CN104064608A - 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法 - Google Patents

一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104064608A
CN104064608A CN201410231962.8A CN201410231962A CN104064608A CN 104064608 A CN104064608 A CN 104064608A CN 201410231962 A CN201410231962 A CN 201410231962A CN 104064608 A CN104064608 A CN 104064608A
Authority
CN
China
Prior art keywords
array
solar cell
perforation
contact solar
back contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410231962.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104064608B (zh
Inventor
刘志锋
尹海鹏
单伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd
Jingao Solar Co Ltd
Original Assignee
Ja Solar Co Ltd
JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ja Solar Co Ltd, JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd filed Critical Ja Solar Co Ltd
Priority to CN201410231962.8A priority Critical patent/CN104064608B/zh
Publication of CN104064608A publication Critical patent/CN104064608A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104064608B publication Critical patent/CN104064608B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433Particular geometry of the grid contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明公开了一种无主栅背接触太阳能电池组件,包括从上至下设置的玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板,串联电池片包括导电背板和设置于导电背板上且与所述导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片,该电池组件由于采用无主栅背接触太阳能电池,因此可省去制备背接触太阳能电池主栅电极的工序,从而降低背接触太阳能电池的金属化工艺化难度和电池生产成本,同时,通过将该无主栅背接触太阳能电池置于低电阻率的导电背板上,可降低由于电池片之间的串联所引入的串联电阻,减少太阳能电池组件的欧姆消耗,改善制备太阳能电池组件每瓦的成本。本发明还公开了上述无主栅背接触太阳能电池组件的制备方法,该方法工艺简洁,有效可靠。

Description

一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,具体涉及一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法。
背景技术
背接触太阳能电池是一种将发射极和基极均放置在电池背面(非受光面)的电池,该电池的受光面无任何金属电极遮挡,从而有效增加了电池片的短路电流,使电池片的能量转化效率得到提高。
由于背接触太阳能电池的短路电流较常规电池要高出许多,因此背接触太阳能电池的组件制作就要求尽可能降低其串联电阻,以减少组件的欧姆损耗,提高组件的光转化效率。对于背接触太阳能电池组件来讲,除了电池硅基体内部和表面的载流子横向和纵向传输电阻以外,其串联电阻主要来源于电池金属化所带来的串联电阻和电池片之间串联所用焊带的串联电阻。在以往背接触电池及其组件的制作过程中,为降低其串联电阻往往采用在电池端使用很厚的金属电极,以降低电池本身的串联电阻和电池之间串联所引入的串联电阻,但是该电极制作工艺不仅繁琐,而且成本很高,尤其对于p+掺杂区域和n+掺杂区域呈二维结构排布的背接触电池,其金属化电极制作工艺更为复杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无主栅背接触太阳能电池组件,该电池组件采用无主栅背接触太阳能电池,可省去该电池主栅电极的制备工序,缩减和降低背接触太阳能电池金属化工艺的成本和难度,同时,将无主栅背接触太阳能电池置于低电阻率的导电背板上,通过导电背板串联制备串联电池片,可降低电池片之间串联所引入的串联电阻,减少从太阳能电池片到太阳能电池组件的欧姆消耗,降低制备太阳能电池组件的成本。
本发明的目的还在于提供上述无主栅背接触太阳能电池组件的制备方法,该方法工艺简洁,成本低。
本发明的第一个目的是通过以下技术方案来实现的:一种无主栅背接触太阳能电池组件,包括从上至下设置的玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板,所述串联电池片包括导电背板和设置于所述导电背板上且与所述导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片。
