CN202363463U - 一种新型肖特基倒封装芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。由于本实用新型将硅片正极和硅片负极设置于硅片的同一侧面，使整个产品的厚度大大降低；由于将硅片负极设置于凹槽内，并在硅片正极和硅片负极之间设置隔离沟槽，不但使整个产品的厚度进一步降低，而且使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能更好，完全满足各种电路对正、负极之间隔离性能的高要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种肖特基倒封装芯片，尤其涉及一种正负极位于同一侧面且负极内凹的新型肖特基倒封装芯片。
背景技术
肖特基倒封装芯片是采用倒封装技术生产的肖特基芯片，目前芯片的倒封装采用锡球技术，这种技术取代了传统的插脚封装、导线架封装的形式，从而在锡球方面起到了电气互连及机械支撑的重要作用，是一种比较理想的封装技术。
目前采用锡球技术加工的肖特基芯片，其结构为在硅片的表面设置凸起的锡球作为芯片的正极和负极。这种结构一方面因为设置凸起的连接端而使产品的厚度增大，在现代社会对电子产品的体积要去越来越小的情况下其适应性越来越差；另一方面正极和负极之间距离不远且未进行隔离处理，所以其输出端的正、负极之间的隔离效果不是很好，在某些高要求的电路中使用时，会因为其正、负极之间的隔离性不高而无法满足使用要求。
发明内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种正负极位于同一侧面且负极内凹的新型肖特基倒封装芯片。
为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
本实用新型包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接；所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。
将硅片正极和硅片负极设置于硅片的同一侧面，使整个芯片的厚度大大降低；而凹槽的设置则保证了硅片正极和硅片负极之间的隔离性能完全满足其使用要求。
进一步，所述硅片正极与所述凹槽之间设置有隔离沟槽。隔离沟槽使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能更好。
具体地，所述凹槽的深度为15—20微米。
进一步，所述硅片正极的表面和所述硅片负极的表面均设置有焊锡层，所述硅片正极通过所述焊锡层与所述芯片正极连接，所述硅片负极表面的焊锡层通过导线与所述芯片负极连接。芯片正极和芯片负极均位于封装体的表面。
本实用新型的有益效果在于：
由于本发明将硅片正极和硅片负极设置于硅片的同一侧面，使整个产品的厚度大大降低；由于将硅片负极设置于凹槽内，不但使整个产品的厚度进一步降低，而且使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能更好，完全满足各种电路对正、负极之间隔离性能的高要求；通过在硅片正极和硅片负极之间设置隔离沟槽，使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能进一步提高。
附图说明
图1是本实用新型的主视结构示意图；
图2是本实用新型的主视结构示意图；
图3是本实用新型中硅片的仰视结构示意图；
图4是本实用新型的制造工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步具体描述：
如图1、图2和图3所示，本实用新型包括封装体16、芯片正极13、芯片负极14、硅片12、硅片正极10和硅片负极11，封装体16的总厚度为0.6-0.7mm；硅片正极10和芯片正极13连接，硅片负极11和芯片负极14连接；硅片正极10和硅片负极11位于硅片12的同一侧面（图1和图2中的下面）；硅片正极10位于硅片12的表面上，硅片正极10的旁边设置有凹槽37，硅片负极11位于凹槽37内。凹槽7的深度为15—20微米。图中1为硅片12的外延层，其厚度在5—10微米之间，2为氧化层，大概1微米左右，8为硅片正极10与外延层1之间的一次金属层，9为硅片负极11与硅片12之间的一次金属层。
如图1、图2和图3所示，硅片正极10与凹槽37之间设置有隔离沟槽34。隔离沟槽34使硅片正极10和硅片负极11之间的隔离性能更好。
如图1所示，硅片正极10的表面和硅片负极11的表面均设置有焊锡层15，硅片正极10通过焊锡层15与芯片正极13连接，硅片负极11表面的焊锡层15通过导线与芯片负极14连接。芯片正极13和芯片负极14均位于封装体16的表面。
如图1、图2和图3所示，将硅片正极10和硅片负极11设置于硅片12的同一侧面，使整个芯片的厚度大大降低；而凹槽37的设置则保证了硅片正极10和硅片负极11之间的隔离性能完全满足其使用要求。
如图4所示，本实用新型的制造工艺包括以下步骤：
（1） 提供一原始外延硅片12（总厚度400微米，这里表示的硅片12的厚度被压缩了很多倍，只是示意它的存在），其外延层1的厚度为5微米；
（2） 对原始外延硅片12进行氧化，形成氧化层2（二氧化硅，化学式：SiO2），氧化层2的厚度为5000埃；
（3） 一次光刻，形成一次正极沟槽3和一次隔离沟槽4；从这幅图开始，为了表述结构变化，把氧化层2和外延层1的厚度放大了，硅片12的厚度被压缩了很多倍，只是示意它的存在；
（4） P环扩散；
（5） 二次光刻沟槽，形成一次负极沟槽5；
（6） 一次腐蚀，形成正极沟槽雏形23、隔离沟槽雏形24和负极沟槽雏形25；
（7） 三次光刻，形成带角正极沟槽6、带角隔离沟槽24和带角负极沟槽7；
（8） 二次腐蚀，形成光滑正极沟槽36、光滑隔离沟槽34和光滑负极沟槽37；
（9） 在光滑正极沟槽36和光滑负极沟槽37分别溅射金属Pt（化学元素“铂”的符号）、Ni（化学元素“镍”的符号），形成正极一次金属层8和负极一次金属层9；
（10） 蒸发接触金属Ti（化学元素“钛”的符号）、Ni、Ag（化学元素“银”的符号），形成正极二次金属层即硅片正极10和负极二次金属层即硅片负极11；
（11） 焊锡形成焊锡层15，连接硅片正极10和芯片正极13，连接硅片负极10和芯片负极14，封装，得成品。
上述步骤（9）中环境温度为450℃，氮气与氢气的质量百分比分别为90%与10%；上述步骤（6）和步骤（8）中，所述腐蚀所用的腐蚀液的组份为：HF、HAC、HNO3；所述腐蚀液的各组份的质量配比为：HF:HAC:HNO3=1:1:15-25。上述腐蚀液为慢速低发热腐蚀液，利用现有技术中的高精密温控仪器，温度控制在13℃-17℃就可以完成加工。
Claims (4)
1.一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，其特征在于：所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面，所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的新型肖特基倒封装芯片，其特征在于：所述硅片正极与所述凹槽之间设置有隔离沟槽。
3.根据权利要求1或2所述的新型肖特基倒封装芯片，其特征在于：所述凹槽的深度为15—20微米。
4.根据权利要求1所述的新型肖特基倒封装芯片，其特征在于：所述硅片正极的表面和所述硅片负极的表面均设置有焊锡层，所述硅片正极通过所述焊锡层与所述芯片正极连接，所述硅片负极表面的焊锡层通过导线与所述芯片负极连接。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN202363463U true CN202363463U (zh) | 2012-08-01 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN102437177A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-05-02 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 一种新型肖特基倒封装芯片及制造工艺 |
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2011
- 2011-12-01 CN CN2011204914988U patent/CN202363463U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
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| CN102437177B (zh) * | 2011-12-01 | 2013-09-04 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 一种新型肖特基倒封装芯片及制造工艺 |
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