CN201942786U - 一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉 - Google Patents
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Abstract
一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉,包括单晶炉本体,所述单晶炉本体包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器,所述单晶炉本体侧壁上设置有取光装置,所述取光装置包括开设在单晶炉本体侧壁上的通光孔、与通光孔配合的通光管道以及安装在通光管道内的三棱镜。本实用新型便于在拉晶过程中观测熔体液面的变化情况,利于硅单晶生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及硅单晶生产设备,具体为一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉。
背景技术
直拉法生产硅单晶已经是该领域通用的一种技术手段,在此生产过程中,需要用到单晶炉,通常情况下,单晶炉包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒,生产过程中,石英坩埚内的原料经过加热和局部冷却并拉伸生长形成圆柱状的硅单晶。
目前用于生产硅单晶的单晶炉没有设置取光装置,在拉晶过程中不能观测到熔体液面的变化情况以致影响到硅单晶的生产,所以此结构有待于进一步改进。
实用新型内容
本实用新型所解决的技术问题在于提供一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉,在单晶炉本体的侧壁设置有侧取光装置,在拉晶过程中可以随时观测到熔体液面的变化情况,从而解决上述背景技术中的缺点。
本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉,包括单晶炉本体,所述单晶炉本体包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器,与传统单晶炉的显著区别在于,所述单晶炉本体侧壁上设置有取光装置,所述取光装置包括开设在单晶炉本体侧壁上的通光孔、与通光孔配合的通光管道以及安装在通光管道内的三棱镜。
作为一种改进,所述通光管道为L型,一端利用螺栓安装在单晶炉本体上,保证通光管道一端的中心轴线通过通光孔的中心。
作为一种改进,所述三棱镜安装在通光管道的拐角处,底部安装有高度调节螺钉,利用该螺钉,可以实现对三棱镜高度的调节。
作为一种改进,所述取光装置的位置应该保证在炉内熔体液面的上方,以方便观测。
由于采用了以上技术方案,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型结构简单,在传统单晶炉本体的侧壁上设置了取光装置,在拉晶过程中便于观测到熔体液面的变化情况,利于硅单晶生产。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为取光装置结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
参见图1、图2,一种可以实时检测硅单晶生长直径的单晶炉,包括单晶炉本体1,所述单晶炉本体1包括有外壳11、安装在外壳11中心的石墨坩埚12、位于石墨坩埚12内的石英坩埚13、位于石墨坩埚12外围的加热器14,与传统单晶炉的显著区别在于,所述单晶炉本体1侧壁上设置有取光装置2,所述取光装置2包括开设在单晶炉本体1侧壁上的通光孔21、与通光孔21配合的通光管道22以及安装在通光管道22内的三棱镜23。
本实施例中,所述通光管道22为L型,一端利用螺栓24安装在单晶炉本体1上,与通光孔21配合,保证通光管道22一端的中心轴线通过通光孔21的中心。
本实施例中,所述三棱镜23安装在通光管道22的拐角处,底部安装有高度调节螺钉25,利用该高度调节螺钉25,可以实现对三棱镜高度的调节。
本实施例中,所述取光装置2的位置应该保证在炉内熔体3液面的上方,以方便在拉晶过程中观测到熔体3液面的变化情况,利于硅单晶生产。
Claims (3)
1.一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉,包括单晶炉本体,所述单晶炉本体包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器,其特征在于:所述单晶炉本体侧壁上设置有取光装置,所述取光装置包括开设在单晶炉本体侧壁上的通光孔、与通光孔配合的通光管道以及安装在通光管道内的三棱镜。
2.根据权利要求1所述的一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉,其特征在于:所述通光管道为L型,一端利用螺栓安装在单晶炉本体上。
3.根据权利要求1所述的一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉,其特征在于:所述三棱镜底部安装高度调节螺钉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN2011200168023U CN201942786U (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉 |
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Publications (1)
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CN201942786U true CN201942786U (zh) | 2011-08-24 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN201942786U (zh) |
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