CN202150896U - 图像传感器的信号读出电路及模块 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种图像传感器的信号读出模块，包括：复位晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于浮置扩散点，另一个端部耦接于复位电压，以及复位信号调整模块，耦接于所述栅极，所述复位信号调整模块配置为：在对所述浮置扩散点进行复位的预定时间内，给所述栅极提供较高的栅极电压，使得所述栅极电压与所述复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于所述复位电压。

Description

图像传感器的信号读出电路及模块

技术领域

本实用新型涉及电子电路，并且更具体地涉及图像传感器的信号读出电路及模块。

背景技术

随着半导体技术的发展，图像传感器已广泛应用于各种需要进行数字成像的领域，例如数码照相机、数码摄像机等电子产品中。根据光电转换方式的不同，图像传感器通常可以分为两类：电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。其中，CMOS图像传感器具有体积小、功耗低、生产成本低等优点，因此，CMOS图像传感器易于集成在例如手机、笔记本电脑、平板电脑等便携电子设备中，作为提供数字成像功能的摄像模组使用。

CMOS图像传感器的像素单元通常采用3T结构和4T结构，用于响应于像素单元的感光而产生相应的电信号，也即用于图像传感器的信号读出。以4T结构为例，如图1所示，4T结构的像素单元10中包含4个晶体管，分别是传输晶体管11、复位晶体管12、源跟随晶体管13和选通晶体管14。在选通晶体管14开启(即该像素所在的行被选通)的初始阶段，传输晶体管11关闭，经过一段时间的感光后，光生载流子存储在光电二极管15中；然后，开启复位晶体管12，对浮置扩散点102复位，源跟随晶体管13的源端的电压跟随栅极电压的变化，从而电路10在输出端103输出一个复位电平；接着，关闭复位晶体管12，开启传输晶体管11，将光电二极管15中的光生电荷传输到浮置扩散点102上，从而浮置扩散点102的电平产生变化，源跟随晶体管13的源端的电压跟随栅极电压的变化，从而电路10在输出端103输出一个信号电平；与该像素单元10电学连接的信号处理电路(未示出)对该复位电平和信号电平进行比较等操作，即得到光电转化产生的信号。

在此过程中，信号的幅度与浮置扩散点102得到的复位电平的高低有关，复位电平越高就越有利于获得较大的信号幅度。然而，由于复位晶体管12固有的阈值损失等问题，在复位过程中，通常不能将电源电平无损失地传输到浮置扩散点102，因此将导致图像传感器的动态范围不够大。

实用新型内容

可见，需要提供一种图像传感器的信号读出电路，该电路能够对浮置扩散点复位到足够高的电平。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种图像传感器的信号读出模块，包括：复位晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于浮置扩散点，另一个端部耦接于复位电压，以及复位信号调整模块，耦接于所述栅极，所述复位信号调整模块配置为：在对所述浮置扩散点进行复位的预定时间内，给所述栅极提供较高的栅极电压，使得所述栅极电压与所述复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于所述复位电压。

由于在对所述浮置扩散点进行复位的预定时间内，所述栅极电压与所述复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于所述复位电压，因此克服了由于阈值损失而使得浮置扩散点的电平不能提高到复位电压的缺陷。

根据本实用新型的另一个方面，提供了一种图像传感器的信号读出电路，包括：复位晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个耦接于浮置扩散点，另一个耦接于选通信号，所述栅极耦接于复位信号，其中，所述选通信号用于选通所述复位晶体管所在的像素，所述复位信号用于对所述浮置扩散点复位；以及复位信号调整模块，用于将所述复位晶体管耦接于所述复位信号，所述复位信号调整模块包括：调整晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极，所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源；以及切换模块，配置为响应于控制信号从而使得：当所述复位晶体管所在的像素被选通时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源，以及当所述像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

由于当所述复位晶体管所在的像素被选通时，选通信号通过复位晶体管端部与栅极之间的寄生电容馈通到栅极并叠加在选通之前复位晶体管的栅极电压上，由此得到了增高的栅极电压，并且由于所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源，因此该调整晶体管的导通电阻较大，进而该调整晶体管提供了较大的RC延迟，使得增高的栅极电压能够维持，从而浮置扩散点能够被复位到与选通信号大致相同的电平。

