CN202465873U - 一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板，该冷却板由三个钼柱(2)镶嵌于铜板(3)中构成，每个钼柱(2)的中心区域加工有等离子体通道孔(201)，外圆柱面上加工有环形凹槽(202)，三个等离子体通道孔(201)均布于冷却板上，铜板(3)上设有一进水口(4)和一出水口(1)，铜板(3)内设有三个水通道，每个水通道分别与一个钼柱(2)的环形凹槽(202)连通。本实用新型不仅能增大薄膜沉积面积、提高薄膜沉积效率，而且能有效的减小离子源的空间尺寸。

Description

一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板
技术领域
本实用新型涉及一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备晶硅和薄膜太阳能电池的关键设备。按等离子体源与样品的关系可将PECVD技术分为直接和间接技术。多级直流弧放电等离子体PECVD技术是间接PECVD技术一种，这种沉积装置中等离子体源和沉积腔室间的压力相差很大，达到亚大气压，在这种等离子体源中氩气气体的离化率可达10％，NH3分解率可达100％。这样阳极喷嘴喷出的等离子体喷射扩展到沉积腔室时会有大量活性的离子或中性原子存在，而且低压的沉积腔室可以有效的避免不同活性粒子之间的复合。由于实现了样品和等离子体源的分离，可以降低等离子体中离子对薄膜的溅射和损伤，实现高速的沉积率，达到20nm/s(普通的射频等离子体源沉积速率是30nm/min)。目前多级直流弧放电等离子体发生装置存在的问题是：由于冷却板上只有一个等离子体通道孔，使得薄膜的沉积面积较小。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板，该冷却板能增大薄膜沉积面积、提高薄膜沉积效率。
为达到上述目的，本实用新型采用的解决方案是：该冷却板由三个钼柱镶嵌于铜板中构成，每个钼柱的中心区域加工有等离子体通道孔，外圆柱面上加工有环形凹槽，三个等离子体通道孔均布于冷却板上，铜板上设有一进水口和一出水口，铜板内设有三个水通道，每个水通道分别与一个钼柱的环形凹槽连通，铜板上还设有安装O型密封圈的环形槽。
本实用新型具有如下效果：
(1)由于设有三个等离子体通道孔，并将其集成在一起，因此不仅能增大薄膜沉积面积、提高薄膜沉积效率，而且能有效的减小离子源的空间尺寸，使整个结构更为紧凑；
(2)由于三个等离子体通道采用具有良好耐高温性能的钼加工而成，因此能有效的延长通道的使用寿命；
(3)由于采用一个进水口分流后对三个等离子体通道进行冷却，因此不仅能有效的冷却等离子体通道，而且可减少外部的水冷管道。
附图说明
图1为本实用新型的纵剖视图。
图2为本实用新型的横剖视图。
图中：1-出水口    2-钼柱    201-等离子体通道孔202-环形凹槽    3-铜板    301-环形槽    4-进水口
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1、图2所示，本实用新型由三个钼柱2镶嵌于铜板3中构成，每个钼柱2的中心区域加工有等离子体通道孔201，外圆柱面上加工有环形凹槽202，三个等离子体通道孔201均布于冷却板上，铜板3上设有一进水口4和一出水口1，铜板3内设有三个水通道，每个水通道分别与一个钼柱2的环形凹槽202连通，铜板3上设有安装O型密封圈的环形槽301。工作时，冷却水由进水口4进入，然后经三个水通道分别流入钼柱2的环形凹槽202内，对等离子体通道及冷却板之间的O形密封圈进行冷却，最后经水通道从出水口1流出。

Claims (1)

1.一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板，其上设有安装O型密封圈的环形槽(301)，其特征在于：所述冷却板由三个钼柱(2)镶嵌于铜板(3)中构成，每个钼柱(2)的中心区域加工有等离子体通道孔(201)，外圆柱面上加工有环形凹槽(202)，三个等离子体通道孔(201)均布于冷却板上，铜板(3)上设有一进水口(4)和一出水口(1)，铜板(3)内设有三个水通道，每个水通道分别与一个钼柱(2)的环形凹槽(202)连通。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105042320A (zh) * 2015-08-25 2015-11-11 无锡大力神钢构科技有限公司 一种含铅含银涂锡铜带
CN113727507A (zh) * 2021-08-17 2021-11-30 哈尔滨工业大学 一种多通道电弧等离子体源级联铜片水冷装置及其优化方法

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