前技术的发光二极管的驱动装置示意图。发光二极管的驱动装置主要由驱动线选择器110与驱动电路120组成,驱动线选择器110可以选择所导通的驱动线L1、L2。每一条驱动线L1、L2分别连接多个发光二极管D1~D4,如图1所示。驱动电路120则是用来控制发光二极管D1~D4的驱动电流,其具有多个电流驱动端OUT1、OUT2,分别对应于不同行的发光二极管D1~D4。详细来说,驱动电路120中具有电流源电路,可以用来控制流进电流驱动端OUT1、OUT2的电流,以分别控制发光二极管D1~D4的亮度。
在多扫(multi-scanning)的驱动架构下,例如二扫或四扫,驱动线选择器110必须在同一图框周期中扫描多组发光二极管。在扫描切换过程中会因为发光二极管寄生电容而产生残影问题,残影现象会随着切换次数的增加而趋于严重。
实用新型内容
本实用新型的一目的是提供一种发光二极管的驱动电路,其驱动电路会在画面插黑时,将电流驱动端的电压拉高至高电位,以降低发光二极管的残影问题。
本实用新型的另一目的是提供一种发光二极管的驱动电路,用以利用发光二极管的驱动电路本身所需要接入的信号作为插黑的基准,来判定是否通过插黑来消除残影。
本实用新型提出一种发光二极管的驱动电路,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一闩锁信号,决定该残影消除信号致能的时间。
该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
本实用新型提出一种发光二极管的驱动电路,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一闩锁信号以及一致能信号,决定该残影消除信号致能的时间。
该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
该判断单元包括:
一与门,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,其中,该与门的第一输入端接收该闩锁信号,该与门的第二输入端接收该致能信号,该与门的输出端输出该残影消除信号。
该判断单元还包括:
一反相器,耦接于该致能信号与该与门的第二输入端之间,用以反相该致能信号。
该判断单元包括:
一具有清除功能的边缘触发D型触发器,包括一数据输入端、一时脉输入端、一清除输入端以及一输出端,其中,该触发器的数据输入端接收该致能信号,该触发器的时脉输入端接收该闩锁信号,该触发器的清除输入端接收该致能信号,该触发器的输出端输出该残影消除信号。
本实用新型提出一种发光二极管的驱动电路,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一闩锁信号以及一数据时脉信号,决定该残影消除信号致能的时间。
该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
该判断单元包括:
一与门,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,其中,该与门的第一输入端接收该闩锁信号,该与门的第二输入端接收该数据时脉信号,该与门的输出端输出该残影消除信号。
该判断单元包括:
一具有清除功能的边缘触发D型触发器,包括一数据输入端、一时脉输入端、一清除输入端以及一输出端,其中,该触发器的数据输入端接收该闩锁信号,该触发器的时脉输入端接收该数据时脉信号,该触发器的清除输入端接收该闩锁信号,该触发器的输出端输出该残影消除信号。
本实用新型提出一种发光二极管的驱动电路,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一致能信号,决定该残影消除信号致能的时间。
该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
本实用新型提出一种发光二极管的驱动电路,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一致能信号以及一数据时脉信号,决定该残影消除信号致能的时间。
该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
该判断单元包括:
一与门,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,其中,该与门的第一输入端接收该致能信号,该与门的第二输入端接收该数据时脉信号,该与门的输出端输出该残影消除信号。
该判断单元包括:
一具有清除功能的边缘触发D型触发器,包括一数据输入端、一时脉输入端、一清除输入端以及一输出端,其中,该触发器的数据输入端接收该致能信号,该触发器的时脉输入端接收该数据时脉信号,该触发器的清除输入端接收该致能信号,该触发器的输出端输出该残影消除信号。
本实用新型的精神主要是利用发光二极管的驱动电路本身所需要接入的信号,例如闩锁信号(LATCH)、致能信号(ENABLE)、数据时脉信号(DATA CLK,DCK)作为基准,来判定在画面的插黑期间是否通过将电流驱动端的电压拉高至高电位来加强消除残影。
为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,但是此等说明与所附图式仅系用来说明本实用新型,而非对本实用新型的权利范围作任何的限制。
附图说明
图1为先前技术的发光二极管的驱动装置示意图。
图2A为本发明第一实施例的发光二极管驱动装置的示意图。
