CN202421524U - 一种变色品膜系结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种变色品膜系结构，是一种光电信息技术领域。它自下而上依次设置由柔性PET基材、Si3N4薄膜、SiO2薄膜和ITO薄膜所组成的层状结构。将测得的镀Si3N4薄膜的反射率曲线与镀有Nb2O5薄膜的反射率曲线进行比较。由反射率曲线可以得出结论，Si3N4薄膜在紫外波段的色品要远远好于Nb2O5薄膜。
Description
技术领域
本实用新型公开了一种基于氮化硅薄膜的高色品的膜系，是一种光电信息技术领域。
背景技术
对于不同的薄膜材料，其性能也各不相同，薄膜材料性能的差别所表现出来的颜色品质也有差异。薄膜的色调可以用两个反射面所形成的颜色反射差来描述。所以根据测量得到的镀膜前后的反射率差值就可以判断薄膜色调好坏。色调的对比表现出色品空间。如果膜系当中使用Nb2O5作为高透射率材料，用SiO2作为低折射率保护膜，Nb2O5薄膜虽然折射率很高，而且在可见光波段和红外光波段也有很好的透过率，但是其在短波段的强吸收特性会使膜系性能受到很大的影响，尤其是短波段色彩品质较差。
Si3N4是重要的结构陶瓷材料，它是一种表面均匀平整度好的薄膜。属于六方晶系，晶体呈六面体，密度 
，其折射率在2.0-2.1之间，硬度D约为9.0-9.5，是一种超硬物质，它本身具有润滑性耐磨损的原子晶体。它抗氧化能力强而且还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却后再急剧加热，也不会碎裂。它还是一种超硬物质，不仅具有高折射率，而且不溶于普通的酸碱，并且有很强的抗冷热冲击能力，由多晶硅与氮气的反应制备而成，是很好的半导体保护膜。只要控制好薄膜厚度，它在短波段范围也有很好的透过率。将Si3N4用于PET柔性膜系中取得了很好的效果。
发明内容
为了克服上述缺陷，本实用新型的目的在于提供一种从短波段到红外波段都有很好色品的薄膜结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种变色品膜系结构，它自下而上依次设置由柔性PET基材、Si3N4薄膜、SiO2薄膜和ITO薄膜所组成的层状结构。所述的PET基材是一种柔性基材膜片，折射率n=1.56，膜片厚度0.025- 0.30mm。所述的Si3N4薄膜为粘结层与高折射率层，折射率n=2.0-2.1，厚度为10-50nm。所述的SiO2薄膜为低折射率薄膜和抗腐蚀保护膜，其厚度为50-100nm。
本实用新型的有益效果为：从可见光到红外波段，Si3N4薄膜和Nb2O5薄膜镀膜前后的反射率差都很小，即有很好的色品，但是在短波段，Nb2O5薄膜的吸收却很强，色品也较差。这是因为Nb2O5的非均匀性密度导致其有很大的折射率散布，所以在短波段出现强吸收。而Si3N4薄膜，短波段的吸收非常的弱，甚至可以忽略不计。将测得的镀Si3N4薄膜的反射率曲线与镀有Nb2O5薄膜的反射率曲线进行比较。由反射率曲线可以得出结论，Si3N4薄膜在紫外波段的色品要远远好于Nb2O5薄膜。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了详细叙述本实用新型专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此：
一种变色品膜系结构，其特征在于：它自下而上依次设置由柔性PET基材1、Si3N4薄膜2、SiO2薄膜3和ITO薄膜4所组成的层状结构。
所述的PET基材1是一种柔性基材膜片，折射率n=1.56，膜片厚度0.025- 0.30mm。
所述的Si3N4薄膜2为粘结层与高折射率层，折射率n=2.0-2.1，厚度为10-50nm。
所述的SiO2薄膜3为低折射率薄膜和抗腐蚀保护膜，其厚度为50-100nm。
所述的ITO薄膜材料中铟锡配比为97%:3%，方阻在150Ω/□左右，厚度为10-50nm。
本实用新型所设计膜系的薄膜结构如下：首先在PET柔性膜片上溅射一层Si3N4薄膜，因为Si3N4薄膜有很强的粘附性，可以增加薄膜与基材的附着力；并且Si3N4属于高折射率材料，PET属于低折射率材料，从增透的角度来考虑这种方法也有很好的效果；接着在Si3N4薄膜上磁控溅射一层SiO2薄膜作为低折射率的保护层，制作触摸屏的过程当中，通常在ITO膜上面用酸性液进行蚀刻，因此需要不溶于酸碱的保护层来保护膜系结构；最后在SiO2薄膜上镀一层透明导电材料ITO，其折射率远高于SiO2薄膜，符合H/L/H高透过率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。
Claims (4)
1.一种变色品膜系结构，其特征在于：它自下而上依次设置由柔性PET基材（1）、Si3N4薄膜（2）、SiO2薄膜（3）和ITO薄膜（4）所组成的层状结构。
2.根据权利要求1所述的变色品膜系结构，其特征在于：所述的PET基材（1）是一种柔性基材膜片，折射率n=1.56，膜片厚度0.025- 0.30mm。
3.根据权利要求1所述的变色品膜系结构，其特征在于：所述的Si3N4薄膜（2）为粘结层与高折射率层，折射率n=2.0-2.1，厚度为10-50nm。
4.根据权利要求1所述的变色品膜系结构，其特征在于：所述的SiO2薄膜（3）为低折射率薄膜和抗腐蚀保护膜，其厚度为50-100nm。
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2012
- 2012-01-18 CN CN2012200217005U patent/CN202421524U/zh not_active Expired - Lifetime
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