本发明所述的无主栅背接触太阳能电池片包括硅基体,相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域,设于所述p+掺杂区域和n+掺杂区域之间用于使所述p+掺杂区域和n+掺杂区域电绝缘的带隙,设于所述p+掺杂区域上并与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极或金属细栅电极,以及设于所述n+掺杂区域上并与其相欧姆接触的n+区域金属点状电极或金属细栅电极。
该电池的p+掺杂区域和n+掺杂区域交替排列在电池的背表面,其排布方式可以为呈一维排列的指状交叉结构,也可以为二维的点状阵列结构,电池背表面的金属化部分只有与n+掺杂区域和p+掺杂区域相欧姆接触的金属栅状电极或金属点状电极,没有用来收集光生电流并将其输送到外电路中的金属主栅电极。具体结构如图2A和2B中所示。
作为本发明的一种改进:本发明所述的硅基体背表面还设有介质膜,用于钝化硅基体背表面,介质膜上设有与n+和p+掺杂区域相欧姆接触的栅状金属电极或点状金属电极,用来传输硅基体内的光生载流子,但没有用来收集光生电流并将其输送到外电路中的金属主栅电极,本发明所述的硅基体前表面优选为制绒面,前表面上还设有低掺杂浓度的n+前表面场,其上设有介质膜,用于电池前表面的光学减反射和表面钝化。
作为本发明的一种优选的具体实施方式,本发明设于硅基体背表面的介质膜优选为氧化铝AlO和氮化硅SiN复合介质膜,本发明所述硅基体的前表面所设的介质膜优选为氧化硅SiO和氮化硅SiN复合介质膜。
作为本发明的一种优选的技术方案,本发明所述的硅基体优选为N型单晶硅基体,其电阻率为1~30Ω·cm,厚度为50~300μm,N型晶体硅基体使用前先经表面制绒处理,然后可以利用现有技术中的扩散、离子注入和退火、掩膜、刻蚀等多种技术中的一种或几种的组合来实现背接触电池的p+区域和n+区域相互交替排列在电池背表面,设在与n+掺杂区域和p+掺杂区域相欧姆接触的金属细栅电极或金属点状电极可以通过丝网印刷或电镀等方式来实现。
作为本发明的一种优选的技术方案,本发明所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层,在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应。
同样的,作为本发明的另外一种优选的技术方案,本发明所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层,在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应。
也就是说,本发明中第一绝缘层上的穿孔A阵列可与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,也可以与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,相对应的,本发明中第一绝缘层上的穿孔B阵列可与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,也可以与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应。
作为本发明一种更优选的技术方案,本发明所述的导电背板为按照第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第一电极导电板和第三绝缘层的顺序排布并经层压所成的五层结构,各层具体结构如下:
(1)第一绝缘层,该绝缘层附着在第一电极导电板上并与电池背表面金属电极相接触,绝缘层上有两套不同尺寸的穿孔A阵列和穿孔B阵列,其中穿孔A的尺寸略大于穿孔B的尺寸,穿孔A与背接触太阳能电池p+掺杂区域(或n+掺杂区域)金属点状电极的位置相对应,尺寸不超过背接触太阳能电池背表面p+掺杂区域(或n+掺杂区域)的特征尺寸,穿孔B与电池背表面n+掺杂区域(p+掺杂区域)金属点状电极的位置相对应,尺寸不超过电池背表面n+掺杂区域(p+掺杂区域)的特征尺寸;
(2)第一电极导电板,该导电板为金属薄板,夹在第一绝缘层与第二绝缘层中间,该电极导电板上与电池背表面p+掺杂区域(或n+掺杂区域)金属电极位置有相对应的穿孔C,穿孔C的尺寸略大于第一绝缘层上穿孔A的尺寸,但不超过电池背表面所要接触的掺杂区域的特征尺寸;
(3)第二绝缘层,该绝缘层夹在第一电极导电板与第二电极导电板之间,用于第一导电板和第二导电板之间的电绝缘,其中第二绝缘层上有尺寸完全一致穿孔D阵列,穿孔D的尺寸与穿孔A的尺寸一致,穿孔D的位置与背接触太阳能电池背表面p+掺杂区域(或n+掺杂区域)金属点状电极的位置相对应;
(4)第二电极导电板,该导电板为金属平板,无任何穿孔;
(5)第三绝缘层,该绝缘紧密贴附在第二电极导电板的下表面,用于保护导电背板的和与外界的绝缘,亦无任何穿孔。
本发明中所述的导电背板的制备方法如下:按照第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层的顺序依次排布并经层压形成一体,层压过程中要求第一绝缘层上孔A的位置与第一电极导电板上孔C的位置以及第二绝缘层上孔D的位置相一一对应。
本发明在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入有导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触。
本发明所述的导电浆料的主要成分为锡铋合金和热固化树脂,例如HITACHI公司的CP300。
