CN201890950U - 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 - Google Patents
一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201890950U CN201890950U CN2010206328553U CN201020632855U CN201890950U CN 201890950 U CN201890950 U CN 201890950U CN 2010206328553 U CN2010206328553 U CN 2010206328553U CN 201020632855 U CN201020632855 U CN 201020632855U CN 201890950 U CN201890950 U CN 201890950U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flange
- silicon single
- single crystal
- inner sleeve
- crystal growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒,法兰一的盘体上开有充气孔和环形凹槽一,内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上,环形凹槽一与内套筒形成缓冲腔,且充气孔与缓冲腔相通,外套筒固定在法兰一的盘体下端面上且位于内套筒的外侧,且在外套筒和内套筒之间形成充气缝隙,充气缝隙与缓冲腔相通。本实用新型结构简单,设计合理,能提高系统的稳定性,并能有效地提高硅单晶的生长速度,提高生产效率,广泛适用于半导体硅单晶生长设备和其它单晶生长设备中。
Description
技术领域
本实用新型属于硅单晶制备设备技术领域,具体涉及一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套。
背景技术
硅单晶生长炉是将多晶硅转变为单晶硅的专用设备,硅单晶的生长是在真空工作室内将多晶原材料放入坩埚中,通过加热器将原材料熔化,然后,通过籽晶引导、向上提拉方法生长出理想的硅单晶。在连续向上提拉的硅单晶生长工艺过程中,为了保证硅单晶的稳定快速生长和挥发物的及时排除,整个生长工艺过程中,将工艺气体(常用高纯氩气)从单晶炉顶部充入,通过真空泵从单晶炉底部排出。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其气冷效果好,能保证工艺气体合理均匀地充入理想位置,进而有效提高硅单晶的生长速度。
本实用新型所采用的技术方案是,一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒,法兰一的盘体上开有一径向方向的充气孔,内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上,在法兰一的盘体内侧开有环形凹槽一,环形凹槽一与内套筒形成环形且密闭的缓冲腔,充气孔与缓冲腔相通;外套筒固定在法兰一的盘体下端面上且位于内套筒的外侧,外套筒和内套筒之间形成环形的充气缝隙,充气缝隙与所述缓冲腔相通。
外套筒的上端固定有法兰二,法兰二与法兰一通过螺栓固定连接,在法兰二上且位于外套筒的内侧呈环形分布均匀开有多个初次分流孔,在法兰一的盘体上且位于缓冲腔和法兰二之间开有环形槽,并通过环形槽和初次分流孔使缓冲腔和充气缝隙相通。
充气缝隙内,在外套筒和内套筒之间焊接有环形的隔板,隔板上均匀开通有多个二次分流孔。
内套筒下端伸出在外套筒的下方,并在内套筒的下端部固定有导流罩,导流罩为上小下大的锥形形状。
缓冲腔的高度大于充气孔的高度。
内套筒与法兰一焊接连接。
法兰一的下端面上开有用于安装法兰二的环形凹槽二,法兰二设置在环形凹槽二内。
外套筒与法兰二焊接连接。
本实用新型直拉式硅单晶生长炉用气冷套的内套筒和外套筒组成了双层套筒结构,在法兰一上设置有缓冲腔,再通过初次分流孔和二次分流孔对工艺气体进行均匀分流,导流罩也能起到良好的导向作用;同时能够根据硅单晶生长工艺需要设定直拉式硅单晶生长炉用气冷套的总体长度,以保证获得理想的工艺技术。该直拉式硅单晶生长炉用气冷套的能提高直拉式硅单晶生长炉系统的稳定性,且能有效地提高硅单晶的生长速度,提高生产效率。
附图说明
图1是本实用新型直拉式硅单晶生长炉用气冷套的结构示意图;
其中,1.法兰一,2.充气孔,3.缓冲腔,4.内套筒,5.二次分流孔,6.初次分流孔,7.法兰二,8.隔板,9.外套筒,10.充气缝隙,11.导流罩。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
如图1所示,本实用新型直拉式硅单晶生长炉用气冷套,包括法兰一1、内套筒4和外套筒9,法兰一1、内套筒4和外套筒9三者为同轴设置,其中,法兰一1的盘体上开有一径向方向的充气孔2,内套筒4焊接在法兰一1盘体的内部侧壁上,在法兰一1的盘体内侧开有环形凹槽一,该环形凹槽一与内套筒4形成环形且密闭的缓冲腔3,且充气孔2与缓冲腔3相通。为使缓冲腔3对从充气孔2充入的工艺气体缓冲效果好,缓冲腔3的高度大于充气孔2的高度。外套筒9固定在法兰一1的盘体下端面上且位于内套筒4的外侧,这样,外套筒9和内套筒4组成了双层套筒结构,在外套筒9和内套筒4之间形成环形的充气缝隙10,充气缝隙10与缓冲腔3相通。
本实施方式中,外套筒9通过法兰二7固定连接在法兰一1上。法兰一1的下端面上开有用于安装法兰二7的环形凹槽二,法兰二7设置在环形凹槽二内。外套筒9的上端焊接有法兰二7,法兰二7与法兰一1通过螺栓固定连接。在法兰二7上且位于外套筒9的内侧呈环形分布均匀开有多个初次分流孔6,在法兰一1的盘体上且位于缓冲腔3和法兰二7之间开有环形槽,并通过所述环形槽和初次分流孔6使缓冲腔3和充气缝隙10相通,以保证工艺气体从充气孔2进入后,经过缓冲腔3的缓冲,能通过均匀分布的多个初次分流孔6进入到充气缝隙10。
在充气缝隙10内,在外套筒9和内套筒4之间焊接有环形的隔板8,隔板8上均匀开通有多个二次分流孔5,并通过二次分流孔5使工艺气体分布更加均匀。
内套筒4的下端伸出在外套筒9的下方,并在内套筒4的下端部固定有导流罩11,导流罩11为上小下大的锥形形状。在工艺气体从充气缝隙10排出的时候,导流罩11起到导向分流的作用。
本实用新型直拉式硅单晶生长炉用气冷套结构简单,设计合理,使用方便,能提高系统的稳定性并能有效地提高硅单晶的生长速度,提高生产效率,广泛适用于半导体硅单晶生长设备和其它单晶生长设备中。
Claims (8)
1.一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,包括同轴设置的法兰一(1)、内套筒(4)和外套筒(9),所述法兰一(1)的盘体上开有一径向方向的充气孔(2),所述内套筒(4)固定在所述法兰一(1)盘体的内部侧壁上,在所述法兰一(1)的盘体内侧开有环形凹槽一,所述环形凹槽一与内套筒(4)形成环形且密闭的缓冲腔(3),所述充气孔(2)与所述缓冲腔(3)相通;所述外套筒(9)固定在法兰一(1)的盘体下端面上且位于内套筒(4)的外侧,所述外套筒(9)和内套筒(4)之间形成环形的充气缝隙(10),所述充气缝隙(10)与所述缓冲腔(3)相通。
2.按照权利要求1所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述外套筒(9)的上端固定有法兰二(7),所述法兰二(7)与所述法兰一(1)通过螺栓固定连接,在所述法兰二(7)上且位于所述外套筒(9)的内侧呈环形分布均匀开有多个初次分流孔(6),在法兰一(1)的盘体上且位于缓冲腔(3)和法兰二(7)之间开有环形槽,并通过所述环形槽和初次分流孔(6)使缓冲腔(3)和充气缝隙(10)相通。
