CN201804911U - 一种陶瓷基板led芯片 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种导热性能和绝缘性能佳的陶瓷基板LED芯片。本实用新型包括基板(1)、LED裸芯片(4)，所述陶瓷基板LED芯片还包括两块分离的金属支架(3)，所述基板(1)为高导热系数的低温共烧陶瓷基板，所述基板(1)的上表面设有两块分离的金属化图层(2)，所述金属支架(3)的上表面设有围堰(31)，所述LED裸芯片(4)位于所述围堰(31)内并提供金属线(7)与两块分离的所述金属支架(3)相连接，所述金属支架(3)的下面分别接有若干个焊脚(30)与所述金属化图层(2)相焊接，两块分离的所述金属支架(3)分别接有正负极引脚(5)，所述LED裸芯片(4)的周围覆有胶体配光透镜(6)。本实用新型可广泛应用于LED领域。

Description

一种陶瓷基板LED芯片
技术领域
本实用新型涉及一种陶瓷基板LED芯片。
背景技术
半导体照明是未来的发展方向，LED因具有发光效率高、省电节能、寿命长、环保等优点，其应用越来越广泛。目前LED正向着大功率、集成化的方向发展，其目标是替代传统的光源进行日常照明。在大功率LED照明应用中，散热是影响LED寿命的关键因素之一。现有的LED蓝宝石芯片大多采用铝基板作为散热基板进行固定连接，但随着大功率、高集成度的芯片不断出现，铝基板的导热性能和绝缘性能越来越难以满足产品的设计要求。因此采用新材料和新结构就成为了新的研发方向。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种导热性能和绝缘性能佳的陶瓷基板LED芯片。
本实用新型所采用的技术方案是：本实用新型包括基板、LED裸芯片，所述陶瓷基板LED芯片还包括两块分离的金属支架，所述基板为高导热系数的低温共烧陶瓷基板，所述基板的上表面设有两块分离的金属化图层，所述金属支架的上表面设有围堰，所述LED裸芯片位于所述围堰内并提供金属线与两块分离的所述金属支架相连接，所述金属支架的下面分别接有若干个焊脚与所述金属化图层相焊接，两块分离的所述金属支架分别接有正负极引脚，所述LED裸芯片的周围覆有胶体配光透镜。
所述金属化图层为银的金属化图层。
所述金属支架为铜支架且表面镀银。
所述围堰内呈锥形杯口。
所述金属支架的所述焊脚与所述金属化图层通过回流焊进行焊接。
所述基板的厚度为0.7～1.2mm。
本实用新型的有益效果是：由于本实用新型两块分离的金属支架，所述基板为高导热系数的低温共烧陶瓷基板，所述基板的上表面设有两块分离的金属化图层，所述金属支架的上表面设有围堰，所述LED裸芯片位于所述围堰内并提供金属线与两块分离的所述金属支架相连接，所述金属支架的下面分别接有若干个焊脚与所述金属化图层相焊接，两块分离的所述金属支架分别接有正负极引脚，高导热系数的低温共烧陶瓷基板的导热系数可达25W/m·K，提供绝佳的导热性，比铝基板大大提升导热性能，所述基板的上表面设有的金属化图层，可以用于回流焊，而且能够保证手工焊接可重复多次不会分层脱焊，大大降低了热阻，提高了导热效率，使得LED的热量通过述基板迅速传到外部电路及其散热板上，为大功率LED提供了良好的散热途径，可以实现快速散发LED工作时产生的热量，故本实用新型导热性能和绝缘性能佳；
由于本实用新型所述金属化图层为银的金属化图层，所述金属支架为铜支架且表面镀银，银的导热性更好，因此整个芯片的导热性更佳，故本实用新型导热性能佳；
由于本实用新型所述围堰内呈锥形杯口，本实用新型通过所述金属支架的所述围堰形成的杯口代替了LED裸芯片的支架，而且反光效果好，提高采光效率，因此本实用新型结构更简单，发光效果好。
附图说明
图1是本实用新型实施例的断面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实施例包括基板1、LED裸芯片4、两块分离的金属支架3，所述基板1为高导热系数的低温共烧陶瓷基板，其导热系数可达25W/m·K，所述基板1的上表面设有两块分离的金属化图层2，所述金属化图层2为银的金属化图层，所述金属支架3为铜支架且表面镀银，银的导热性更好，因此整个芯片的导热性更佳，所述金属支架3的上表面设有围堰31，所述围堰31内呈锥形杯口，所述LED裸芯片4位于所述围堰31内并提供金属线7与两块分离的所述金属支架3相连接，通过所述金属支架3的所述围堰31形成的杯口代替了LED裸芯片4的支架，而且反光效果好，提高采光效率，因此结构更简单，发光效果好，所述金属支架3的所述焊脚30与所述金属化图层2通过回流焊进行焊接，生产效率高，当然也可以进行手工焊接，能够保证手工焊接可重复多次不会分层脱焊，所述金属支架3的下面分别接有若干个焊脚30与所述金属化图层2相焊接，两块分离的所述金属支架3分别接有正负极引脚5，用于与电路板等外部电路进行连接，所述LED裸芯片4的周围覆有胶体配光透镜6，进行一次配光，所述基板1的厚度为0.8mm，所述基板1的厚度范围可为0.7～1.2mm，其厚度小，利于在狭小的空间进行安装。
高导热系数的低温共烧陶瓷基板的导热系数高，可达25W/m·K，提供绝佳的导热性，比铝基板大大提升导热性能，所述基板1的上表面设有的金属化图层2大大降低了热阻，提高了导热效率，使得LED的热量通过述基板1迅速传到外部电路及其散热板上，为大功率LED提供了良好的散热途径，可以实现快速散发LED工作时产生的热量，因此本实用新型导热性能和绝缘性能佳。
本实用新型可广泛应用于LED领域。

Claims (6)

1.一种陶瓷基板LED芯片，包括基板(1)、LED裸芯片(4)，其特征在于：所述陶瓷基板LED芯片还包括两块分离的金属支架(3)，所述基板(1)为高导热系数的低温共烧陶瓷基板，所述基板(1)的上表面设有两块分离的金属化图层(2)，所述金属支架(3)的上表面设有围堰(31)，所述LED裸芯片(4)位于所述围堰(31)内并提供金属线(7)与两块分离的所述金属支架(3)相连接，所述金属支架(3)的下面分别接有若干个焊脚(30)与所述金属化图层(2)相焊接，两块分离的所述金属支架(3)分别接有正负极引脚(5)，所述LED裸芯片(4)的周围覆有胶体配光透镜(6)。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板LED芯片，其特征在于：所述金属化图层(2)为银的金属化图层。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板LED芯片，其特征在于：所述金属支架(3)为铜支架且表面镀银。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基板LED芯片，其特征在于：所述围堰(31)内呈锥形杯口。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基板LED芯片，其特征在于：所述金属支架(3)的所述焊脚(30)与所述金属化图层(2)通过回流焊进行焊接。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基板LED芯片，其特征在于：所述基板(1)的厚度为0.7～1.2mm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102244189A (zh) * 2011-07-19 2011-11-16 彩虹集团公司 一种陶瓷基板集成封装的led
CN104835900A (zh) * 2015-05-22 2015-08-12 深圳莱特光电有限公司 一种新型红外线led支架
CN106224845A (zh) * 2016-09-28 2016-12-14 郑小微 投光灯

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