本发明所述无主栅背接触太阳能串联电池片置于所述导电背板上,其中所述无主栅背接触太阳能电池片上p+区域(n+区域)金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域(p+区域)金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接。
作为本发明的一种优选的技术方案,本发明所述导电背板为一个可设置多个无主栅背接触太阳能电池的整体导电背板或由多个导电背板单元相串联组成的整体导电背板,其中所述导电背板单元的大小与所述无主栅背接触太阳能电池的大小相适配。
当所述导电背板为一个可设置多个无主栅背接触太阳能电池的整体导电背板时,可以直接将多个无主栅背接触太阳能电池排列在所述整体导电背板上,排列时使多个无主栅背接触太阳能电池片上p+区域(或n+区域)金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域(或p+区域)金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,排放结束后轻微压实,即可以实现多个无主栅背接触太阳能电池与所述整体导电背板之间的欧姆连接,制成串联电池片。
当所述导电背板为一个由多个导电背板单元相串联组成的整体导电背板时,每个导电背板单元的大小可以与每个无主栅背接触太阳能电池的大小相适配,在每个导电背板单元上设置一个无主栅背接触太阳能电池,设置时,也只要满足无主栅背接触太阳能电池片上p+区域(或n+区域)金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域(或p+区域)金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触即可,排放结束后轻微压实,即可以实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接,制得串联电池片。
本发明的第二个目的是通过如下技术方案来实现的:一种无主栅背接触太阳能电池组件的制作方法,含以下步骤:
(1)制备无主栅背接触太阳能电池;
(2)制备导电背板,所述导电背板从上到下依次包括第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层;
(3)制备串联电池片,将步骤(1)中的多个无主栅背接触太阳能电池设置于步骤(2)所述的导电背板上方,且使所述的无主栅背接触太阳能电池与所述的导电背板相欧姆接触,制备获得串联电池片;
(4)从上至下按照玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板材料的顺序,经层压、固化和封装处理,制成无主栅背接触太阳能电池组件。
在上述各步骤中:
本发明步骤(1)中所述的无主栅背接触太阳能电池片包括硅基体,相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域,设于所述p+掺杂区域和n+掺杂区域之间用于使所述p+掺杂区域和n+掺杂区域电绝缘的带隙,设于所述p+掺杂区域上并与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极或金属细栅电极,以及设于所述n+掺杂区域上并与其相欧姆接触的n+区域金属点状电极或金属细栅电极。
本发明步骤(2)中所述导电背板在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,将所述第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层进行层压获得整体导电背板,层压时使第一绝缘层上穿孔A阵列、第一电极导电板上穿孔C阵列以及第二绝缘层上穿孔D阵列的位置相对应。
或本发明步骤(2)中所述导电背板在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,将所述第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层进行层压获得整体导电背板,层压时使第一绝缘层上穿孔A阵列、第一电极导电板上穿孔C阵列以及第二绝缘层上穿孔D阵列的位置相对应。
本发明步骤(3)中制备串联电池片时,在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触,将步骤(1)中的多个无主栅背接触太阳能电池设置于步骤(2)所述的导电背板上方,使所述无主栅背接触太阳能电池上的p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,并使所述无主栅背接触太阳能电池片上的n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接,形成串联电池片。
或本发明步骤(3)中制备串联电池片时,在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触,将步骤(1)中的多个无主栅背接触太阳能电池设置于步骤(2)所述的导电背板上方,使所述无主栅背接触太阳能电池上的n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,并使所述无主栅背接触太阳能电池片上的p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接,形成串联电池片。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
(1)本发明中的无主栅背接触太阳能电池,该电池背表面的金属化部分只有与n+掺杂区域和p+掺杂区域相欧姆接触的栅状电极或点状电极,没有用来收集光生电流并将其输送到外电路中的主栅电极,可以省去背接触太阳能电池的主栅电极制作工艺,减少和降低背接触电池的金属化工艺步骤和工艺难度;