附图说明

通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，能够更容易地理解本实用新型的特征、目的和优点。其中，相同或相似的附图标记代表相同或相似的装置：

图1示出了一种现有的图像传感器的像素单元的基本结构，

图2示出了根据本实用新型的一个实施例的图像传感器的信号读出模块，

图3示出了图2的信号读出模块的一个示例性的运行方式，

图4示出了图2的信号读出模块的另一个示例性的运行方式，

图5示出了图2的信号读出模块的一个示例性的实现方式，

图6示出了图5的信号读出模块的一个示例性的运行方式，

图7示出了图5的信号读出模块的一个示例性的具体构成，

图8示出了图5的信号读出模块的另一个示例性的具体构成，

图9示出了根据本实用新型的另一个实施例的图像传感器的信号读出模块，

图10示出了图9的信号读出模块的一个示例性的运行方式，

图11示出了图9的信号读出模块的一个示例性的构成，

图12示出了图11的信号读出模块的一个示例性的运行方式。

具体实施方式

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本实用新型一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本实用新型的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本实用新型的所有实施例。可以理解，在不偏离本实用新型的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本实用新型的范围由所附的权利要求所限定。

CMOS图像传感器通常采用3T或4T的像素结构。3T像素结构是指在CMOS图像传感器像素阵列的每一个像素中，除了用于感光的光电二极管外，还包括3个晶体管，分别是复位晶体管、源跟随晶体管以及行选择晶体管。4T像素结构则在3T像素结构的基础上进一步增加了一个传输晶体管。对于本实用新型的信号处理电路及处理方法，其既可以对3T像素结构图像传感器的信号进行处理，也可以对4T像素结构图像传感器的信号进行处理，在下面的实施例中，仅以4T像素结构为例进行说明，但应认识到，包括3T像素结构或其他像素结构在内的其他类型的图像传感器亦属于本实用新型的范围。

根据本实用新型的一个实施例，提供了一种用于图像传感器像素的信号读出的方法，包括：在通过复位晶体管对该图像传感器像素的浮置扩散点进行复位的预定时间内，给该复位晶体管的栅极提供较高的栅极电压，使得该栅极电压与该复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于复位电压。由于该栅极电压与该复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于复位电压，复位电压能够经由该复位晶体管无损失地传输到该浮置扩散点。以下结合附图描述可以用于实施该方法的图像传感器的信号读出模块。

图2示出了根据本实用新型的一个实施例的图像传感器的信号读出模块20。该示例的信号读出模块20包括传输晶体管21，复位晶体管22，源跟随晶体管23，选通晶体管24，光电二极管25，复位信号调整模块26。如图所示，复位晶体管22的一端接收复位电压201，例如V_DD，另一端耦接于浮置扩散点202，栅极通过复位信号调整模块26耦接于复位信号204，以下结合图3、图4描述图2的信号读出模块20的工作过程。

图3示出了图2的信号读出模块20的一个示例性的运行方式。如图所示，在时刻t31，选通信号206有效，与信号读出模块20相关联的像素被选通，同时复位信号调整模块26给复位晶体管22的栅极提供调整的复位信号205并且在时间T31内保持复位信号205在提高的电平水平，源跟随晶体管23的源端的电压跟随栅极电压的变化，从而电路20在输出端203输出一个复位电平，在时刻t32，该调整的复位信号205变为低电平，即结束对浮置扩散点202的复位操作；在从时刻t33至时刻t34的时段T32内，传输信号207有效，光电二极管25中的信号电荷被朝向浮置扩散点202传输，从而浮置扩散点202的电平产生变化，源跟随晶体管23的源端的电压跟随栅极电压的变化，从而电路20在输出端203输出一个信号电平；与该电路20电学连接的信号处理电路(未示出)对该复位电平和信号电平进行比较等操作，即得到光电转化产生的信号。在时刻t35选通信号206变为低电平，与信号读出模块20相关联的像素被关断。

如图所示，由于在时间T31内经过调整的复位信号205相对于初始的复位信号204是提高的，复位电压201能够经由复位晶体管22无损失地传输到浮置扩散点202。具体地，信号205被提供给复位晶体管22的栅极，并且在对浮置扩散点202进行复位的时间内，给该栅极提供较高的栅极电压，该栅极电压与复位晶体管22的阈值电压的差值高于或者等于该复位晶体管22的漏端所接收的复位电压201，因此，直到浮置扩散点202的电平被拉高到复位电压201时，复位晶体管22不会截止。

