CN202139286U - 一种真空炉用砷收集器 - Google Patents

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戴卫平
速斌
樊则飞
汤文通
陈巍
潘建仁
曹劲松
李贵
黎文霖
李侠
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Abstract

本实用新型涉及一种真空炉用砷收集器。主要由进水管,出水管,分水器,冷凝管,冷凝隔板,砷气导管等部分。将进水管,出水管,分水器,冷凝管焊接在一起并连通,冷却水从进水流入,在分水器中分配到冷凝管,吸收热量后汇集至汇流法兰盖,出水管焊接在汇流法兰盖上,把热水导出。砷蒸汽由砷蒸气导管引至砷收集器中在分水器、冷凝管、冷凝隔板及水冷外壳上冷凝成固态,通过定期清除从而达到从冶金流程中脱除砷的目的。

Description

一种真空炉用砷收集器
一.技术领域
本实用新型涉及一种真空炉用砷收集器,在真空炉处理含砷合金物料过程中用于富集砷,使大部份砷从流程中脱除并回收,减少后续流程中处理砷的负荷。属于有色冶金设备制造领域。 
二.背景技术
砷在地壳中含量并不大,但是它在自然界中到处都有,主要是以硫化物矿的形式存在如雌黄(As2S3)、雄黄(As2S2)和砷黄铁矿(FeAsS),无论何种金属硫化物矿石中都含有一定量砷的硫化物。在公知的有色金属火法冶炼工艺中,砷多存留于冶炼流程中产生的烟尘、离心析渣、炭渣、熔析渣、铝渣中,这些渣里含有大量金属需要回收,使得砷又回到冶炼流程中累积,含砷量增高,处理困难,劳动条件差。而公知的苏打焙烧、水浸脱砷等方法不能得到纯度高的金属态砷,不利于回收、且对环境有污染。 
三.发明内容
本实用新型的目的是提拱一种真空炉用砷收集器。主要由进水管,出水管,分水器,冷凝管,冷凝隔板,砷蒸气导管等部分。将进水管,出水管,分水器,冷凝管焊接在一起并连通,冷却水从进水管流入,在分水器中分配到冷凝管,吸收热量后汇集至汇流法兰盖,出水管焊接在汇流法兰盖上,把热水导出。砷蒸汽由砷蒸气导管引至砷收集器中在分水器、冷凝管、冷凝隔板及水冷外壳上冷凝成固态,通过定期清除从而达到从冶金流程中脱除砷的目的。 
本实用新型按以下技术方案实施,其包括进水管1,出水管2,分水器3,冷凝管4,冷凝隔板5,砷蒸气导管6,汇流法兰盖7,水冷外壳8。进水管1和分水器3焊接在一起并连通,分水器3和数根冷凝管4焊接在一起,冷凝隔板5焊接在进水管1和冷凝管4上,进水管1和出水管2焊接在汇流法兰盖7上,汇流法兰盖7和水冷外壳8用螺栓连接在一起形成砷收集器整体,砷蒸气导管6是真空炉9与砷收集器的连接件,砷气导管6的一头连接在真空炉9内砷蒸气出口上,内另一头从砷收集器下部伸入并固定, 
工作时,冷却水从进水管1流入,在分水器3中分配到冷凝管4,吸收热量后汇集至汇流法兰盖7,出水管2焊接在汇流法兰盖7上,把热水导出。冷凝隔板焊 接在进水管1和冷凝管4上,用于增大冷凝面积和附着面积,在真空冶炼过程中,合金在真空炉内被迅速加热至1000℃以上,砷也随之气化为砷蒸汽,此砷蒸汽被砷蒸气导管6引至砷收集器中在分水器3、冷凝管4、冷凝隔板5及水冷外壳8上冷凝成固态,通过定期清除从而达到从冶金流程中脱除砷的目的。 
四.附图说明
图1是本实用新型的组成结构图,图中1为进水管,2为出水管,3为分水器,4为冷凝管,5为冷凝隔板,6为砷蒸气导管,7为汇流法兰盖,8为水冷外壳,9为真空炉。 
五.具体实施方式
如图1所示的结构,其包括进水管1,出水管2,分水器3,冷凝管4,冷凝隔板5,砷蒸气导管6,汇流法兰盖7,水冷外壳8。进水管1和分水器3焊接在一起并连通,分水器3和数根冷凝管4焊接在一起,冷凝隔板5焊接在进水管1和冷凝管4上,进水管1和出水管2焊接在汇流法兰盖7上,汇流法兰盖7和水冷外壳8用螺栓连接在一起形成砷收集器整体,砷蒸气导管6是真空炉9与砷收集器的连接件,砷气导管6的一头连接在真空炉9内砷蒸气出口上,内另一头从砷收集器下部伸入并固定。 
按真空炉规格设计制作砷收集器并和真空炉连接,在处理含砷有色金属合金时,由于真空炉的冷凝器温度高于砷的气化温度,故砷蒸汽只能上升并通过砷蒸气导管导入砷收集器,砷收集器的低温使得砷蒸汽在其上迅速冷凝成固体,通过定期清除收集器中的砷即可达到脱除砷、降低产品中的砷含量,同时得到含砷量>90%的金属状砷。 

Claims (1)

1.一种真空炉用砷收集器,其特征在于:其包括进水管(1),出水管(2),分水器(3),冷凝管(4),冷凝隔板(5),砷蒸气导管(6),汇流法兰盖(7),水冷外壳(8),进水管(1)和分水器(3)焊接在一起并连通,分水器(3)和数根冷凝管(4)焊接在一起,冷凝隔板(5)焊接在进水管(1)和冷凝管(4)上,进水管(1)和出水管(2)焊接在汇流法兰盖(7)上,汇流法兰盖(7)和水冷外壳(8)用螺栓连接在一起形成砷收集器整体,砷蒸气导管(6)是真空炉(9)与砷收集器的连接件,砷蒸气导管(6)的一头连接在真空炉(9)内砷蒸气出口上,另一头从砷收集器下部伸入并固定。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106399696A (zh) * 2016-10-11 2017-02-15 华东师范大学 从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法

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GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room four, building No. 296, University of science and Technology Park, University Road, Kunming, Yunnan, No. 650033, No. 8404

Patentee after: Kunming state Polytron Technologies Inc

Address before: Room four, building No. 296, University of science and Technology Park, University Road, Kunming, Yunnan, No. 650031, No. 8404

Patentee before: Kunming Dingbang Technology Co., Ltd.

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