CN201935527U - 一种用于硅片清洗后的快速干燥装置 - Google Patents

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盛方毓
冯泉林
闫志瑞
葛钟
库黎明
索思卓
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You Yan Semi Materials Co., Ltd.
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Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals
Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
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Abstract

一种用于硅片清洗后的快速干燥装置，它包括：多孔螺旋式高压雾化装置，控温加热室，干燥槽，阀门组，氮气供应管路，其中氮气主管路将多孔螺旋式高压雾化装置、加热控温室、干燥槽依次串联，同时在氮气主管路入口位置引入一条氮气旁路，该旁路管道通过阀门接一三通，三通另二个出口分别接在多孔螺旋式高压雾化装置出口、加热控温室入口，高压雾化装置进、出口分别设阀门1和阀门2。本实用新型的优点是：可以使IPA汽雾中IPA的粒径更小，以此达到均匀快速的干燥硅片的目的。

Description

一种用于硅片清洗后的快速干燥装置
技术领域
本实用新型涉及一种硅片清洗后异丙醇(IPA)干燥装置的改进，尤其适用于大直径硅片清洗后的干燥。
背景技术
硅抛光片是集成电路中使用最广泛的衬底材料，随着集成电路工艺向更高集成度发展，对硅片质量的要求也更加苛刻。本发明中硅片清洗是指硅抛光片制作工艺中最后一道重要工序，其目的主要是去除前道工序中残留在硅片表面的颗粒、金属以及有机沾污。湿法清洗是目前通用的一种清洗工艺，一般包括一号液清洗、二号液清洗，去离子水漂洗，最终干燥等重要环节。
IPA干燥工艺是湿法清洗工艺中普遍使用的干燥工艺，其原理是利用IPA降低水的表面张力，将硅片和IPA水溶液交界面上的水剥离硅片表面。
在实际工艺中，雾化后的IPA以两种形态存在：一部分IPA已经完全雾化，这是由于IPA易挥发沸点低的原因；还有部分IPA在雾化过程以小液滴的形式，并进入水槽。IPA汽雾中液滴状IPA的比例还会影响后续热氮气吹干的时间，在实际工艺中有必要降低IPA汽雾中大粒径IPA液滴的比例来减少后续热氮气干燥时间。
发明内容
本实用新型目的是提供一种用于硅片清洗后的快速干燥装置，该装置可以较高效率的将IPA雾化，以达到均匀并快速的干燥硅片，节省干燥氮气的使用量，提高硅片清洗效率和质量的目的。
为达到本发明目的，本实用新型采用以下技术方案：
这种用于硅片清洗后的快速干燥装置，它包括：多孔螺旋式高压雾化装置，控温加热室，干燥槽，阀门组，氮气供应管路，其中氮气主管路将多孔螺旋式高压雾化装置、加热控温室、干燥槽依次串联，同时在氮气主管路入口位置引入一条氮气旁路，该旁路管道通过阀门接一三通，三通另二个出口分别接在多孔螺旋式高压雾化装置出口、加热控温室入口，高压雾化装置进、出口分别设阀门1和阀门2。
多孔螺旋式高压雾化装置是中空螺旋管，螺旋管的中空直径控制在2-3mm之间。
所述的雾化装置的下部有一出口，出口接阀门，阀门接异丙醇收回处，回收处通过阀门再与IPA供应处的容器相连。
在硅片清洗后的干燥过程中，IPA的雾化程度一直影响着干燥的最终效果，本实用新型基于高效率的原则，将中空的螺旋管用于IPA的雾化装置中，装置采用螺旋型结构，加以高压氮气，使雾化效率较高，它的雾化过程是：将IPA在高压氮气的压力下通过中空管路，最后由小孔喷出，实现压力势能向动能的转换，通过气体和液体之间强烈的作用将IPA雾化。当氮气的外力作用克服了IPA液体的表面张力和粘滞力的时候，IPA液体就会破碎成很多液体，这些液滴不稳定，会在氮气的作用下，进一步雾化。然后再经过控温装置，将雾化的IPA温度控制在需要的范围(60℃左右)。
本实用新型所使用的材料均采用符合集成电路要求的高纯材料，并且不会带来颗粒、金属沾污。如四氟材料或高分子聚乙稀材料。
本实用新型的优点是：可以使IPA汽雾中IPA的粒径更小，以此达到均匀快速的干燥硅片的目的。
附图说明
图1：本实用新型提供的一种硅片清洗后的快速干燥装置
图2：图1中的雾化室结构示意图
图3：图2的A-A及B-B处截图(两处截图相同)。
图1、图2、图3中，1为雾化室，2为加热室，3为干躁室，4为IPA供应处，5为IPA回收处，1-1为预雾化腔。1-2为螺旋雾化腔，1-3为中空的螺旋管的管端。
本发明中氮气的雾化主要是在多孔螺旋式高压雾化装置进行的，液态IPA是由高压氮气带入预雾化腔，在高压的氮气的冲击作用下，液态IPA在预雾化腔实现初级雾化，形成粒径较小的小液滴。粒径较小的IPA随着高压氮气被带入螺旋雾化腔实现再次雾化。进入螺旋雾化腔的IPA小液滴在高压氮气的螺旋冲击作用下进一步被分散、气化，形成满足干燥工艺的IPA汽雾。充分雾化的IPA汽雾经过多孔螺旋式高压雾化装置锥形尾端进入控温加热室。在预雾化腔的底端有一管路连接IPA回收罐，其主要目的是收集预雾化过程中遗留在雾化腔底部的IPA液体。定时打开阀门4和阀门5可以将液体IPA返回到IPA供应处的罐体内，循环再用。螺旋雾化腔采用20条中空的微小直径(直径为2.5±0.5mm)的螺旋管密集均匀排布在装置腔体内。
具体实施方式
当开始干燥时，首先打开阀门1和阀门2，同时关闭阀门3，氮气将IPA溶液经计量泵带入到封闭的螺旋式高压雾化装置内，使IPA在管中雾化成汽雾释放出来，这时温度大约为40℃。IPA汽雾进入加热室后被加热后会进一步雾化，然后送入硅片干燥槽中，加热温度为60℃。当IPA汽雾被通入干燥槽后，开启干燥槽底部的阀门，开始将里面的纯水由底部缓慢排出。直到这个硅片全部脱离纯水液面后，停止IPA汽雾的输入。即关闭阀门1和阀门2，同时打开阀门3，这时氮气经加热控温室到达干燥槽，将硅片彻底干燥。