图4示出了图2的信号读出模块20的另一个示例性的运行方式。如图所示，复位信号204和调整的复位信号205是位于选通信号206的有效期间的脉冲信号，在从时刻t41到时刻t42的时间T41内对浮置扩散点202进行复位，在此时间内调整的复位信号205相对于初始的复位信号204是提高的，调整的复位信号205的电平与复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于复位电压201。例如，复位电压201为3.5V，复位晶体管22的阈值电压为0.7V，调整的复位信号205的电平高于或者等于4.2V(例如5V)，从而在对浮置扩散点202进行复位的期间，复位电压201可以无损失的传输到浮置扩散点202。

需要说明的是，图4示出的复位信号204和调整的复位信号205的脉冲宽度是相同的。本领域的技术人员理解，调整的复位信号205的脉冲宽度可以不同于复位信号204的脉冲宽度，调整的复位信号205可以相对于复位信号204有适度的偏移，只要满足以下条件即可：在对浮置扩散点202进行复位的预定时间内，调整的复位信号205的电平与复位晶体管22的阈值电压的差值高于或者等于复位电压201。此处，“预定时间”可以是对浮置扩散点202进行复位的时间，例如T31(图3)、T41(图4)，或者是对浮置扩散点202进行复位的时间的一部分，该“预定时间”足够长从而使得复位电压201能够传输到浮置扩散点202。

图5示出了图2的信号读出模块的一个示例性的实现方式。如图所示，复位晶体管22的漏端接收的复位电压501是复位电压脉冲，复位信号调整模块26包括调整晶体管51和切换模块52，其中，调整晶体管51包括端部511、端部512以及栅极513，端部511耦接于复位晶体管22的栅极，调整晶体管51的栅极513耦接于电源V_DD，另一个端部512通过切换模块52耦接至电源V_DD或者复位信号204。由于调整晶体管51的栅极513耦接于电源V_DD，且调整晶体管51为NMOS，调整晶体管51一直处于开启状态。

图6示出了图5的信号读出模块50的一个示例性的运行方式。在运行中，切换模块52响应于控制信号502从而使得：在控制信号502为低电平时调整晶体管51的端部512耦接于电源V_DD，在控制信号502为高电平时调整晶体管51的端部512耦接于复位信号204；即在图中示出的时间内，在时刻t63之前和时刻t64之后，调整晶体管51的端部512耦接于电源V_DD，在时刻t63和时刻t64之间，调整晶体管51的端部512耦接于复位信号204。

图(b)示出了调整晶体管51的端部512耦接于电源V_DD的情形，假设V_DD为3.5V，调整晶体管51的阈值电压为0.7V，那么端部511的电压约为2.8V，也即加载在复位晶体管22的栅极的初始电压约为2.8V。由于此时调整晶体管51的端部512的电压与栅极513的电压相同，调整晶体管51的导通电阻非常大，调整晶体管51的端部511可以看作是浮置的，当复位晶体管22的端部接收复位电压脉冲501时，该脉冲501通过复位晶体管22的栅漏电容馈通到复位晶体管22的栅极并叠加在栅极的初始电压2.8V上，其结果是，复位晶体管22的栅极的电压被提高至大约5V左右，该值与复位晶体管22的阈值电压的差值高于复位脉冲501的高电平3.5V，并且，由于调整晶体管51此时的导通电阻非常大，该提高的栅极电压能够被保持，从而使得3.5V能够无损失地传输到浮置扩散点202。

图(c)示出了调整晶体管51的端部512耦接于复位信号204的情形。在时刻t63至时刻t64内，复位信号604处于低电平，因此，调整晶体管51的栅源电压较大，由于晶体管的导通电阻和栅源电压成反比，此时调整晶体管51的导通电阻较小，因此调整晶体管51的端部511的电压能够在较短时间内拉至低电平，可以近似认为复位晶体管22在时刻t63被关闭。接着，在传输信号607的控制下传输晶体管21被开启，浮置扩散点202的电平从复位电平变为信号电平。

