CN202025764U - 半导体薄膜晶体管 - Google Patents

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傅志敏
王战娥
金弼
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YICHANG NANBO DISPLAY DEVICES CO., LTD.
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SHENZHEN NANBO WELLLIGHT CONDUCTIVE COATING CO Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种半导体薄膜晶体管，包括基底层、设于基底层上的栅极层、设于栅极层上的铝引线层、设于栅极层及铝引线层上的用于形成源极的导电层，此外，该半导体薄膜晶体管还包括设于基底层与铝引线层之间的抗氧化性金属层，抗氧化性金属层分别与铝引线层及导电层电性接触。通过在基底层上先设置一层抗氧化性金属层，做成图案后，再设置铝引线层，从而之前与铝引线层直接电性接触的导电层变成与抗氧化性金属层直接电性接触，间接形成与铝引线层之间的电性连接，可以有效避免在加工过程中因铝引线层裸露在空气中易被氧化而增加接触电阻的问题，从而可以有效提高半导体薄膜晶体管的驱动能力，延长其使用寿命。

Description

半导体薄膜晶体管
【技术领域】
本发明涉及半导体元件领域，尤其涉及一种半导体薄膜晶体管。
【背景技术】
半导体薄膜晶体管一般包括栅极、栅极绝缘层、通道层及源极/漏极等膜层结构，其通常在显示器，如液晶显示器中，作为开关元件使用。
如图1和图2所示，传统的半导体薄膜晶体管100包括基底层(图中未示)、设于基底层上的氧化铝栅极层(图中未示)、设于氧化铝栅极层上的铝引线层110、以及设于氧化铝栅极层及铝引线层110上的用于形成源极的导电层120。
铝引线层110在镀膜完成后，需要对其进行进一步的加工处理，如雕刻成合适的图案等，这些加工处理过程都是在大气环境下进行的，但铝裸露在大气环境中，在其表面极易形成一层氧化铝氧化层，氧化铝的电导率很低，从而当在铝引线层110上再镀置导电层120时，由于氧化层的存在，增加了铝引线层110与导电层120的接触电阻，从而影响半导体薄膜晶体管100的驱动能力及使用寿命。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种能显著降低铝膜接触电阻的半导体薄膜晶体管。
一种半导体薄膜晶体管，包括基底层、设于基底层上的栅极层、设于栅极层上的铝引线层、设于栅极层及铝引线层上的用于形成源极的导电层，此外，该半导体薄膜晶体管还包括设于基底层与铝引线层之间的抗氧化性金属层，抗氧化性金属层分别与铝引线层及导电层电性接触，所述铝引线层与所述导电层之间绝缘。
在优选的实施方式中，铝引线层与导电层接触部分设有用于绝缘的氧化铝层。
通过在基底层上先设置一层抗氧化性金属层，做成图案后，再设置铝引线层，从而之前与铝引线层直接电性接触的导电层变成与抗氧化性金属层直接电性接触，间接形成与铝引线层之间的电性连接，可以有效避免在加工过程中因铝引线层裸露在空气中易被氧化而增加接触电阻的问题，从而可以有效提高半导体薄膜晶体管的驱动能力，延长其使用寿命。
【附图说明】
图1为传统的半导体薄膜晶体管膜层结构示意图；
图2为图1中铝引线层与导电层接触示意图；
图3为一实施方式中半导体薄膜晶体管膜层结构示意图；
图4为图3中铝引线层、抗氧化性金属层及导电层的接触示意图。
【具体实施方式】
下面主要结合附图及具体实施例对半导体薄膜晶体管的结构作进一步详细的说明。
如图3和图4所示，一实施方式的半导体薄膜晶体管200包括基底层(图中未示)、设于基底层上的栅极层(图中未示)、设于栅极层上的铝引线层210、以及设于栅极层及铝引线层210上的用于形成源极的导电层220。此外，本实施方式的半导体薄膜晶体管200还包括设于基底层与铝引线层210之间的抗氧化性金属层230。抗氧化性金属层230同时与铝引线层210及导电层220电性接触，铝引线层210与导电层220之间绝缘。
本实施方式中的半导体薄膜晶体管200在制造过程中，首先在基底层上形成栅极层及抗氧化性金属层230；加工成合适的图案后，再在栅极层及抗氧化性金属层230上镀置铝引线层210，从而铝引线层210与抗氧化性金属层230形成电性接触；铝引线层210镀置完成后，将铝引线层210加工成合适的图案，抗氧化性金属层230有一接触角裸露出来；然后对铝引线层210的与将要镀置的导电层220接触的表面进行选择性氧化处理后，形成一氧化铝层240，再在抗氧化性金属层230裸露出的接触角及铝引线层210上镀置导电层220，从而铝引线层210与导电层220接触部分由于氧化铝层240的存在而绝缘，导电层220通过抗氧化性金属层230形成与铝引线层210的间接电性接触，可以有效避免在加工过程中因铝引线层210裸露在空气中易被氧化而增加接触电阻的问题，从而可以有效提高半导体薄膜晶体管200的驱动能力，延长其使用寿命。
本实施方式的栅极层为氧化铝材质。抗氧化性金属层230为铜金属层，在其他实施方式中，抗氧化性金属层230还可以为其他在大气环境中不易被氧化的稳定性较好的金属层，例如铂、金、银或镍等金属层。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (2)

1.一种半导体薄膜晶体管，包括基底层、设于所述基底层上的栅极层、设于所述栅极层上的铝引线层、设于所述栅极层及所述铝引线层上的用于形成源极的导电层，其特征在于，还包括设于所述基底层与所述铝引线层之间的抗氧化性金属层，所述抗氧化性金属层与所述铝引线层及所述导电层电性接触，所述铝引线层与所述导电层之间绝缘。
2.如权利要求1所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述铝引线层与所述导电层接触部分设有用于绝缘的氧化铝层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157567A (zh) * 2011-03-18 2011-08-17 深圳南玻伟光导电膜有限公司 半导体薄膜晶体管
CN102157567B (zh) * 2011-03-18 2013-02-06 深圳南玻伟光导电膜有限公司 半导体薄膜晶体管

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