CN202201972U - 嵌入式反应腔 - Google Patents

嵌入式反应腔 Download PDF

Info

Publication number
CN202201972U
CN202201972U CN2011202705954U CN201120270595U CN202201972U CN 202201972 U CN202201972 U CN 202201972U CN 2011202705954 U CN2011202705954 U CN 2011202705954U CN 201120270595 U CN201120270595 U CN 201120270595U CN 202201972 U CN202201972 U CN 202201972U
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
cavity
electrode box
substrate
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2011202705954U
Other languages
English (en)
Inventor
郭锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI SUNHI SOLAR CO Ltd
Original Assignee
SHANGHAI SUNHI SOLAR CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI SUNHI SOLAR CO Ltd filed Critical SHANGHAI SUNHI SOLAR CO Ltd
Priority to CN2011202705954U priority Critical patent/CN202201972U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202201972U publication Critical patent/CN202201972U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种嵌入式反应腔,包括反应腔腔体内设有电极盒,所述电极盒包括匀气板和基板,所述匀气板、基板为上下横向设置,所述匀气板和基板之间为电极盒内腔,所述电极盒顶部设有进气口,气体自外接输入管路进入进气口,匀气板上设有小孔阵列,气体从进气口通过小孔阵列,在电极盒内腔进行反应,所述基板上设有排气孔阵列,气体通过排气孔阵列后进入腔体,所述腔体顶部设抽真空管路,进入腔体后的气体通过抽真空管路被排出。本实用新型通过对嵌入式反应腔的气路设计,使工艺气体的输入和输出完全分开,工艺残余气体不会参与二次反应。在真空低流量高利用率的反应性气体和高浓度气体副产品的工作环境下,取得由上至下均匀非晶硅膜厚和膜特性。

