CN201990731U

CN201990731U - 一种晶片频率腐蚀及清洗装置

Info

Publication number: CN201990731U
Application number: CN2011200119493U
Authority: CN
Inventors: 施斌慧
Original assignee: JIANGYIN JIANGHAI PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: JIANGYIN JIANGHAI PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2011-01-17
Filing date: 2011-01-17
Publication date: 2011-09-28
Anticipated expiration: 2021-01-17

Abstract

本实用新型公开了一种晶片频率腐蚀及清洗装置，该装置为箱体结构，在所述箱体内设有腐蚀槽与清洗槽，所述腐蚀槽位于箱体的一端，在所述腐蚀槽的一侧设有清洗槽，将所述清洗槽与所述腐蚀槽之间用A隔板隔开，在所述清洗槽的侧壁上设有至少两道B隔板插槽，通过所述B隔板至少将清洗槽分割为两个，所述至少两个清洗槽的底部相互连通；在所述清洗槽和腐蚀槽内各设有一根传动轴，在每根所述的传动轴上均装有振动架，在所述振动架上放置有晶片篮；在所述腐蚀槽的外围设置有放水隔层。优点：由自动腐蚀晶片是原加工产量的8倍；腐蚀用计算机档案进行频率管控，减少人为因素；腐蚀和清洗能同时进行，从而减少人力也提高了效率。

Description

一种晶片频率腐蚀及清洗装置

技术领域

本实用新型涉及腐蚀晶片技术领域，具体是一种晶片腐蚀及清洗装置。

背景技术

现有技术中用于晶片腐蚀的设备是没有自动的腐蚀、清洗装置，是依靠人工完成的。其艺方法包括如下工艺步骤：

1)腐蚀液的配置；

2)来料进行抽测几片，并记录下晶片的频率，进而计算出要腐蚀的大致时间；

3)用手拿着放好晶片的腐蚀篮放到腐蚀液中进行晃动腐蚀；

4)腐蚀到计算时间的一半时，再次计算出要腐蚀的速率以及计算腐蚀时间；

5)将腐蚀好的晶片用热水冲洗干净，倒入放有盐酸稀释液的容器中，用超声波超声30分钟；

6)晶片清洗：热水清洗三次→温水洗三次→电磁炉纯净水煮沸5分钟→酒精脱水→烘干。

人工进行腐蚀，腐蚀的效率低，一人只能操作一台，一台仅能腐蚀1篮/次；腐蚀频率管控需操作人进行人工计算腐蚀速率；腐蚀完后晶片清洗用手工进行清洗，增加人力。

实用新型内容

本实用新型提出一种晶片腐蚀及清洗装置，旨在克服现有技术所存在的上述缺陷，实现加工自动化，减少了因人为因素所造成的产品质量不稳定，从而有效地提高了生产效率，保证了产品质量的一致性。

本实用新型的技术解决方案：一种晶片频率腐蚀及清洗装置，其特征在于，所述装置为箱体结构，在所述箱体内设有腐蚀槽与清洗槽，所述腐蚀槽位于箱体的一端，在所述腐蚀槽的一侧设有清洗槽，将所述清洗槽与所述腐蚀槽之间用A隔板隔开，在所述清洗槽的侧壁上设有至少两道B隔板插槽，通过所述B隔板至少将清洗槽分割为两个，所述至少两个清洗槽的底部相互连通；在所述清洗槽和腐蚀槽内各设有一根传动轴，在每根所述的传动轴上均装有振动架，在所述振动架上放置有晶片篮；在所述腐蚀槽的外围设置有放水隔层。

其中，所述清洗槽之间的B隔板间可互换，且B隔板的高度各不相同。

其中，在所述的腐蚀槽和清洗槽的上方设有一个共同的排风装置。

本实用新型的优点：由自动腐蚀晶片代替人工腐蚀晶片，一台机能腐蚀4次，且每人操作2台设备，是原加工产量的8倍左右；腐蚀用计算机档案代替人工进行频率管控；便于自动化，减少人为因素；腐蚀完晶片清洗用自动化装置代替人工进行清洗，腐蚀和清洗能同时进行操作代替了原来不能同时进行的工作，从而减少人力也提高了效率。