图2B为本实用新型第一实施例的图2A的波形图。
图3A为本实用新型第二实施例的发光二极管驱动装置的示意图。
图3B为本实用新型第二实施例的图3A的波形图。
图3C为本实用新型第二实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图4为本实用新型第二实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图5A为本实用新型第三实施例的发光二极管驱动装置的示意图。
图5B为本实用新型第三实施例的图5A的波形图。
图6A为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的示意图。
图6B为本实用新型第四实施例的图6A的波形图。
图6C为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图7为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图8为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图9A为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的示意图。
图9B为本实用新型第五实施例的图9A的波形图。
图9C为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图10为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
图11为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的电路图。
其中,附图标记说明如下:
110:驱动线选择器
120:驱动电路
L1、L2:驱动线
D1~D4:发光二极管
OUT1、OUT2:电流驱动端
200:驱动装置
210:驱动线选择器
220:驱动电路
222:电流驱动单元
223:残影消除电路
224:残影消除单元
226:判断单元
OUT1、OUT2:电流驱动端
VDD:驱动电压
VP:高电压
GND:接地端
EN:致能信号
DCK:数据时脉信号
DI、DO:数据信号
LAT:闩锁信号
P1、P2:PMOS晶体管
N1、N2:NMOS晶体管
326、526、626、926:判断单元
326-D、626-D、926-D:D型触发器
401、701、801、1001、1101:与门
802、1102:反相器
Q:D型触发器的输出端
D:D型触发器的输入端
clk:D型触发器的清除接脚
SW1、SW2:开关元件
DN:失能信号
具体实施方式
在下文中,将通过图式说明本实用新型的实施例来详细描述本实用新型,而图式中的相同参考数字可用以表示类似的元件。
(第一实施例)
图2A为本实用新型第一实施例的发光二极管驱动装置的示意图。请参照图2A,发光二极管驱动装置200包括驱动线选择器210与发光二极管驱动电路220。驱动线选择器210用以扫描驱动线L1、L2,其分别连接有多个发光二极管D1~D4。驱动线选择器210可以透过PMOS晶体管P1与NMOS晶体管N1连接至驱动线L1,其中PMOS晶体管P1则连接于驱动电压VDD与驱动线L1之间,而NMOS晶体管N1连接于接地端GND与驱动线L1之间。驱动线选择器210可以通过控制PMOS晶体管P1与NMOS晶体管N1,来决定是否提供驱动电压VDD至驱动线L1以驱动对应的发光二极管D1、D2。
驱动线选择器210可以透过PMOS晶体管P2与NMOS晶体管N2连接至驱动线L2,其电路结构相似,不再赘述。驱动线选择器210可以配合不同的扫描方式,例如二扫或四扫,调整其电路架构,在此不再赘述。上述所谓二扫或四扫表示利用一个电流驱动端OUT1在同一图框周期中去驱动两组(行)或四组(行)发光二极管。
驱动电路220包括电流驱动单元222与残影消除电路223。残影消除电路223尚包括判断单元226与残影消除单元224,其中残影消除单元224耦接于电流驱动单元222的多个电流驱动端OUT1、OUT2,用来调整电流驱动端OUT1、OUT2的电压电平。判断单元226耦接于残影消除单元224与电流驱动单元222,在画面的插黑期间中根据闩锁信号LAT致能残影消除信号EL并输出至残影消除单元224。残影消除单元224会根据残影消除信号EL,在插黑期间中,将电流驱动端OUT1、OUT2的电压电平拉高至一高电压准位。
在插黑期间中,驱动电路220会将电流驱动端OUT1、OUT2的电流降低至零,也就是将发光二极管D1~D4关闭以插入黑画面。插入黑画面可以降低画面残影。因此,在插黑期间中,电流驱动单元222会失能以停止驱动发光二极管D1~D4。电流驱动单元222可以由致能信号EN控制而失能,也可以根据判断单元226所输出的失能信号DN失能,只要时序上与插黑期间同步即可,本实施例不限制驱动电路220的控制方式。
上述残影消除单元224可由开关元件SW1、SW2配合一高电压VP实现。当判断单元226根据闩锁信号LAT侦测到一插黑期间时,会致能残影消除信号EL去导通开关SW1、SW2,以减少残影产生。当判断单元226未侦测到插黑期间时,残影消除信号EL为失能状态,开关SW1、SW2会被关闭,以正常驱动发光二极管D1~D4。在开关SW1、SW2导通时,高电压VP会输出至电流驱动端OUT1、OUT2,使得发光二极管D1~D4的阴极端的电压提高至高电压电平,以降低残影产生。