Description

嵌入式反应腔
技术领域
本实用新型涉及电子设备和太阳能电池技术,尤其涉及一种用于真空镀膜的嵌入式反应腔。
背景技术
非晶硅薄膜太阳能电池是20多年来国际上新发展起来的一项太阳能电池新技术。非晶硅薄膜太阳能电池的硅材料厚度只有1微米左右,是单晶硅太阳能电池硅材料厚度的1/200-1/300,与单晶硅太阳能电池相比,制备这种薄膜所用硅原料很少,薄膜生长时间较短,设备制造简单,容易大批量连续生产,根据国际上有关专家的估计,非晶硅薄膜太阳能电池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太阳能电池。
薄膜化学气相沉积设备是非晶硅薄膜太阳能电池的规模化生产中一种核心工艺设备,随着产能扩大,薄膜化学气相沉积设备也朝着高产能大容积的趋势发展。其中,真空镀膜机中的反应腔有了新的设计,该反应腔的腔体内设嵌入式电极盒,电极盒包括匀气板,电极板,和基板,所述匀气板和基板都是横向且平行设置,电极板垂直设于匀气板和基板之间。工艺镀膜在电极盒内,即在电极板上进行,气体通过匀气板进入电极盒内腔,并进行化学反应,反应后的气体从基板排出。
现有技术中,气体的利用并不是很充分,通常气体进入反应腔腔体内就进行反应,这样导致反应前后的气体混合在一起,不仅气体利用率不高,成本增加,而且对工艺镀膜的结果也造成了影响。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种嵌入式反应腔,可用于高产能大容积强化等离子气相沉积设备,该反应腔在真空下的气体利用率得到提高,同时可获得由上至下均匀的非晶硅膜厚和膜特性。
本实用新型采用以下技术方案:
一种嵌入式反应腔,包括反应腔腔体内设有电极盒,所述电极盒包括匀气板和基板,所述匀气板、基板为上下横向设置,所述匀气板和基板之间为电极盒内腔,所述电极盒顶部设有进气口,气体自外接输入管路进入进气口,匀气板上设有小孔阵列,气体从进气口通过小孔阵列,在电极盒内腔进行反应,所述基板上设有排气孔阵列,气体通过排气孔阵列后进入腔体,所述腔体顶部设抽真空管路,进入腔体后的气体通过抽真空管路被排出。
进一步地,所述抽真空管路中设调压阀。
进一步地,所述反应腔腔体形状为圆柱形,所述电极盒设于腔体的中央,所述匀气板和基板之间设垂直电极板,通过小孔阵列进入电极盒内腔的气体自上而下沿电极板到达基板,从电极盒出来进入腔体的气体沿腔体内壁自下而上,最后进入抽真空管路。
进一步地,所述外接输入管路为高压软管。
进一步地,所述反应腔腔体内设多个电极盒,所述外接输入管路分多个支路,各支路与对应的电极盒的进气口连接。
本实用新型通过对嵌入式反应腔的气路设计,使工艺气体的输入和输出完全分开,工艺残余气体不会参与二次反应。在真空低流量高利用率的反应性气体和高浓度气体副产品的工作环境下,取得由上至下均匀非晶硅膜厚和膜特性。
附图说明
图1为本实用新型涉及的嵌入式反应腔及气体流向示意图,图中箭头为气体路径。
具体实施方式
参见图1,为本实用新型涉及的嵌入式反应腔及气体流向示意图。所述反应腔腔体3内设有电极盒4,腔体3处于真空状态下,电极盒4为嵌入式,所述电极盒4包括匀气板41、电极板42和基板43,所述匀气板41、基板43为上下横向设置,所述电极板42垂直设于匀气板41和基板43之间。电极盒4内可有多块电极板42,以并联方式排布在电极盒内腔44中。所述电极盒4顶部设有进气口2,气体自外接输入管路1进入进气口2,匀气板41上设有小孔阵列,气体从进气口2通过小孔阵列,进入电极盒内腔44,在电极盒4内进行反应。由于小孔阵列既保证了进气口2与电极盒内腔44的连通,同时很好地分配了气体进入各电极的流量,保证在电极板42上形成均匀厚度的镀膜。所述基板43上设有排气孔阵列,反应后的气体通过排气孔阵列后进入腔体3,所述腔体3顶部设抽真空管路5,进入腔体3后的气体通过抽真空管路5被排出。在所述抽真空管路5中设真空泵。
优选地,在所述抽真空管路5中还设调压阀6,可调节合适的真空抽气速度,在低气体流量时依然能获得高的气体利用率。
所述反应腔腔体3形状为圆柱形,所述电极盒4设于腔体3的中央,通过小孔阵列进入电极盒4内的气体自上而下到达基板43,从电极盒4出来进入腔体3的气体(经反应后的残余气体)沿腔体3内壁自下而上,最后进入抽真空管路5。
所述外接输入管路1为高压软管。所述高压软管包括纤维增强聚氨酯软管、纤维增强尼龙软管、钢丝增强聚氨酯软管、钢丝增强尼龙软管、钢丝缠绕树脂软管等。
所述反应腔腔体3内设多个电极盒4,多个电极盒4可并联设置,所述外接输入管路1上可设多个支路,各支路与对应的电极盒4的进气口2连接。
本实用新型通过对嵌入式反应腔的气路设计,使工艺气体的输入和输出完全分开,工艺残余气体不会参与二次反应。在真空低流量高利用率的反应性气体和高浓度气体副产品的工作环境下,取得由上至下均匀非晶硅膜厚和膜特性。

Claims (5)

