CN202308559U - 一种气密性结构的射频同轴连接器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种气密性结构的射频同轴连接器，包括自内而外依次同轴设置的中心导体、绝缘介质和外导体，在所述绝缘介质的外圆周设置有第一密封槽，所述第一密封槽内设有与所述外导体内腔壁过盈配合的第一密封圈。其结构简单、装配方便高效、使用方便、气密性能优良，既保证了常规电性能指标，又实现了环境极限温度下的气密性要求；该气密性结构适用于N型、、TNC型等中型的民用射频同轴连接器。

Description

一种气密性结构的射频同轴连接器

技术领域：

本实用新型涉及一种气密性结构的射频同轴连接器。 

背景技术：

目前，针对普通民用射频同轴连接器的气密性结构设计普遍采用法兰端加密封圈与过盈压配相结合的方法实现。如图5所示，具体是将连接器绝缘介质3同轴装配于外导体1和中心导体2之间，为了能实现三者之间的气密性，在相应的轴孔配合处，均需进行过盈设计，中心导体设置倒刺结构以实现在绝缘介质3内的轴向固定，中心导体直接从空气介质过渡到绝缘介质中，在法兰的密封凹槽放置密封圈6，从而生产传统的气密性射频同轴连接器，这种方式存在有两大弊端：一是生产效率低，中心导体2与绝缘介质3之间，绝缘介质3与外导体1之间都为过盈配合，装配困难，费力难压，生产效率低，二是连接器气密指标差，这种结构产品在常温下可满足气密性指标，但在经历高低温冲击后，由于聚四氟乙烯绝缘介质的热胀冷缩，改变了轴孔之间的过盈配合，无法保证可靠的气密性指标。 

发明内容：

为克服现有技术的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种气密性结构的射频同轴连接器，其结构简单、装配方便高效、使用方便、气密性能优良，既保证了常规电性能指标，又实现了环境极限温度下的气密性要求；该气密性结构适用于N型、、TNC型等中型的民用射频同轴连接器。 

本实用新型解决技术问题采用如下技术方案： 

一种气密性结构的射频同轴连接器，包括自内而外依次同轴设置的中心导体、绝缘介质和外导体，在所述绝缘介质的外圆周设置有第一密封槽，所述第一密封槽内设有与所述外导体内腔壁过盈配合的第一密封圈。 

本实用新型的结构特点也在于： 

所述中心导体从空气介质到绝缘介质的过渡处设置有补偿环。 

所述中心导体与所述绝缘介质的内腔壁之间设置有轴向、轴向限位结构，所述轴向限位是在中心导体的外圆周设置有倒刺；所述周向限位是在中心导体的外圆周沿轴向设置的带滚直纹。 

在所述中心导体的外圆周开设有第二密封槽，所述第二密封槽处于所述倒刺的尖端一侧，在所述第二密封槽内设有与所述绝缘介质内腔壁过盈配合的第二密封圈。 

所述外导体的法兰端面开设有圆形的密封槽，所述密封槽以所述中心导体的轴线为圆心，且密封槽的截面呈梯形结构，在所述密封槽中设置有密封圈。 

与已有技术相比，本实用新型的有益效果体现在： 

本实用新型气密性结构的射频同轴连接器，外导体的法兰端面带密封槽结构，该密封槽截面为梯形结构，设置85°的斜角，可防止密封圈在装配过程中的脱落；绝缘介质与外导体的内腔采用过渡配合的方式，他们之间的第一密封圈在第一密封槽内受压缩，能保证高低温冲击后的气密性能；中心导体带滚直纹结构与倒刺结构，以实现中心导体的轴向、 周向限位，在直纹与倒刺之间设置第二密封槽，该密封槽直接位于倒刺结构的后端，从而保证装配过程中，第二密封圈一直位于第二密封槽中，不会被绝缘介质剥落；中心导体从空气介质到绝缘介质过渡处设置有补偿环，平衡了传输线的阻抗不均，减小过渡处的反射损耗，既保证了常规电性能指标与装配工艺合理性，又实现了环境极限温度下的气密性要求。本实用新型连接器结构简单、装配方便高效、使用方便、气密性能优良。 