图2B为本实用新型第一实施例的图2A的波形图。请参考图2B,当闩锁信号LAT为致能,此实施例是逻辑高电压时,恰好是画面切换期间,换句话说,此时正好是残影消除的时机,因此,可以通过闩锁信号LAT是否致能,来判定是否进行残影消除处理。
(第二实施例)
以上实施例是以闩锁信号LAT来做残影消除的动作。以下另外采用不同的信号作为实施例以进行残影消除。图3A为本实用新型第二实施例的发光二极管驱动装置的示意图。请同时参考图2A与图3A,上述图2A与图3A的差异在于,图3A的判断单元326接收了闩锁信号LAT以及致能信号EN。当闩锁信号LAT以及致能信号EN同时致能时,判断单元326会致能残影消除信号EL,此时,残影消除单元224可通过上述实施例或其他方式,消除残影。
图3B为本实用新型第二实施例的图3A的波形图。请参考图3B,当闩锁信号LAT以及致能信号EN同时致能,此实施例是逻辑高电压时,恰好是画面切换期间,换句话说,此时正好是残影消除的时机,因此,可以通过闩锁信号LAT以及致能信号EN是否致能,来判定是否进行残影消除处理。另外,在此实施例中,请参考图3B,判断单元326采用以闩锁信号LAT的正边缘触发以开始残影消除,并且以致能信号EN的负边缘触发以结束残影消除。
图3C为本实用新型第二实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图3C与图3A,其中,图3C的D型触发器326-D为图3A的判断单元326的电路实施例。Q表示D型触发器326-D的输出端;D表示D型触发器326-D的输入端;clk表示D型触发器326-D的时脉端;clr表示D型触发器326-D的清除接脚。
当D型触发器326-D的clk端接收到闩锁信号LAT由逻辑低电压转为逻辑高电压时,且此时,D型触发器326-D的D输入端接收到致能信号EN为逻辑高电压,D型触发器326-D的输出端Q会致能残影消除信号EL。当致能信号EN由逻辑高电压转为逻辑低电压时,D型触发器326-D会使残影消除信号EL失能。
图4为本实用新型第二实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图4,上述图3A与图4的差异在于,判断单元326通过一与门401实施,由于画面切换期间,闩锁信号LAT以及致能信号EN会同时致能,通过此期间,利用致能残影消除信号EL的方式,告知残影消除单元224使其进行残影消除。所属技术领域具有通常知识者应当知道,虽然图3B的判断单元326采用以闩锁信号LAT的正边缘触发以开始残影消除,并且以致能信号EN的负边缘触发以结束残影消除,图4是用与门401,换句话说,也就是闩锁信号LAT以及致能信号EN都有致能的情况下才会进行残影消除,但是对于残影消除的时间上,只相差一点,并不影响残影消除的功能。因此本发明不以此为限。
(第三实施例)
以上实施例是以闩锁信号LAT以及致能信号EN来做残影消除的动作。以下另外采用不同的信号作为实施例以进行残影消除。图5A为本实用新型第三实施例的发光二极管驱动装置的示意图。请同时参考图2A与图5A,上述图2A与图5A的差异在于,图5A的判断单元526接收了致能信号EN。当致能信号EN致能时,判断单元526会致能残影消除信号EL,此时,残影消除单元224可通过上述实施例或其他方式,消除残影。
图5B为本实用新型第三实施例的图5A的波形图。请参考图5B,当致能信号EN为致能,此实施例是逻辑高电压时,恰好是画面切换期间,换句话说,此时正好是残影消除的时机,因此,可以通过致能信号EN是否致能,来判定是否进行残影消除处理。
(第四实施例)
以上实施例是以致能信号EN来做残影消除的动作。以下另外采用不同的信号作为实施例以进行残影消除。图6A为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的示意图。请同时参考图2A与图6A,上述图2A与图6A的差异在于,图6A的判断单元626接收了闩锁信号LAT以及数据时脉信号DCK。当闩锁信号LAT以及数据时脉信号DCK同时致能时,判断单元626会致能残影消除信号EL,此时,残影消除单元224可通过上述实施例或其他方式,消除残影。
图6B为本实用新型第四实施例的图6A的波形图。请参考图6B,当闩锁信号LAT以及数据时脉信号DCK同时致能,此实施例是逻辑高电压时,恰好是画面切换期间,换句话说,此时正好是残影消除的时机,因此,可以通过闩锁信号LAT以及数据时脉信号DCK是否致能,来判定是否进行残影消除处理。同样的,在此实施例中,请参考图6B,判断单元626采用以数据时脉信号DCK的正边缘触发以开始残影消除,并且以闩锁信号LAT的负边缘触发以结束残影消除。
图6C为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图6C与图6A,其中,图6C的D型触发器626-D为图6A的判断单元626的电路实施例。当D型触发器626-D的clk端接收到数据时脉信号DCK由逻辑低电压转为逻辑高电压时,且此时,D型触发器626-D的D输入端接收到闩锁信号LAT为逻辑高电压,D型触发器626-D会致能残影消除信号EL。当闩锁信号LAT由逻辑高电压转为逻辑低电压时,D型触发器626-D会使残影消除信号EL失能。
