CN202047169U - 一种单晶硅生长用籽晶 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种单晶硅生长用籽晶，所述籽晶为圆柱体，在圆柱体表面中上部开有两凹槽，两凹槽位于同一水平线上以圆柱体中心线为中心对称且形状相同，凹槽形状为上部一定角度的斜面加下部的一弧面组成。本实用新型可以有效保障籽晶的中心度，降低籽晶断裂的风险，相应提高了籽晶的使用寿命，同时加工过程简单，可大规模普及使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种单晶硅生长用籽晶。
背景技术
单晶硅作为一种半导体材料，一直以来主要应用于集成电路以及电子元件的生产，近年来随着光伏产业的发展，作为太阳能电池的主要原材料，需求量已经远远超过了集成电路以及电子原件生产所需。单晶硅的生长主要有两种方法：直拉法(CZ)和区熔法(FZ)。其中CZ法占了约85％。
要生长出合格的单晶硅，必须要有特定晶向的单晶硅(也称籽晶)做基础。常用的晶向有<100>、<110>、<111>等，一般形状为圆柱形或者长方体，通过各种方式固定在籽晶夹头上与籽晶轴连接。因此在单晶硅生长过程中，籽晶是非常重要的部件，既要保证籽晶的参数指标，又需要确保在整个过程中不会脱落或者断裂，使整个单晶硅生长过程顺利完成。
目前国内外使用较多的籽晶包括圆柱体的和长方体的，连接结构也主要有两种，一种是上端一侧开有凹槽，此种结构的籽晶由于中心度不好，在大直径的单晶生长过程中容易造成连接处断裂；另一种是上端为倒圆台、倒棱台或者上部大于下部的柱体，此种结构的籽晶有效解决了中心度不好的问题，可以适用于大直径的单晶生长，但是加工难度较大。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种单晶硅生长用籽晶，可以有效保障籽晶的中心度，降低籽晶断裂的风险，相应提高了籽晶的使用寿命，同时加工过程简单，可大规模普及使用。
实现本实用新型目的的技术方案是，一种单晶硅生长用籽晶，其特征是所述籽晶为圆柱体，在圆柱体表面中上部开有两凹槽，两凹槽位于同一水平线上以圆柱体中心线为中心对称且形状相同，凹槽形状为上部一定角度的斜面加下部的一弧面组成。
其中两凹槽最底部之间的尺寸不小于12mm。
本实用新型的籽晶，既能满足半导体硅材料的发展需要，用于制造各种电子元器件用半导体级单晶硅的生产，也可用于太阳能级单晶硅的生产，本籽晶能保证单晶硅生长过程中籽晶的中心度，避免拉晶过程中籽晶偏位而断裂，可延长籽晶的使用寿命。可以用于所有直拉法单晶制备过程，特别是满足单晶硅生产投料量不断加大的发展趋势。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本籽晶为一圆柱体，在如图位置有两个凹槽，两凹槽位于同一水平线上，以圆柱体中心线为中心对称，凹槽形状为上部一定角度的斜面加下部的一弧面组成。两个凹槽(同时也是定位槽)要求尺寸精确，与籽晶夹头上的两个贯通圆孔通过柱型销子连接；需要保证两个凹槽(定位槽)最底部之间的尺寸不小于12mm，以免加工前后籽晶断裂；圆柱体直径尺寸根据实际情况灵活确定，直径要求尺寸精确，能与籽晶夹头配合良好。
所述籽晶由高品质的单晶硅加工而成。
Claims (2)
1.一种单晶硅生长用籽晶，其特征是所述籽晶为圆柱体，在圆柱体表面中上部开有两凹槽，两凹槽位于同一水平线上以圆柱体中心线为中心对称且形状相同，凹槽形状为上部一定角度的斜面加下部的一弧面组成。
2.如权利要求1要求所述一种单晶硅生长用籽晶，其特征是两凹槽最底部之间的尺寸不小于12mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011201230869U CN202047169U (zh) | 2011-04-25 | 2011-04-25 | 一种单晶硅生长用籽晶 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2011201230869U CN202047169U (zh) | 2011-04-25 | 2011-04-25 | 一种单晶硅生长用籽晶 |
Publications (1)
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| CN202047169U true CN202047169U (zh) | 2011-11-23 |
Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN202047169U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106222738A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-14 | 包头市山晟新能源有限责任公司 | 一种n型单晶硅生长用籽晶的制备方法 |
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2011
- 2011-04-25 CN CN2011201230869U patent/CN202047169U/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106222738A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-14 | 包头市山晟新能源有限责任公司 | 一种n型单晶硅生长用籽晶的制备方法 |
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Granted publication date: 20111123 Termination date: 20160425 |