经验证，本实用新型气密性结构的射频同轴连接器的装配效率是传统气密性结构连接器的2倍，在-30℃至+50℃的环境温度下，充气52.2Kpa的大气压，保压5分钟，压降不大于0.4Kpa，气密效果是传统连接器的10倍。 

附图说明：

图1为本实用新型同轴连接器的结构示意图；图2为图1的A部放大图；图3为图1的B部放大图；图4为图1的C部放大图；图5为现有同轴连接器的结构示意图。 

图中标号：1外导体，11密封槽，2中心导体，21补偿环，22倒刺，23带滚直纹，24第二密封槽，25第二密封圈，3绝缘介质，31第一密封槽，32第一密封圈，6密封圈。 

以下通过具体实施方式，并结合附图对本实用新型作进一步说明。 

具体实施方式：

实施例：参见图1-4，本实施例的气密性结构的射频同轴连接器，包括自内而外依次同轴设置的中心导体2、绝缘介质3和外导体1，为保证外导体1和绝缘介质3之间装配容易并且保证两者之间的气密性能，在绝缘介质3的外圆周设置有第一密封槽31，在第一密封槽31内设有与外导体1内腔壁过盈配合的第一密封圈32。 

参见图1、4，在中心导体2从空气介质到绝缘介质过渡处设置有补偿环21，平衡了传输线的阻抗不均，减小过渡处的反射损耗，具体来说，中心导体2的小端处于绝缘介质3的内腔中，大端处于外导体1的内腔中，中心导体由大端至小端即是所说的从空气介质到绝缘介质，补偿环21设置在中心导体大端与小端的交接处，贴靠于绝缘介质的端面上。 

参见图1，在中心导体2与绝缘介质3的内腔壁之间设置有轴向、轴向限位结构，具体来说，轴向限位是在中心导体2的外圆周设置有倒刺22；周向限位是在中心导体2的外圆周沿轴向设置的带滚直纹23。 

参见图1、3，为保证中心导体2与绝缘介质3之间的气密性，在中心导体2的外圆周开设有第二密封槽24，该第二密封槽24处于倒刺22的尖端一侧，在第二密封槽24内设有与绝缘介质内腔壁过盈配合的第二密封圈25。第二密封圈25处于倒刺22尖端的一侧，保证装配过程中，第二密封圈一直位于第二密封槽中，不会被绝缘介质剥落。 

参见图1、2，在外导体1的法兰端面开设有圆形的密封槽11，该密封槽11以中心导体2的轴线为圆心，且密封槽11的截面呈梯形结构，在密封槽11中设置有密封圈6。该密封槽的底面与铅垂线呈85°的斜角，可防止密封圈在装配过程中的脱落。 

Claims (5)

1.一种气密性结构的射频同轴连接器，包括自内而外依次同轴设置的中心导体(2)、绝缘介质(3)和外导体(1)，其特征在于，在所述绝缘介质的外圆周设置有第一密封槽(31)，所述第一密封槽(31)内设有与所述外导体内腔壁过盈配合的第一密封圈(32)。

2.根据权利要求1所述的一种气密性结构的射频同轴连接器，其特征在于，所述中心导体(2)从空气介质到绝缘介质(3)的过渡处设置有补偿环(21)。

3.根据权利要求1所述的一种气密性结构的射频同轴连接器，其特征在于，所述中心导体(2)与所述绝缘介质(3)的内腔壁之间设置有轴向、轴向限位结构，所述轴向限位是在中心导体(2)的外圆周设置有倒刺(22)；所述周向限位是在中心导体(2)的外圆周沿轴向设置的带滚直纹(23)。

4.根据权利要求3所述的一种气密性结构的射频同轴连接器，其特征在于，在所述中心导体(2)的外圆周开设有第二密封槽(24)，所述第二密封槽(24)处于所述倒刺(22)的尖端一侧，在所述第二密封槽(24)内设有与所述绝缘介质内腔壁过盈配合的第二密封圈(25)。

5.根据权利要求1所述的一种气密性结构的射频同轴连接器，其特征在于，所述外导体(1)的法兰端面开设有圆形的密封槽(11)，所述密封槽(11)以所述中心导体(2)的轴线为圆心，且密封槽(11)的截面呈梯形结构，在所述密封槽(11)中设置有密封圈(6)。 

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