附图说明

图1是本实用新型用于晶片腐蚀及清洗装置的结构示意图。

图中：1、腐蚀槽；2、清洗槽；3、A隔板；4、B隔板；5、传动轴；6、振动架；7、晶片篮；8、放水隔层；9、抽风装置。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图所示，本实用新型一种晶片频率腐蚀及清洗装置，该装置为箱体结构，在所述箱体内设有腐蚀槽1与清洗槽2，所述腐蚀槽1位于箱体的一端，在所述腐蚀槽的一侧设有三道清洗槽2，将所述清洗槽2与所述腐蚀槽1之间用A隔板3隔开，在所述清洗槽的侧壁上设有两道B隔板的插槽，用两块B隔板4将所述清洗槽2分割为三个水箱，由于B隔板4没插到箱底，所以三道清洗槽2的底部相互连通；在所述清洗槽2和腐蚀槽1内各设有一根传动轴5，在每根传动轴5上均装有振动架6，在所述振动架6放置有晶片篮7；在所述腐蚀槽1的外围设置有放水隔层8。所述清洗槽2之间的B隔板4间可互换，且B隔板4的高度各不相同。在所述的腐蚀槽1和清洗槽2的上方设有一个共同的排风装置9。

实施例1

在本实用新型中晶片频率腐蚀方法的工艺步骤：

一、腐蚀液的配置F＞30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH₄HF₂，分子量57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度65+2℃；

16MHz≤F≤30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH₄HF₂，分子量57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度50+2℃；

F＜8MHz时氟化氢铵固体分子式NH₄HF₂，分子量57.04，氟化氢铵∶水(重量比)＝：2∶1，配好后的混合液17L放到腐蚀槽内，温度78±2℃；

16MHz≤F≤30MHz时氟化氢铵固体分子式：NH₄HF₂，分子量57.04，氟化氢铵∶水(重量比)＝1∶1.5配好后的混合液17L放到腐蚀槽内，温度60±2℃；

二、腐蚀数量F≤17M Hz1000片/篮，F＞17MHz 1500/篮；式中的F是频率；晶片的规格，共4篮；

三、受调速电机控制的腐蚀槽振动架作上下运动1次/秒(晶片型号HC-49U/S)；

四、从将腐蚀的晶片中随机抽测晶片20片并将该20片的频率 (19537，19577，19539，19565，19576，19533，19536，19580，19586，19570，19560，19568，19565，19539，19575，19578，19567，19569，19539，19567)(单位：KHz)记录在计算机档案里，取其中频率最大的5片进行第一次腐蚀，在进行第一次腐蚀后的腐蚀时间(1000S)和频率记录在计算机档案里，频率为20M的工艺参19910～20030～20150(单位：KHz)。将第一次腐蚀的目标值为工艺参数的中心值(20030)加上工艺参数的最大值(20150)除以2，计算出腐蚀的目标值输入到计算机档案里，该批次晶片的腐蚀时间由计算机自动计算(1033S)。

五、启动腐蚀机，待晶片腐蚀到规定的腐蚀时间，将4篮晶片拎出，放入水温在80度的三道清洗槽内清洗，每一道槽清洗时间10分钟，经三道槽清洗后放在纯净水中超声清洗10分钟，然后放入电子级酒精超声脱水8分钟，最后烘干，除去晶片表面水迹，所述的三道清洗槽内的水量占三道清洗槽3/4的容积；所述的纯净水、电子级酒精占所在超声波2/4的容积；

腐蚀时打开电源开关使腐蚀机接通电源，然后打开带动腐蚀槽传动轴的调速电机使传动轴进行上下运动，把准备腐蚀的晶片放在晶片篮内，放好后晶片篮放到传动轴上的固定架上，使晶片在腐蚀槽内的腐蚀液中进行上下震荡进行腐蚀，直到腐蚀晶片的目标频率为止。腐蚀完晶片清洗时打开带动清洗槽传动轴的调速电机，使传动轴进行上下运动，把腐蚀到目标频率的晶片篮放到清洗槽传动杆的固定架上使晶片分别在三道清洗槽流动的热水中进行上下震荡进行清洗，直到晶片的表面清洁为止。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种晶片频率腐蚀及清洗装置，其特征在于，所述装置为箱体结构，在所述箱体内设有腐蚀槽与清洗槽，所述腐蚀槽位于箱体的一端，在所述腐蚀槽的一侧设有清洗槽，将所述清洗槽与所述腐蚀槽之间用A隔板隔开，在所述清洗槽的侧壁上设有至少两道B隔板插槽，通过所述B隔板至少将清洗槽分割为两个，所述至少两个清洗槽的底部相互连通；在所述清洗槽和腐蚀槽内各设有一根传动轴，在每根所述的传动轴上均装有振动架，在所述振动架上放置有晶片篮；在所述腐蚀槽的外围设置有放水隔层。

2.根据权利要求1所述的晶片频率腐蚀及清洗装置，其特征在于，所述清洗槽之间的B隔板间可互换，且B隔板的高度各不相同。

3.根据权利要求1所述的晶片频率腐蚀及清洗装置，其特征在于，在所述的腐蚀槽和清洗槽的上方设有一个共同的排风装置。