CN202372730U - 一种彩膜基板以及液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供的彩膜基板和液晶显示装置，涉及液晶显示装置制造领域，解决了在CF制作工艺中，因彩膜基板与黑矩阵的重叠部分与不重叠部分存在段差，而增加一步平坦化工艺造成的工序复杂和LCD基板透过率低的问题，该黑矩阵与彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于黑矩阵与彩膜树脂不重叠部分的厚度。本实用新型用于彩膜基板的制造。
Description
技术领域
本实用新型涉及液晶显示装置制造领域，尤其涉及一种彩膜基板以及液晶显示装置
背景技术
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管一液晶显示装置)的CF(Color Filter，彩色滤光片)制作工艺中，如图1所示：现有的CF工艺中包括基板01、黑矩阵02、彩膜树脂03和平坦化膜04，由于彩膜树脂03与黑矩阵02的重叠部分与不重叠部分存在段差h，会因为摩擦(rubbing)不均匀而降低画面的品质，因此增加一项平坦化工艺使黑矩阵02和彩膜树脂上覆盖一层平坦化膜04来消除段差h，不仅导致了工序的繁多，降低了生产效率，而且平坦化工艺中覆盖的平坦化膜04会降低LCD基板的透过率，导致对比度的减小。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种彩膜基板以及液晶显示装置，以解决在CF制作工艺中，因彩膜基板与黑矩阵的重叠部分与不重叠部分存在段差，而增加一步平坦化工艺造成的工序复杂和LCD基板透过率低的问题。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
提供一种彩膜基板，包括基板、形成于基板上的黑矩阵、形成在所述黑矩阵之间的彩膜树脂，其特征在于，所述黑矩阵与所述彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于所述黑矩阵与所述彩膜树脂不重叠部分的厚度。
所述黑矩阵与所述彩膜树脂相重叠处，黑矩阵处于彩膜树脂之下。
所述黑矩阵呈倒“T”型结构。
所述彩膜树脂与所述黑矩阵重叠部分与所述黑矩阵的完全保留区域位于同一高度。
所述黑矩阵使用透光掩膜板形成，所述透光掩膜板为半透式掩膜板或者灰色调掩膜板。
所述液晶显示装置，包含以上任一所述的彩膜基板。
本实用新型提供的一种彩膜基板以及液晶显示装置，黑矩阵与彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于黑矩阵与彩膜树脂不重叠部分的厚度。使得在形成彩膜树脂的过程中减小了彩膜树脂和黑矩阵重叠区域的段差，较现有技术减少了一步平坦化工艺，从而降低了工序的复杂度，在缩短了加工时间的同时提高了生产效率，改善了LCD基板的透过率，增加了对比度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的彩膜基板的局部示意图；
图2为本实用新型实施例提供的彩膜基板的局部示意图；
图3为本实用新型实施例提供的彩膜基板的另一局部示意图；
图4为本实用新型实施例提供的彩膜基板的又一局部示意图；
图5为本实用新型实施例提供的另一彩膜基板的局部示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
下面以图2、3、4对本实用新型提供的彩膜基板进行说明，其中，图2为本实用新型实施例提供的彩膜基板的局部示意图；图3为本实用新型实施例提供的彩膜基板的另一局部示意图；图4为本实用新型实施例提供的彩膜基板的又一局部示意图。
如图2所示，包括基板20、黑矩阵21，其中，黑矩阵21通过透光掩膜板22经半透式掩膜工艺制成。
半透式掩膜工艺是通过在不同区域透过光的强度不同，而进行选择性曝光、显影，相应的掩膜板上具有透过率不同的区域。本实施例中，透光掩膜板22的透光开口边缘的厚度小于透光掩膜板22其余部分的厚度，而透光掩膜板22的完全透光区域221、部分透光区域222和不透光区域223分别对应黑矩阵21的区域211，区域212和区域213。
进一步地，如图3所示，通过曝光、剥离、显影等工艺后，形成的黑矩阵21的区域212的厚度小于黑矩阵21的区域211厚度。
可选地，在本实施例中，形成的黑矩阵呈倒“T”型结构，需要说明的是，本实用新型并不局限于此，其他的结构，在满足所述黑矩阵与所述彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于所述黑矩阵与所述彩膜树脂不重叠部分的厚度的结构的情况下，也落入本实用新型保护范围内，例如梯形结构等，此处不再赘述。