Claims (3)

1.一种用于硅片清洗后的快速干燥装置，其特征在于：它包括：多孔螺旋式高压雾化装置，控温加热室，干燥槽，阀门组，氮气供应管路，其中氮气主管路将多孔螺旋式高压雾化装置、加热控温室、干燥槽依次串联，同时在氮气主管路入口位置引入一条氮气旁路，该旁路管道通过阀门接一三通，三通另二个出口分别接在多孔螺旋式高压雾化装置出口、加热控温室入口，高压雾化装置进、出口分别设阀门1和阀门2。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗后的快速干燥装置，其特征在于：多孔螺旋式高压雾化装置是中空螺旋管，螺旋管的中空直径控制在2-3mm之间。
3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗后的快速干燥装置，其特征在于：所述的雾化装置的下部有一出口，出口接阀门，阀门接异丙醇收回处，回收处通过阀门再与IPA供应处的容器相连。
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Cited By (5)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102861745A (zh) * 2012-09-18 2013-01-09 北京七星华创电子股份有限公司 防断电保护的硅片清洗机
CN104315832A (zh) * 2014-08-26 2015-01-28 江苏新沂沪千人造板制造有限公司 一种锅炉烟气热能回收利用装置
CN104634087A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种快速干燥晶圆表面的吹扫装置
CN111578680A (zh) * 2019-02-15 2020-08-25 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶圆的干燥方法
CN113418383A (zh) * 2021-06-24 2021-09-21 湖南智信微电子科技有限公司 一种铬版湿法清洗工艺干燥用异丙醇蒸汽回流装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102861745A (zh) * 2012-09-18 2013-01-09 北京七星华创电子股份有限公司 防断电保护的硅片清洗机
CN102861745B (zh) * 2012-09-18 2014-07-30 北京七星华创电子股份有限公司 防断电保护的硅片清洗机
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