CN201793733U - 沉积舟 - Google Patents
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Abstract
沉积舟涉及LTO膜加工专用的沉积舟。既能保证气体进入舟体中,又能提高舟体强度的。包括外部轮廓为半圆柱体形的上盖和下盖,所述上盖和下盖的柱面上均布若干圆形通孔。本实用新型将以往长方形的槽该为圆形的通气孔,这样即保证了LTO膜厚的均匀度,也由于在舟上开孔的面积相对减少而提高了舟强度,进而提高了其的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及低压化学气相沉积工艺中的晶片承载工具,尤其涉及LTO膜加工专用的沉积舟。
背景技术
半导体芯片由几大部分组成:PN结,SIPOS膜(只有SIPOS产品才有),玻璃,LTO膜(Low Temperature Oxide的缩写,意思为低温的氧化膜。主要成分是SiO2),镀金的焊接面。LTO膜起是一层绝缘层覆盖在玻璃,增加玻璃的绝缘效果,避免玻璃上镀上镍和金并且在晶粒组装时阻止焊料流至玻璃上,导致电性不良。
目前很多半导体分立器件都通过在玻璃上长一层LTO膜来保护玻璃,本申请人也是遵循惯例通过LPVCD系统在玻璃上长一层LTO膜,由于LTO炉特殊的结构,通气体时同时从炉前和炉后通入,为了使膜厚沉积的更加均匀,
为此,晶片生产者提供了一种加工LTO膜晶片时用于承载晶片基体的沉积舟,它由半圆柱体形的上、下盖构成,合起呈卧式的圆柱体形。如图3、4所示,上盖10、下盖11的柱面上设若干长槽3,设置长槽的原因是:两端采用两个半圆片,中间固定连接若干长片,长片之间留通气的槽。但该种结构形式的沉积舟在长期使用中经常出现长片断裂的情况,严重影响了生产的正常进行。
发明内容
本实用新型针对以上问题,提供了一种既能保证气体进入舟体中,又能提高舟体强度的沉积舟。
本实用新型的技术方案是:包括外部轮廓为半圆柱体形的上盖和下盖,所述上盖和下盖的柱面上均布若干圆形通孔。
本实用新型将以往长方形的槽该为圆形的通气孔,这样即保证了LTO膜厚的均匀度,也由于在舟上开孔的面积相对减少而提高了舟强度,进而提高了其的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型中上盖的结构示意图
图中10是上盖,2是通孔;
图2是本实用新型中下盖的结构示意图
图中11是下盖;
图3是本实用新型背景技术的上盖的示意图
图中3是长槽。
图4是本实用新型背景技术的下盖的示意图
具体实施方式
本实用新型如图1、2所示,包括外部轮廓为半圆柱体形的上盖10和下盖11,所述上盖10和下盖11的柱面上均布若干圆形通孔2。
Claims (1)
1.沉积舟,包括外部轮廓为半圆柱体形的上盖和下盖,其特征在于,所述上盖和下盖的柱面上均布若干圆形通孔。
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CN201793733U true CN201793733U (zh) | 2011-04-13 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106328571A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-01-11 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种用于在晶圆上生长二氧化硅的笼舟及生长方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106328571A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-01-11 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种用于在晶圆上生长二氧化硅的笼舟及生长方法 |
CN106328571B (zh) * | 2015-07-02 | 2019-05-24 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种用于在晶圆上生长二氧化硅的笼舟及生长方法 |
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