其中黑矩阵21的区域211为完全保留区域；黑矩阵21的区域212为半保留区域；黑矩阵21的区域213为完全去除区域。
最终，如图4所示，完成彩膜树脂23的形成工艺。由于黑矩阵21的区域212的厚度小于现有技术中黑矩阵相对应部分的厚度，因此形成彩膜树脂23后，在该黑矩阵21与该彩膜树脂23相重叠处，黑矩阵21处于彩膜树脂23之下，在保证彩膜树脂23与现有技术中结构厚度相同的情况下，彩膜树脂23与黑矩阵21的区域212重叠在一起的厚度就小于现有技术中重叠在一起的厚度，则彩膜树脂23与黑矩阵21区域212重叠的部分与黑矩阵21的区域211的高度差减小，这样，不仅减小了段差，使得摩擦的特性差异减小，减少了因摩擦不均匀导致的对比度低的问题，提高了画面品质，而且减少了一步平坦化的工序，提高了生产效率以及TFT基板的透过率。
进一步地，由于在实际工艺中，彩膜树脂与黑矩阵重叠部分与黑矩阵完全保留区域的高度差越小越好，因此当彩膜树脂与黑矩阵重叠部分与黑矩阵完全保留区域位于同一高度时为最佳。
本实用新型提供的一种彩膜基板，黑矩阵与彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于黑矩阵与彩膜树脂不重叠部分的厚度。使得在形成彩膜树脂的过程中减小了彩膜树脂和黑矩阵重叠区域的段差，较现有技术减少了一步平坦化工艺，从而降低了工序的复杂度，在缩短了加工时间的同时提高了生产效率，改善了LCD基板的透过率，增加了对比度。
本实用新型提供的另一彩膜基板，如图5所示，包括基板20、黑矩阵21，彩膜树脂23，其中，黑矩阵21通过透光掩膜板22经灰色调掩膜工艺形成。
灰色调掩膜工艺是通过光栅效应，使膜板在不同区域透过光的强度不同，而进行选择性曝光、显影，本实施例中，灰色调掩膜工艺在所述透光掩膜板的透光开口边缘由光栅结构24形成，因此透光掩膜板22的完全透光区域221、部分透光区域222和不透光区域223分别对应黑矩阵21上形成完全保留区域211、半保留区域212和完全去除区域213。
本实用新型实施例其余结构和工艺与上述实施例完全相同，故在此就不再赘述了。
本实用新型提供的一种彩膜基板，黑矩阵与彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于黑矩阵与彩膜树脂不重叠部分的厚度。使得在形成彩膜树脂的过程中减小了彩膜树脂和黑矩阵重叠区域的段差，较现有技术减少了一步平坦化工艺，从而降低了工序的复杂度，在缩短了加工时间的同时提高了生产效率，改善了LCD基板的透过率，增加了对比度。
本实用新型实施例提供一种液晶显示装置，包含以上任一实施例中所述的彩膜基板。
本实用新型提供的一种液晶显示装置，比如液晶显示器、液晶电视、手机等，其包含一种彩膜基板，该彩膜基板上的黑矩阵与彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于黑矩阵与彩膜树脂不重叠部分的厚度。使得在形成彩膜树脂的过程中减小了彩膜树脂和黑矩阵重叠区域的段差，较现有技术减少了一步平坦化工艺，从而降低了工序的复杂度，在缩短了加工时间的同时提高了生产效率，改善了LCD基板的透过率，增加了对比度。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种彩膜基板，包括基板、形成于基板上的黑矩阵、形成在所述黑矩阵之间的彩膜树脂，其特征在于，所述黑矩阵与所述彩膜树脂相重叠的边缘部分的厚度小于所述黑矩阵与所述彩膜树脂不重叠部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵与所述彩膜树脂相重叠处，黑矩阵处于彩膜树脂之下。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵呈倒“T”型结构。
4.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜树脂与所述黑矩阵重叠部分与所述黑矩阵的完全保留区域位于同一高度。
5.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵使用透光掩膜板形成，所述透光掩膜板为半透式掩膜板或者灰色调掩膜板。
6.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包含权利要求1至5中的任一所述的彩膜基板。
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