CN202474035U - 一种增加光取出效率的led芯片垂直结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构通过设置椭球形微透镜配合与其匹配的反射罩，使增加光取出效率的LED芯片垂直结构所发出的光纤不受临界角的限制，光输出功率比传统的平面LED芯片垂直结构的光输出功率高很多，满足了使用者的使用需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及化合物半导体器件领域，尤其涉及一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构。
背景技术
传统的平面LED芯片垂直结构所发出的光因为临界角被限制而不容易射出平面LED芯片垂直结构外部，导致平面LED芯片垂直结构的光取出效率十分低，不能满足人们的使用需求。
实用新型内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构去满足人们的使用需求。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案内容具体如下：
一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。
优选地，本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构还包括一焊料反射层；所述负极欧姆电极底部通过所述焊料反射层连接所述蓝宝石基座。
优选地，所述焊料反射层为Ag层或Al层或Ag合金层或Al合金层或In层或In合金层或Cu层或金锡焊料层或铅锡焊料层或导电胶层。
优选地，本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构还包括背金层；所述背金层设于蓝宝石基座的底部。
优选地，所述背金层为Au层或Ag层或Al层或GeAu合金层或AuBe合金层。
优选地，所述蓝宝石基座是Cu或CuW合金或AuAl或Si或GaAs或InP或AlN或金刚石或镍铁合金或镍制成的导电导热基座。
优选地，所述的导电导热基座的厚度为50-500微米。
与现有技术相比，本实用新型产生了如下有益效果：
1、设置椭球形微透镜配合与其匹配的反射罩，使增加光取出效率的LED芯片垂直结构所发出的光纤不受临界角的限制，光输出功率比传统的平面LED芯片垂直结构的光输出功率高很多，满足了使用者的使用需求。
2、使用Cu或CuW合金或AuAl或Si或GaAs或InP或AlN或金刚石或镍铁合金或镍制成的导电导热基座作为蓝宝石基座，使增加光取出效率的LED芯片垂直结构的散热性更好。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的描述。
附图说明
图1为本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构较优选实施例的结构示意图。
其中，1、外延层；2、反射罩；3、正极欧姆电极；4、负极欧姆电极；5、蓝宝石基座；6、椭球形微透镜；7、焊料反射层；8、背金层。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构其主要包括外延层1、设置在外延层1顶部并设有椭圆开孔（图未示）的反射罩2、分别设置在外延层1顶部和底部的正极欧姆电极3和负极欧姆电极4、设置在负极欧姆电极4底部的蓝宝石基座5、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜6；所述椭球形微透镜6嵌入所述椭圆开孔中。
具体地，本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构还包括一焊料反射层7；所述负极欧姆电极4底部通过所述焊料反射层7连接所述蓝宝石基座5。
具体地，所述焊料反射层7为Ag层或Al层或Ag合金层或Al合金层或In层或In合金层或Cu层或金锡焊料层或铅锡焊料层或导电胶层。
具体地，本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构还包括背金层8；所述背金层8设于蓝宝石基座5的底部。
具体地，所述背金层8为Au层或Ag层或Al层或GeAu合金层或AuBe合金层。
具体地，所述蓝宝石基座5是Cu或CuW合金或AuAl或Si或GaAs或InP或AlN或金刚石或镍铁合金或镍制成的导电导热基座。
具体地，所述的导电导热基座的厚度为50-500微米。
对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，作出其他各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。
2.如权利要求1所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：还包括一焊料反射层；所述负极欧姆电极底部通过所述焊料反射层连接所述蓝宝石基座。
3.如权利要求2所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：所述焊料反射层为Ag层或Al层或Ag合金层或Al合金层或In层或In合金层或Cu层或金锡焊料层或铅锡焊料层或导电胶层。
4. 如权利要求3所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：还包括背金层；所述背金层设于蓝宝石基座的底部。
5.如权利要求4所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：所述背金层为Au层或Ag层或Al层或GeAu合金层或AuBe合金层。
6.如权利要求1-5任何一项所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：所述蓝宝石基座是Cu或CuW合金或AuAl或Si或GaAs或InP或AlN或金刚石或镍铁合金或镍制成的导电导热基座。
7.如权利要求6所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：所述的导电导热基座的厚度为50-500微米。
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Country Status (1)
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2012
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| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
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Granted publication date: 20121003 |
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