图6的示例性的运行方式的实质是在进行复位的预定时间内，在复位晶体管的栅极与复位信号之间提供大于第一预定值的第一RC延迟，并且在复位晶体管的一个端部提供复位电压脉冲，从而在复位晶体管的栅极得到提高的栅极电压并且该提高的栅极电压可以被保持；在结束对复位晶体管的复位操作后，在复位晶体管的栅极和复位信号之间提供低于第二预定值的第二RC延迟，从而复位晶体管的栅极电压可以较快第被拉到低电平以实现复位晶体管的关断。

本领域的技术人员理解，第一预定值越大，复位晶体管的栅极与复位信号之间的第一RC延迟越长，从而复位晶体管的栅极电压可以被保持的时间越长；第二预定值越小，复位晶体管的栅极与复位信号之间的第二RC延迟越短，从而复位晶体管的栅极电压可以被更快速地拉至低电平。该第一预定值和第二预定值可以根据需要来确定。

图7示出了图5的信号读出模块50的一个示例性的具体构成。为简明目的，图7仅示出了复位信号调整模块和复位晶体管。如图所示，切换模块52包括PMOS晶体管71和第二NMOS晶体管72，PMOS晶体管71的端部711和NMOS晶体管72的端部721分别耦接调整晶体管51的端部512，PMOS晶体管71的端部712耦接电源V_DD，NMOS晶体管72的端部722耦接复位信号204，PMOS晶体管71的栅极713和NMOS晶体管72的栅极723分别耦接控制信号502。

仍参考图6，当控制信号502位于低电平时，PMOS晶体管71开启，NMOS晶体管72关闭，因此调整晶体管51的端部512耦接于电源V_DD；当控制信号502位于高电平时，NMOS晶体管72开启，PMOS晶体管71关闭，因此调整晶体管52的端部耦接于复位信号204。

需要说明的是，图5的切换模块52可以具有不同的构成。图8示出了图5的切换模块52的另一个示例性的构成。为简明目的，图8仅示出了复位信号调整模块和复位晶体管。如图所示，切换模块52包括PMOS晶体管71，第二NMOS晶体管72，以及第二PMOS晶体管81，第二PMOS晶体管81和第二NMOS晶体管72并联，该第二PMOS晶体管81的栅极813耦接于与控制信号502反相的信号801，该信号801可以通过，例如，切换模块52内的一个反相器(未示出)得到。

仍参考图6，当控制信号502位于低电平时，PMOS晶体管71开启，NMOS晶体管72以及PMOS晶体管81关闭，因此调整晶体管51的端部512耦接于电源V_DD；当控制信号502位于高电平时，NMOS晶体管72以及PMOS晶体管81开启，PMOS晶体管71关闭，因此调整晶体管52的端部耦接于复位信号204。

作为图2的一个替换例，图9根据本实用新型的另一个实施例的图像传感器的信号读出模块90，如图所示，复位晶体管92的端部接收的复位电压901即为选通信号，并且，如图9所示，该示例性的信号读出模块90可以不包括图2中的选通晶体管24，在该例子中复位晶体管92即起到复位的作用又起到选通的作用。

图10示出了图9所示的信号读出模块90的运行过程的另一个例子，下面结合图10描述信号读出模块90的运行。在该例子中，复位电压901包括选通信号，在运行中，切换模块962响应于控制信号963从而使得：在控制信号963为低电平时调整晶体管961的端部972耦接于电源V_DD，在控制信号963为高电平时调整晶体管961的端部972耦接于复位信号904；即在图中示出的时间段内，在时刻t102之前和时刻t103之后，调整晶体管961的端部972耦接于电源V_DD，在时刻t102和时刻t103之间，调整晶体管961的端部972耦接于复位信号604。

图(b)示出了调整晶体管961的端部972耦接于电源V_DD的情形，假设V_DD为3.5V，调整晶体管961的阈值电压为0.7V，那么端部971的电压约为2.8V，也即加载在复位晶体管92的栅极的初始电压约为2.8V。由于此时调整晶体管961的端部972的电压与栅极973的电压相同，调整晶体管961的导通电阻非常大，调整晶体管961的端部971可以看作是浮置的，当复位晶体管92的端部接收复位电压脉冲901时，该脉冲901通过复位晶体管92的栅漏电容馈通到复位晶体管92的栅极并叠加在栅极的初始电压2.8V上，其结果是，复位晶体管92的栅极的电压被提高至大约5V左右，该值与复位晶体管92的阈值电压的差值高于复位脉冲901的高电平3.5V，并且，由于调整晶体管961此时的导通电阻非常大，该提高的栅极电压能够被保持，从而使得3.5V能够无损失地传输到浮置扩散点902。

