CN109991280A - 一种单片集成的mems气体传感器 - Google Patents

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孙书敏
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    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
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Abstract

本发明涉及一种单片集成的MEMS气体传感器,通过在一个衬底上集成多种气体传感器,可以根据需要同时或者不同时检测各种气体,从而能有效降低生产成本及使用成本,包括衬底、位于衬底上的碳化硅层,所述碳化硅层上表面涂有二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜上表面设有绝缘层,所述绝缘层上表面设有气体敏感层,所述气体敏感层与所述绝缘层之间设有加热电极,所述气体敏感层为两个以上,所述气体敏感层与加热电极之间设有热敏层,所述衬底、碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层、加热电极、热敏层及气体敏感层之间分别通过粘结层相连接,所述气体敏感层上表面涂有气敏型金属氧化物薄膜,所述每个气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同。

Description

一种单片集成的MEMS气体传感器
技术领域
本发明涉及一种MEMS气体传感器,尤其涉及一种单片集成的MEMS气体传感器。
背景技术
微机电系统(MEMS)气体传感器是基于MEMS技术和半导体气体敏感原理制作的传感器件。用于检测各种气体,如氢气、氮气、甲烷、一氧化碳、酒精或挥发性有机物质(VOC)等。可大批量生产,具有体积小,功耗低的特点,广泛应用于工业、家居、环境检测和消费电子领域。
目前气体传感器在生产过程中,针对感应气体进行特制,每种传感器只能感应一种或几种气体,感应范围窄,如果需要感应更多气体,则需要购买多个性好的气体传感器,增加使用成本,造成不必要的浪费。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供一种单片集成的MEMS气体传感器。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种单片集成的MEMS气体传感器,包括衬底、位于衬底上的碳化硅层,所述碳化硅层上表面涂有二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜上表面设有绝缘层,所述绝缘层上表面设有气体敏感层,所述气体敏感层与所述绝缘层之间设有加热电极,所述气体敏感层为两个以上,所述气体敏感层与加热电极之间设有热敏层,所述衬底、碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层、加热电极、热敏层及气体敏感层之间分别通过粘结层相连接,所述气体敏感层上表面涂有气敏型金属氧化物薄膜,所述每个气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同。
作为本发明的进一步优化,所述衬底下表面刻蚀有隔热腔,所述隔热腔的边沿凸起表面涂有二氧化硅薄膜。
作为本发明的进一步优化,所述碳化硅层上设有垂直贯通的通孔。
作为本发明的进一步优化,所述气体敏感层材料为二氧化锡或三氧化钨。
作为本发明的进一步优化,所述粘结层为Cr金属薄膜或Ti/Cr合金薄膜。
作为本发明的进一步优化,所述热敏层为P-N poly或Al poly。
本发明的有益效果是:本发明提出一种单片集成的MEMS气体传感器芯片结构,通过在一个衬底上集成多种气体传感器,可以根据需要同时或者不同时感应各种气体,从而能有效降低生产成本及使用成本。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
其中,1、衬底;2、碳化硅层;3、二氧化硅薄膜;4、绝缘层;5、气体敏感层;6、加热电极;7、热敏层;8、气敏型金属氧化物薄膜;9、隔热腔;10、通孔。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
一种单片集成的MEMS气体传感器,包括衬底1、位于衬底1上的碳化硅层2,所述碳化硅层2上表面涂有二氧化硅薄膜3,所述二氧化硅薄膜3上表面设有绝缘层4,所述绝缘层4上表面设有气体敏感层5,所述气体敏感层5与所述绝缘层4之间设有加热电极6,所述气体敏感层5为两个以上,所述气体敏感层5与加热电极6之间设有热敏层7,所述衬底1、碳化硅层2、二氧化硅薄膜3、绝缘层4、加热电极6、热敏层7及气体敏感层5之间分别通过粘结层相连接,所述气体敏感层5上表面涂有气敏型金属氧化物薄膜8,所述每个气体敏感层5上的气敏型金属氧化物薄膜8材质不同或相同。
所述衬底1下表面刻蚀有隔热腔9,所述隔热腔9的边沿凸起表面涂有二氧化硅薄膜3。
所述碳化硅层2上设有垂直贯通的通孔10。
所述气体敏感层5材料为二氧化锡或三氧化钨。
所述粘结层为Cr金属薄膜或Ti/Cr合金薄膜。
所述热敏层7为P-N poly或Al poly。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于:包括衬底、位于衬底上的碳化硅层,所述碳化硅层上表面涂有二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜上表面设有绝缘层,所述绝缘层上表面设有气体敏感层,所述气体敏感层为两个以上,所述每个气体敏感层与所述绝缘层之间设有加热电极,所述气体敏感层与加热电极之间设有热敏层,所述衬底、碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层、加热电极、热敏层及气体敏感层之间分别通过粘结层相连接,所述气体敏感层上表面涂有气敏型金属氧化物薄膜,所述每个气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同。
2.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于:所述衬底下表面刻蚀有隔热腔,所述隔热腔的边沿凸起表面涂有二氧化硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于:所述碳化硅层上设有垂直贯通的通孔。
4.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于:所述气体敏感层材料为二氧化锡或三氧化钨。
5.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于:所述粘结层为Cr金属薄膜或Ti/Cr合金薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于:所述热敏层为P-N poly或Al poly。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110398521A (zh) * 2019-08-26 2019-11-01 广西玉柴机器集团有限公司 一种高灵敏凹陷槽NOx传感器结构
CN115420339A (zh) * 2022-11-03 2022-12-02 南京元感微电子有限公司 一种气体与压阻式压力传感器及其加工方法

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