1.一种嵌入式反应腔,包括反应腔腔体(3)内设有电极盒(4),所述电极盒(4)包括匀气板(41)和基板(43),所述匀气板(41)、基板(43)为上下横向设置,所述匀气板(41)和基板(43)之间为电极盒内腔(44),其特征是:所述电极盒(4)顶部设有进气口(2),气体自外接输入管路(1)进入进气口(2),匀气板(41)上设有小孔阵列,气体从进气口(2)通过小孔阵列,在电极盒内腔(44)进行反应,所述基板(43)上设有排气孔阵列,气体通过排气孔阵列后进入腔体(3),所述腔体(3)顶部设抽真空管路(5),进入腔体(3)后的气体通过抽真空管路(5)被排出。
2.根据权利要求1所述的嵌入式反应腔,其特征是:所述抽真空管路(5)中设调压阀(6)。
3.根据权利要求1所述的嵌入式反应腔,其特征是:所述反应腔腔体(3)形状为圆柱形,所述电极盒(4)设于腔体(3)的中央,所述匀气板(41)和基板(43)之间设垂直电极板(42),通过小孔阵列进入电极盒内腔(44)的气体自上而下沿电极板(42)到达基板(43),从电极盒(4)出来进入腔体(3)的气体沿腔体(3)内壁自下而上,最后进入抽真空管路(5)。
4.根据权利要求1所述的嵌入式反应腔,其特征是:所述外接输入管路(1)为高压软管。
5.根据权利要求1所述的嵌入式反应腔,其特征是:所述反应腔腔体(3)内设多个电极盒(4),所述外接输入管路(1)分多个支路,各支路与对应的电极盒(4)的进气口(2)连接。
CN2011202705954U 2011-07-28 2011-07-28 嵌入式反应腔 Expired - Lifetime CN202201972U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011202705954U CN202201972U (zh) 2011-07-28 2011-07-28 嵌入式反应腔

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011202705954U CN202201972U (zh) 2011-07-28 2011-07-28 嵌入式反应腔

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202201972U true CN202201972U (zh) 2012-04-25

Family

ID=45966104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011202705954U Expired - Lifetime CN202201972U (zh) 2011-07-28 2011-07-28 嵌入式反应腔

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202201972U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534566B (zh) * 2012-04-26 2017-05-31 江苏庆丰能源有限公司 太阳能电池板非晶硅膜均匀沉积专用装置
CN115433925A (zh) * 2022-10-10 2022-12-06 浙江合特光电有限公司 一种低能耗钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534566B (zh) * 2012-04-26 2017-05-31 江苏庆丰能源有限公司 太阳能电池板非晶硅膜均匀沉积专用装置
CN115433925A (zh) * 2022-10-10 2022-12-06 浙江合特光电有限公司 一种低能耗钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202201972U (zh) 嵌入式反应腔
CN112921302A (zh) 光伏电池双向进气钝化沉积装置
CN202499905U (zh) 化学气相沉积设备
CN106159188B (zh) 一种锂离子电池贯通式注液方法及装置
CN201470574U (zh) 锂离子电池极片涂敷机的连续供料装置
CN201495314U (zh) 薄膜沉积设备的布气装置
CN203355889U (zh) 一种改进的浮选分离装置
CN102277562B (zh) 薄膜太阳能电池多级pecvd沉积设备
CN201326014Y (zh) 一种等离子体化学气相沉积进气装置
CN210711732U (zh) 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统
CN110158057B (zh) 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统
CN210560740U (zh) 一种pecvd特气管路
CN204973894U (zh) 用于生产锂电池三元正极材料前驱体的装置
CN210640185U (zh) 一种晶硅电池制绒槽用辅助设备
CN103938187B (zh) 大面积薄膜沉积pecvd电极结构及设备
CN102024676A (zh) 单室反应器中制造半导体器件的方法
CN202193842U (zh) 薄膜太阳能电池的沉积装置
CN203878210U (zh) 大面积薄膜沉积pecvd电极结构及设备
CN211957784U (zh) 一种大容量电池电解液梯次利用及净化系统
CN206271833U (zh) 一种铝壳锂电池半自动负压化成装置
CN204607893U (zh) 一种三氯硝基甲烷的提纯设备
CN202323022U (zh) 一种基板式镀膜设备的气体分布系统
CN212045921U (zh) 一种生产耐磨mpp电力管用成型装置
CN204424298U (zh) 太阳能电池片生产中的氮封装置
CN202153534U (zh) 匀气板

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20120425

CX01 Expiry of patent term