CN202472631U - 一种保护flash数据的复位控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型一种保护FLASH数据的复位控制电路，包括与FLASH连接的微控制单元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，其中，所述微控制单元MCU接口IO判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效时，由逻辑电路输出保持信号给微控制单元MCU读取。由于该复位控制电路通过禁止微控制单元MCU擦除FLASH数据时产生外部复位，从而达到防止擦除FLASH数据时强行中断复位导致由FLASH误擦或误写而引起微控制单元MCU错误的目的，可以适用于微控制单元MCU内部的FLASH存储单元或外部FLASH存储。
Description
技术领域
本实用新型涉及复位控制电路技术领域，特别涉及一种保护对微控制单元内的FLASH存储数据的复位控制电路。
背景技术
FLASH作为存储介质已经广泛应用，将FLASH作为存储介质时通常会设置相应的保护电路，避免出现突然掉电时出现数据丢失情况。
现有的FLASH保护技术，大多是在软件层面上，即通过软件的方式针对FLASH数据完整性的保护，或外挂FLASH的保护。对于需要用FLASH内的数据进行修改的系统中，在FLASH擦除过程中复位，可能导致FLASH误擦或误写，引起MCU(Micro Control Unit，微控制单元)无法启动或异常工作，而这种原因造成的破坏通常是不可逆的，也就是说不可恢复的。
同时MCU在运行过程中可能会出现由于各种原因引起外部复位，如：手动复位，复位信号受强干扰复位等，也可能对FLASH数据产生破坏。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种保护FLASH数据的复位控制电路，该复位控制电路可以避免在需要用FLASH内的数据进行修改的系统中，擦除FLASH过程中复位导致FLASH误擦或误写而引起MCU(无法启动或异常工作。
为了解决上述问题，本实用新型提供一种保护FLASH数据的复位控制电路，该保护FLASH数据的复位控制电路包括：与FLASH连接的微控制单元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，在所述微控制单元MCU接口IO2与逻辑电路之间设有上电延时开关，其中，所述微控制单元MCU接口IO1判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效时，由逻辑电路输出保持信号给微控制单元MCU读取。
进一步地说，所述微控制单元通过接口IO的高低电平反映内部FLASH是否处于擦写状态；当接口IO为高电平时，所述FLASH处于擦写状态。
进一步地说，所述微控制单元MCU为低电平复位时逻辑电路的输入输出之间的关系：
当BUSY＝H，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝H，RESET＝L；HOLD＝H，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
所述微控制单元MCU为高电平复位时，逻辑电路的输入输出之间的关系：
当BUSY＝H，RESET＝H；HOLD＝H，RST＝L；
当BUSY＝H，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
当BUSY＝L，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
其中，H表示高电平，L表示低电平，RESET为复位电路产生的复位信号。
进一步地说，所述上电延时开关包括至少一个电容和三极管，其中电容的一端与三极管的基极连接。
本实用新型保护FLASH数据的复位控制电路，包括与FLASH连接的微控制单元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，在所述微控制单元MCU接口IO2与逻辑电路之间设有上电延时开关，其中，所述微控制单元MCU接口IO1判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效时，由逻辑电路输出保持信号给微控制单元MCU读取。由于该复位控制电路通过禁止微控制单元MCU擦除FLASH数据时产生外部复位，从而达到防止擦除FLASH数据时强行中断复位导致由FLASH误擦或误写而引起微控制单元MCU错误的目的，可以适用于微控制单元MCU内部的FLASH存储单元或外部FLASH存储。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，而描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1是本实用新型保护FLASH数据的复位控制电路实施例原理框图。
具体实施方式
为了使要实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，本实用新型提供一种保护FLASH数据的复位控制电路实施例。
该保护FLASH数据的复位控制电路包括：与FLASH连接的微控制单元MCU1和复位电路3，所述复位电路3通过逻辑电路2与该微控制单元MCU1电连接，在所述微控制单元MCU1接口IO2与逻辑电路2之间设有上电延时开关4，其中，所述微控制单元MCU1接口IO1判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路2生成有效的外部复位信号，当逻辑电路2对外部复位电路3输出的信号判为无效时，由逻辑电路2输出保持信号给微控制单元MCU1读取。