图7为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图7,上述图6A与图7的差异在于,判断单元626通过由一与门701实施,由于画面切换期间,闩锁信号LAT以及数据时脉信号DCK会同时致能,通过此期间,利用致能残影消除信号EL的方式,告知残影消除单元224使其进行残影消除。所属技术领域具有通常知识者应当知道,虽然图6B的判断单元626采用以数据时脉信号DCK的正边缘触发以开始残影消除,并且以闩锁信号LAT的负边缘触发以结束残影消除,图7是用与门701,换句话说,也就是数据时脉信号DCK以及闩锁信号LAT都有致能的情况下才会进行残影消除,但是对于残影消除的时间上,两者只相差一点,并不影响残影消除的功能。因此本发明不以此为限。
图8为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图8,上述图7与图8的差异在于,判断单元626通过一与门801以及一反相器802实施,由于在闩锁信号LAT致能时,数据时脉信号DCK并不一定是逻辑高电压,逻辑电压是根据不同设计而改变的,此实施例假设,当闩锁信号LAT致能时,数据时脉信号DCK是逻辑低电压时,则额外增加反相器。同样的,上述几个实施例,若电压反相时,所属技术领域具有通常知识者参考本实施例后,也可以举一反三,通过增加反相器,以达成相同目的,故在此不予赘述。
(第五实施例)
以上实施例是以闩锁信号LAT以及数据时脉信号DCK来做残影消除的动作。以下另外采用不同的信号作为实施例以进行残影消除。图9A为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的示意图。请同时参考图2A与图9A,上述图2A与图9A的差异在于,图9A的判断单元926接收了致能信号EN以及数据时脉信号DCK。当致能信号EN以及数据时脉信号DCK同时致能时,判断单元926会致能残影消除信号EL,此时,残影消除单元224可通过上述实施例或其他方式,消除残影。
图9B为本实用新型第五实施例的图9A的波形图。请参考图9B,当致能信号EN以及数据时脉信号DCK同时致能,此实施例是逻辑高电压时,恰好是画面切换期间,换句话说,此时正好是残影消除的时机,因此,可以通过致能信号EN以及数据时脉信号DCK是否致能,来判定是否进行残影消除处理。同样的道理,在此实施例中,请参考图9B,判断单元926采用以数据时脉信号DCK的正边缘触发以开始残影消除,并且以致能信号EN的负边缘触发以结束残影消除。
图9C为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图9C与图9A,其中,图9C的D型触发器926-D为图6A的判断单元926的电路实施例。当D型触发器926-D的clk端接收到数据时脉信号DCK由逻辑低电压转为逻辑高电压时,且此时,D型触发器926-D的D输入端接收到致能信号EN为逻辑高电压,D型触发器926-D会致能残影消除信号EL。当致能信号EN由逻辑高电压转为逻辑低电压时,D型触发器926-D会使残影消除信号EL失能。
图10为本实用新型第五实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图10,上述图9A与图10的差异在于,判断单元926通过由一与门1001实施,由于画面切换期间,致能信号EN以及数据时脉信号DCK会同时致能,通过此期间,利用致能残影消除信号EL的方式,告知残影消除单元224使其进行残影消除。所属技术领域具有通常知识者应当知道,虽然图9B的判断单元926采用以数据时脉信号DCK的正边缘触发以开始残影消除,并且以致能信号EN的负边缘触发以结束残影消除,图10是用与门1001,换句话说,也就是数据时脉信号DCK以及致能信号EN都有致能的情况下才会进行残影消除,但是对于残影消除的时间上,两者只相差一点,并不影响残影消除的功能。因此本发明不以此为限。
图11为本实用新型第四实施例的发光二极管驱动装置的电路图。请参考图11,上述图10与图11的差异在于,判断单元926通过一与门1101以及一反相器1102实施,由于在致能信号EN致能时,数据时脉信号DCK并不一定是逻辑高电压,逻辑电压是根据不同设计而改变的,此实施例假设,当致能信号EN致能时,数据时脉信号DCK是逻辑低电压时,则额外增加反相器。同样的,上述几个实施例,若电压反相时,所属技术领域具有通常知识者参考本实施例后,也可以举一反三,通过增加反相器,以达成相同目的,故在此不予赘述。
上述D型触发器326-D、626-D、926-D例如是具有清除功能的边缘触发D型触发器(Edge-Triggered D Flip-Flop with Clear Function),但本发明不限制于此。
综上所述,本实用新型的精神主要是利用发光二极管的驱动电路本身所必需要接入的信号,例如闩锁信号(LATCH)、致能信号(ENABLE)、数据时脉信号(DATA CLK,DCK)作为基准,来判定在画面的插黑期间是否通过将电流驱动端的电压拉高至高电位来加强消除残影。
在较佳实施例的详细说明中所提出的具体实施例仅用以方便说明本实用新型的技术内容,而非将本实用新型狭义地限制于上述实施例,在不超出本实用新型的精神及以下申请专利范围的情况,所做的种种变化实施,皆属于本实用新型的范围。因此本实用新型的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (22)
1.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一闩锁信号,决定该残影消除信号致能的时间。
2.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
3.如权利要求2所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