3.按照权利要求2所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述充气缝隙(10)内,在外套筒(9)和内套筒(4)之间焊接有环形的隔板(8),所述隔板(8)上均匀开通有多个二次分流孔(5)。
4.按照权利要求3所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述内套筒(4)下端伸出在所述外套筒(9)的下方,并在所述内套筒(4)的下端部固定有导流罩(11),所述导流罩(11)为上小下大的锥形形状。
5.按照权利要求1、2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述缓冲腔(3)的高度大于所述充气孔(2)的高度。
6.按照权利要求1、2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述内套筒(4)与所述法兰一(1)焊接连接。
7.按照权利要求2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述法兰一(1)的下端面上开有用于安装法兰二(7)的环形凹槽二,所述法兰二(7)设置在所述环形凹槽二内。
8.按照权利要求2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述外套筒(9)与所述法兰二(7)焊接连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010206328553U CN201890950U (zh) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010206328553U CN201890950U (zh) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN201890950U true CN201890950U (zh) | 2011-07-06 |
Family
ID=44220428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010206328553U Expired - Lifetime CN201890950U (zh) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN201890950U (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102011174A (zh) * | 2010-11-30 | 2011-04-13 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 |
CN103290467A (zh) * | 2012-02-24 | 2013-09-11 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 单晶炉水冷套结构 |
CN105603520A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-25 | 西安交通大学 | 一种高速单晶生长装置及方法 |
-
2010
- 2010-11-30 CN CN2010206328553U patent/CN201890950U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102011174A (zh) * | 2010-11-30 | 2011-04-13 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 |
CN102011174B (zh) * | 2010-11-30 | 2012-07-25 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 |
CN103290467A (zh) * | 2012-02-24 | 2013-09-11 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 单晶炉水冷套结构 |
CN103290467B (zh) * | 2012-02-24 | 2016-04-13 | 宁夏盈谷实业股份有限公司 | 单晶炉水冷套结构 |
CN105603520A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-25 | 西安交通大学 | 一种高速单晶生长装置及方法 |
CN105603520B (zh) * | 2016-01-20 | 2018-10-30 | 西安交通大学 | 一种高速单晶生长装置及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201890950U (zh) | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 | |
CN102732947B (zh) | 一种生长纯净准单晶的铸锭热场 | |
CN104047048A (zh) | 一种新型铸锭坩埚及其制备方法 | |
CN102011174B (zh) | 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套 | |
CN101851782A (zh) | 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼 | |
CN115537925A (zh) | 制备碳化硅晶体的生长装置及碳化硅晶体的生长方法 | |
CN202297848U (zh) | 双上炉体硅单晶炉 | |
CN203546203U (zh) | 一种用于生长SiC晶体的坩埚 | |
CN202187086U (zh) | 单晶炉的梯度加热器 | |
CN108193263A (zh) | 一种单晶生产炉 | |
CN102011176A (zh) | 一种带气体冷阱的硅单晶生长炉 | |
CN102212872A (zh) | 一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法 | |
CN201924100U (zh) | 一种带气体冷阱的硅单晶生长炉 | |
CN116607207B (zh) | 一种管状硅芯的制造设备及制造方法 | |
CN207347695U (zh) | 多晶硅锭铸锭炉长晶均热坩埚结构 | |
CN201506851U (zh) | 用于单晶炉的籽晶夹持器 | |
CN206721394U (zh) | 一种晶体生长装置 | |
CN202247000U (zh) | 双称重仪辅助晶体生长装置 | |
CN206512321U (zh) | 一种坩埚保温装置 | |
CN201695105U (zh) | 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼 | |
CN205839188U (zh) | 一种新型电控一体化单晶炉 | |
CN205856658U (zh) | 一种新型碳化硅单晶炉 | |
CN201770799U (zh) | 具有多上炉室的晶柱成长装置 | |
CN205741273U (zh) | 一种单晶硅生长炉的加料器 | |
CN107523872A (zh) | 一种新型碳化硅单晶炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20110706 Effective date of abandoning: 20120725 |