具体地说，所述微控制单元MCU通过接口IO1的高低电平反映内部FLASH是否处于擦写状态；当接口IO1为高电平时，所述微控制单元MCU内部的FLASH处于擦写状态。当微控制单元MCU内部的FLASH处于擦写状态时，逻辑电路2对外部复位电路3输出的信号判为无效，由逻辑电路2输出保持信号给微控制单元MCU1读取，直到微控制单元MCU内部的FLASH处于擦写完成后，所述逻辑电路2对外部复位电路3输出的信号判为有效，逻辑电路2输出信号给微控制单元MCU1，由微控制单元MCU控制其内的FLASH进行复位。
所述上电延时开关4包括至少一个电容和三极管，或与三极管效的其他元器件，其中，所述电容的一端与三极管的基极或与三极管效的其他元器件控制极连接。当上电时，利用电容的充放电特性控制三极管或与三极管等效器件暂时切断BUSY与逻辑电路的通路，电阻与电容相连用于调节电容的充放电时间，即可调整开关时间。当所述微控制单元MCU1为低电平复位时，逻辑电路2的输入和输出之间的关系如下：
当BUSY＝H，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝H，RESET＝L；HOLD＝H，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
当所述微控制单元MCU1为高电平复位时，所述逻辑电路2的输入和输出之间的关系如下：
当BUSY＝H，RESET＝H；HOLD＝H，RST＝L；
当BUSY＝H，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
当BUSY＝L，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
其中，H表示高电平，L表示低电平，RESET为复位电路产生的复位信号。
由于该复位控制电路在上电时微控制单元MCU的IO1电平可能处于未知状态，导致微控制单元MCU无法上电复位，需要上电延时开关。在上电时暂时切断BUSY信号与逻辑电路的通路。即复位控制电路通过禁止微控制单元MCU擦除FLASH数据时产生外部复位，从而达到防止擦除FLASH数据时强行中断复位导致由FLASH误擦或误写而引起微控制单元MCU错误的目的，可以适用于微控制单元MCU内部的FLASH存储单元或外部FLASH存储。
采用本复位控制电路后，任意连续复位都未出现微控制单元MCU因其内部FLASH数据破坏而无法启动或异常工作的情况，证明本控制电路能有效的解决这种情况的出现。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (4)
1.一种保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于：
其包括与FLASH连接的微控制单元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，在所述微控制单元MCU接口IO2与逻辑电路之间设有上电延时开关，其中，所述微控制单元MCU接口IO1判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效时，由逻辑电路输出保持信号给微控制单元MCU读取。
2.根据权利要求1所述的保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于：
所述微控制单元MCU通过接口IO的高低电平反映内部FLASH是否处于擦写状态；当接口IO为高电平时，所述FLASH处于擦写状态。
3.根据权利要求1或2所述的保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于：
当所述微控制单元MCU为低电平复位时逻辑电路的输入输出之间的关系：
当BUSY＝H，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝H，RESET＝L；HOLD＝H，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
或当所述微控制单元MCU为高电平复位时，逻辑电路的输入输出之间的关系：
当BUSY＝H，RESET＝H；HOLD＝H，RST＝L；
当BUSY＝H，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
当BUSY＝L，RESET＝H；HOLD＝L，RST＝H；
当BUSY＝L，RESET＝L；HOLD＝L，RST＝L；
其中，H表示高电平，L表示低电平，RESET为复位电路产生的复位信号。
4.根据权利要求1或2所述的保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于：
所述上电延时开关包括至少一个电容和三极管，其中电容的一端与三极管的基极连接。
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| CN104461664A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 深圳市辰卓科技有限公司 | Mcu启动模式选择电路 |
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