图(c)示出了调整晶体管961的端部972耦接于复位信号904的情形。在时刻t102至时刻t103内，复位信号904处于低电平，因此，调整晶体管961的栅源电压较大，由于晶体管的导通电阻和栅源电压成反比，此时调整晶体管961的导通电阻较小，因此调整晶体管961的端部971的电压能够在较短时间内拉至低电平，可以近似认为复位晶体管92在时刻t102被关闭。接着，在传输信号907的控制下传输晶体管91被开启，浮置扩散点902的电平从复位电平变为信号电平。

从以上描述可以看出，图9所示的信号读出模块90可以使得复位晶体管92一端接收的复位电压901能够无损失的传输到浮置扩散点902，从而相对于图1的信号读出模块10提高了图像传感器的动态范围。

除了上述优点，图9所示的信号读出模块90可以不包括选通晶体管，由复位晶体管92实现复位和选通的功能，因此相对于图1的信号读出模块10减少了像素电路面积。

本领域的技术人员理解，图9的切换模块962可以具有多种构成，图7和图8所示出的切换模块52的电路构成也适用于图9的切换模块962。

图11示出了图9的信号读出模块90的一个示例性的构成。如图11所示，信号读出电路110包括复位信号调整模块和复位晶体管111。其中，复位信号调整模块包括调整晶体管111，以及由PMOS晶体管112、第二PMOS晶体管113、第二NMOS晶体管114构成的切换模块，其中，该切换模块的控制信号与复位晶体管92的复位电压分别包括选通信号1101。选通信号1101由复位晶体管92的一个端部接收，并且为了控制切换模块，选通信号1101被施加在晶体管112、114的栅极，选通信号1101的反相信号1102被施加在晶体管113的栅极。以下结合图12说明图11的信号读出电路110的一个示例性运行方式。

如图12所示，在时刻t121之前，控制信号1101位于低电平，晶体管112开启，晶体管113、114关闭，切换模块将调整晶体管111的端部耦接至电源V_DD，如图12(b)所示，假设V_DD为3.5V，调整晶体管111的阈值电压为0.7V，此时调整晶体管111耦接至复位晶体管的端部的电压约为2.8V，此时调整晶体管111的耦接至电源V_DD的端部电压与栅极电压相等，此时调整晶体管111的导通电阻非常大，调整晶体管111的耦接至复位晶体管22的端部看作是浮置的；在时刻t121和t122之间，控制信号1101位于高电平，晶体管112关闭，晶体管113、114开启，切换模块将调整晶体管111的端部耦接至复位信号1104，如图12(c)所示，由于此时复位信号1104位于高电平，调整晶体管111仍然保持高的导通电阻。

当复位电压1101在时刻t121从低电平变为高电平时，该信号通过复位晶体管92的栅漏电容馈通到栅极并且叠加在栅极的初始电压2.8V上，由此得到提高的栅极电压(大约为5V)，由于栅极电压与复位晶体管92的阈值电压的差值大于复位电压1101的值3.5V，并且由于调整晶体管111此时的导通电阻非常大，该提高的栅极电压能够被保持，因此复位电压1101可以无损失的传输到浮置扩散点902。

当复位信号1104在时刻t122从高电平变为低电平时，调整晶体管111的栅源电压较大，由于晶体管的导通电阻和栅源电压成反比，此时调整晶体管111的导通电阻较小，因此调整晶体管111的耦接至复位晶体管92的端部的电压(即复位晶体管92的栅极电压)能够在较短时间内拉至低电平，可以近似认为复位晶体管92在时刻t122被关闭。接着，在传输信号207的控制下传输晶体管91被开启，浮置扩散点902的电平从复位电平变为信号电平。

以上结合图2至图12描述了根据本实用新型的复位信号调整模块的示例性实施方式，需要说明的是，根据本实用新型的复位信号调整模块实施方式不限于此，根据本实用新型的复位信号调整模块可以采用任何适合的方式实现，例如，可以采用例如电荷泵的升压转换器在对浮置扩散点进行复位期间将复位晶体管的栅极电压升压转换到适合的水平，该水平使得复位晶体管栅极的电压与阈值电压的差值大于或者等于复位电压。