4.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一闩锁信号以及一致能信号,决定该残影消除信号致能的时间。
5.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
6.如权利要求5所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
7.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元包括:
一与门,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,其中,该与门的第一输入端接收该闩锁信号,该与门的第二输入端接收该致能信号,该与门的输出端输出该残影消除信号。
8.如权利要求7所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元还包括:
一反相器,耦接于该致能信号与该与门的第二输入端之间,用以反相该致能信号。
9.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元包括:
一具有清除功能的边缘触发D型触发器,包括一数据输入端、一时脉输入端、一清除输入端以及一输出端,其中,该触发器的数据输入端接收该致能信号,该触发器的时脉输入端接收该闩锁信号,该触发器的清除输入端接收该致能信号,该触发器的输出端输出该残影消除信号。
10.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一闩锁信号以及一数据时脉信号,决定该残影消除信号致能的时间。
11.如权利要求10所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
12.如权利要求11所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
13.如权利要求10所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元包括:
一与门,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,其中,该与门的第一输入端接收该闩锁信号,该与门的第二输入端接收该数据时脉信号,该与门的输出端输出该残影消除信号。
14.如权利要求10所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元包括:
一具有清除功能的边缘触发D型触发器,包括一数据输入端、一时脉输入端、一清除输入端以及一输出端,其中,该触发器的数据输入端接收该闩锁信号,该触发器的时脉输入端接收该数据时脉信号,该触发器的清除输入端接收该闩锁信号,该触发器的输出端输出该残影消除信号。
15.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一致能信号,决定该残影消除信号致能的时间。
16.如权利要求15所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
17.如权利要求15所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
18.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,包括:
一电流驱动单元,具有至少一电流驱动端以及一致能端,其中该致能端接收一致能信号;以及
一残影消除电路,包括:
一残影消除单元,耦接该电流驱动端,用以根据一残影消除信号调整该电流驱动端的电压;以及
一判断单元,耦接该残影消除单元,用以输出该残影消除信号给该残影消除单元,其中,该判断单元根据一致能信号以及一数据时脉信号,决定该残影消除信号致能的时间。
19.如权利要求18所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括:
一开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,其中,该开关的第一端耦接一高电压,该开关的第二端耦接该电流驱动端,该开关的控制端接收该残影消除信号。
20.如权利要求19所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
21.如权利要求18所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元包括:
一与门,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,其中,该与门的第一输入端接收该致能信号,该与门的第二输入端接收该数据时脉信号,该与门的输出端输出该残影消除信号。
22.如权利要求18所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该判断单元包括:
一具有清除功能的边缘触发D型触发器,包括一数据输入端、一时脉输入端、一清除输入端以及一输出端,其中,该触发器的数据输入端接收该致能信号,该触发器的时脉输入端接收该数据时脉信号,该触发器的清除输入端接收该致能信号,该触发器的输出端输出该残影消除信号。
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