CN202403744U - Mems热式流量传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种MEMS热式流量传感器，它包括MEMS热式流量感测芯片和流体通道，所述流体通道的内壁设置有凹槽，所述MEMS热式流量感测芯片安装在所述凹槽内，所述MEMS热式流量感测芯片的敏感面与所述流体通道的内壁表面平齐；所述流体通道是内壁光滑且横截面呈方形的管道。该MEMS热式流量传感器具有结构简单、成本低、易于实现、效果突出、检测结果精确性高的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种流量传感器，具体的说，涉及了一种MEMS热式流量传感器。
背景技术
在硅等半导体基板上使用MEMS加工工艺制造的热式流量传感器通常叫MEMS热式流量传感器，此种半导体型的热式流量传感器，通常是在数微米厚的薄膜状半导体基板上形成发热电阻体和感温元件；该传感器因为是采用薄膜类结构，所以，它具有热容量小、可高速响应、可低电压驱动的优点；此外，该传感器采用MEMS加工工艺，容易形成发热电阻体和感温元件，利于上下游的温度差检测，且利于顺流、逆流的判别。
在实际生产中，MEMS热式流量传感器的流量感测芯片通常直接粘贴在流体通道内壁，以便进行流量检测，但是，流量感测芯片直接粘贴在流体通道内壁，使流量感测芯片相对流体通道内壁产生一定的凸出问题，即流量感测芯片与流体通道形成阶梯差，致使被检测的气流易产生紊乱，进而影响检测结果的准确性。
为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足，从而提供了一种结构简单、成本低、易于实现、效果突出、检测结果精确性高的MEMS热式流量传感器。
为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种MEMS热式流量传感器，它包括MEMS热式流量感测芯片和流体通道，所述流体通道的内壁设置有凹槽，所述MEMS热式流量感测芯片安装在所述凹槽内，所述MEMS热式流量感测芯片的敏感面与所述流体通道的内壁表面平齐。
基于上述，所述流体通道具有凹槽的一侧内壁是平面内壁。
基于上述，所述流体通道是内壁光滑且横截面呈方形的管道。
本实用新型相对现有技术具有实质性特点和进步，具体的说，通过使MEMS热式流量感测芯片的感应面与流体通道的内壁平整，去除了阶梯差，不会产生流动紊乱，可以消除因流体流动紊乱而产生的测定误差，并可以降低因灰尘冲击而产生的破坏，使MEMS热式流量传感器的抗污能力大大增强、信号稳定性得到保证，也使传感器的使用寿命变长，还利于扩展传感器的检测量程。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
如图1所示，一种MEMS热式流量传感器，它包括MEMS热式流量感测芯片2和流体通道1；其中，所述流体通道1具有凹槽的一侧内壁是光滑的平面内壁；所述流体通道1的内壁3设置有凹槽，所述凹槽的形状和大小与所述MEMS热式流量感测芯片2的形状和大小吻合；所述MEMS热式流量感测芯片2用胶体贴装在所述凹槽内，所述MEMS热式流量感测芯片2的敏感面与所述流体通道1的内壁3表面平齐；需要特别说明的是，在其它实施例中，所述凹槽也可以是一个槽孔，以便于从所述流体通道1的外部安装所述MEMS热式流量感测芯片2。
将同一个MEMS热式流量感测芯片贴装在同一个流体通道内，使MEMS热式流量感测芯片与所述流体通道有5种不同的贴装状态：使MEMS热式流量感测芯片的敏感面与所述流体通道的内壁表面平齐，即平贴状态；将MEMS热式流量感测芯片直接贴装在所述流体通道的内壁表面，即凸起状态；将MEMS热式流量感测芯片贴装在所述凹槽内，并使MEMS热式流量感测芯片的敏感面高于所述流体通道的内壁表面，即半凸状态；将MEMS热式流量感测芯片贴装在所述凹槽内，并使MEMS热式流量感测芯片的敏感面稍低于所述流体通道的内壁表面，即半凹状态；将MEMS热式流量感测芯片贴装在所述凹槽内，并使MEMS热式流量感测芯片的敏感面低于所述流体通道的内壁表面，即凹陷状态。
在上述5种不同的贴装状态下，在相同的条件下，采用同一检测设备对MEMS热式流量传感器进行检测，检测数据如下：
由上表不难看出，MEMS热式流量感测芯片与所述流体通道的贴装状态，对于毫伏级输出的MEMS热式流量传感器而言，有着很大的影响。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本实用新型技术方案的精神，其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。
Claims (3)
1.一种MEMS热式流量传感器，其特征在于：它包括MEMS热式流量感测芯片和流体通道，所述流体通道的内壁设置有凹槽，所述MEMS热式流量感测芯片安装在所述凹槽内，所述MEMS热式流量感测芯片的敏感面与所述流体通道的内壁表面平齐。
2.根据权利要求1所述的MEMS热式流量传感器，其特征在于：所述流体通道具有凹槽的一侧内壁是平面内壁。
3.根据权利要求2所述的MEMS热式流量传感器，其特征在于：所述流体通道是内壁光滑且横截面呈方形的管道。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011205532923U CN202403744U (zh) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Mems热式流量传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011205532923U CN202403744U (zh) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Mems热式流量传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202403744U true CN202403744U (zh) | 2012-08-29 |
Family
ID=46701386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011205532923U Expired - Lifetime CN202403744U (zh) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Mems热式流量传感器 |
Country Status (1)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102620780A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-08-01 | 郑州炜盛电子科技有限公司 | Mems热式流量传感器 |
| CN105937926A (zh) * | 2016-07-21 | 2016-09-14 | 四川港通医疗设备集团股份有限公司 | 一种气流传感装置 |
| CN107449477A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-08 | 佛山市川东磁电股份有限公司 | 一种宽量程高精度流量传感器及制作方法 |
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2011
- 2011-12-27 CN CN2011205532923U patent/CN202403744U/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20120829 |
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