根据本实用新型的一个实施例，提供了一种图像传感器，包括以上描述的任意一种信号读出模块或电路。在一个例子中，该图像传感器的位于同一行的各个像素共用以上描述的任意一种复位信号调整模块，在复位信号调整模块包括调整晶体管的情况下，该调整晶体管的一个端部分别耦接于该同一行的各个像素的复位晶体管的栅极，从而提供经过调整的复位信号。

在本公开中，为示范目的，电路实施例的运作参照方法实施例描述。然而，应该理解本公开中电路的运作和方法的实现互相独立。也就是说，所公开的电路实施例可以依照其他方法运作，所公开的方法实施例可以通过其他电路实现。

尽管在附图和前述的描述中详细阐明和描述了本实用新型，应认为该阐明和描述是说明性的和示例性的，而不是限制性的；本实用新型不限于所上述实施方式。

那些本技术领域的一般技术人员可以通过研究说明书、公开的内容及附图和所附的权利要求书，理解和实施对披露的实施方式的其他改变。在权利要求中，措词“包括”不排除其他的元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。在实用新型的实际应用中，一个零件可能执行权利要求中所引用的多个技术特征的功能。权利要求中的任何附图标记不应理解为对范围的限制。

Claims (11)

1.一种图像传感器的信号读出电路，包括：

复位晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个耦接于浮置扩散点，另一个耦接于选通信号，所述栅极耦接于复位信号，其中，所述选通信号用于选通所述复位晶体管所在的像素，所述复位信号用于对所述浮置扩散点复位，以及

复位信号调整模块，用于将所述复位晶体管耦接于所述复位信号，所述复位信号调整模块包括：

调整晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极，所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源，以及

切换模块，配置为响应于控制信号从而使得：

当所述复位晶体管所在的像素被选通时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源，以及

当所述像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

2.根据权利要求1所述的信号读出电路，其特征在于，所述复位晶体管和所述调整晶体管包括NMOS。

3.根据权利要求2所述的信号读出电路，其特征在于，所述切换模块包括PMOS以及第二NMOS，其中，所述PMOS和第二NMOS的一个端部分别耦接于所述调整晶体管的所述另一个端部，所述PMOS和第二NMOS的另一个端部分别耦接于电源和所述复位信号，述PMOS和第二NMOS的栅极分别耦接于所述控制信号。

4.根据权利要求3所述的信号读出电路，其特征在于，所述切换模块还包括第二PMOS，所述第二PMOS与所述第二NMOS并联，所述第二PMOS的栅极耦接于与所述控制信号反相的信号。

5.根据权利要求1所述的信号读出电路，其特征在于，所述控制信号包括所述选通信号，并且当所述选通信号位于有效电平时所述复位信号位于有效电平。

6.一种图像传感器，包括权利要求1-5任意一项所述的信号读出电路。

7.根据权利要求5述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器的位于同一行的各个像素共用所述复位信号调整模块，并且所述调整晶体管的所述两个端部中的一个端部分别耦接于所述同一行的各个像素的复位晶体管的栅极。

8.一种图像传感器的信号读出模块，包括：

复位晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于浮置扩散点，另一个端部耦接于复位电压，以及

复位信号调整模块，耦接于所述栅极，所述复位信号调整模块配置为：在对所述浮置扩散点进行复位的预定时间内，给所述栅极提供较高的栅极电压，使得所述栅极电压与所述复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于所述复位电压。

9.根据权利要求8述的信号读出模块，其特征在于，所述复位电压包括复位电压脉冲，以及

所述复位信号调整模块包括：

调整晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极，所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源，以及

切换模块，配置为响应于控制信号从而使得：

当所述复位电压脉冲起始时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源，以及

当所述复位晶体管所在的像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

10.根据权利要求8述的信号读出模块，其特征在于，所述复位电压包括选通信号，其中，所述选通信号用于选通所述复位晶体管所在的像素，以及

所述复位信号调整模块包括：

调整晶体管，包括两个端部和一个栅极，所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极，所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源，以及

切换模块，配置为响应于控制信号从而使得：

当所述复位晶体管所在的像素被选通时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源，以及

当所述像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时，所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

11.根据权利要求10述的信号读出模块，其特征在于，所述控制信号包括所述选通信号。

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