(2)本发明中的导电背板为一个按照第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层的顺序排布并经层压所成的五层结构,导电背板的作用为收集光生电流和实现电池片之间串联,导电背板与电池片之间的欧姆接触通过导电浆料来实现,然后按照玻璃、EVA、电池片、串联导电背板、EVA和背板材料的顺序排列并经层压,固化,封装成电池组件,利用该导电背板制作的背接触太阳能电池组件,由于导电背板的电阻率很低,从而可以极大的降低电池片之间串联所引入的串联电阻,减少从电池到组件的欧姆损耗,增加组件的输出功率。
以下结合附图和优选示例性实施方案进一步详细说明给出本发明的特征和优点。
附图说明
图1是实施例1中制备得无主栅背接触太阳能电池结构示意图;
图2A是实施例1中制备的无主栅背接触太阳能电池透视图;
图2B是实施例2中制备的无主栅背接触太阳能电池透视图;
图3是实施例1中导电背板中第一绝缘层示意图;
图4是实施例1中导电背板中第一电极导电板示意图
图5是实施例1中导电背板中第二绝缘层示意图
图6是实施例1中导电背板中第二电极导电板示意图;
图7是实施例1中导电背板中第三绝缘层示意图;
图8是实施例1中导电背板层压示意图;
图9是实施例1中导电背板截面图;
图10是实施例1中涂有导电浆料的导电背板截面图;
图11A是实施例1中背接触电池与导电背板相欧姆接触的示意图
图11B是实施例3中背接触电池与导电背板相欧姆接触的示意图;
图12是实施例1中利用导电背板制作背接触太阳能电池组件的封装示意图;
附图说明:1、玻璃;2、EVA;301、导电背板;302、无主栅背接触太阳能电池片;4、背板;10、N型硅基体,11、P+掺杂区域,12、p+区域金属点状电极;13、n+掺杂区域;14、n+区域金属点状电极;15、p+/n+区域的绝缘带隙;16、n+前表面场;17、前表面介质膜;18、背表面介质膜;20、第一绝缘层;22、第一绝缘层中的穿孔A;24、第一绝缘层中的穿孔B;30、第一电极导电板;32、第一电极导电板上的穿孔C;40、第二绝缘层;42、第二绝缘层中的穿孔D;50、第二电极导电板;60、第三绝缘层;70、导电浆料。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供的无主栅背接触太阳能电池组件,包括从上至下设置的玻璃1、EVA2、串联电池片、EVA2和背板4,该串联电池片为设置于导电背板301上且与导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片302。
如图1中所示,本实施例提供的无主栅背接触太阳能电池,包括N型单晶硅基体10,设于硅基体背面的p+掺杂区域11和n+掺杂区域13和用于p+/n+区域之间电绝缘的带隙15,p+掺杂区域11和n+掺杂区域13相互交替排列在硅基体10的背面,p+掺杂区域11和n+掺杂区域13上还分别设有与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极12和n+区域金属点状电极14,用来引出硅基体内的光生载流子,但没有用来收集光生电流并将其输送到外电路中的金属主栅电极。
其中硅基体10前表面为制绒面,表面设有低掺杂浓度的n+前表面场16,硅基体10的前表面和背表面还分别设有介质膜17和介质膜18,其中介质膜17用于电池前表面的光学减反射和表面钝化,介质膜18用于电池背表面p+掺杂区域和n+掺杂区域的表面钝化。
图2A为上述无主栅背接触太阳能电池的简化透视图,其中分别与p+和n+掺杂区域和相接触的p+区域金属点状电极12和n+区域金属点状电极14相互交替排列在硅基体10的背面,排布方式为二维的点状阵列结构。
用于制作无主栅背接触太阳能电池的硅基体为N型单晶硅基体,电阻率为1~30Ω·cm,厚度为50~300μm,N型晶体硅基体使用前先经表面制绒处理,然后利用扩散、离子注入和退火、掩膜、刻蚀等技术组合实现背接触电池的p+掺杂区域11和n+掺杂区域13相互交替排列在电池背表面。
设于电池前表面的介质膜17为氧化硅SiO和氮化硅SiN复合介质膜;设于电池背表面的介质膜18为氧化铝AlO和氮化硅SiN复合介质膜;分别与p+掺杂区域11和n+掺杂区域13相欧姆接触的p+区域金属点状电极12和n+区域金属点状电极14可以通过丝网印刷或电镀的方式来实现。
如图3-7所示,本实施例中的导电背板为一个按照第一绝缘层20、第一电极导电板30、第二绝缘层40、第二电极导电板50和第三绝缘层60的顺序排布并经层压所成的五层结构,具体特征如下:
(1)第一绝缘层20,绝缘层附着在第一电极导电板30上并与无主栅背接触太阳能电池背面相接触,第一绝缘层20上有两套不同尺寸的穿孔A22阵列和穿孔B24阵列,如图3所示,其中穿孔A22的尺寸略大于穿孔B24的尺寸,穿孔A22的位置与背接触太阳能电池p+区域金属点状电极12的位置相对应,尺寸不超过背接触太阳能电池背表面p+掺杂区域11的特征尺寸,穿孔B24的位置与电池背表面n+区域金属点状电极14相对应,尺寸不超过背接触太阳能电池背表面n+掺杂区域13的特征尺寸;
(2)第一电极导电板30,该第一电极导电板为低电阻率的金属薄板,其优选为铜板,夹在第一绝缘层20与第二绝缘层40中间,如图4所示,第一电极导电板30上与电池背表面p+区域金属点状电极12相对应的位置有穿孔C32,穿孔C32的尺寸略大于第一绝缘层20上穿孔A22的尺寸,但不超过背接触太阳能电池背表面p+掺杂区域11的特征尺寸;
(3)第二绝缘层40,第二绝缘层40位于第一电极导电板30和第二电极导电板50之间,用于第一电极导电板30和正极导电板50之间的电绝缘,第二绝缘层40上有尺寸完全一致的穿孔D42,如图5所示,穿孔D42的尺寸与第一绝缘层20上穿孔A22的尺寸一致,穿孔D42的位置与背接触太阳能电池背表面P+区域金属点状电极12的位置相对应;
(4)第二电极导电板50,第二电极导电板50夹在第二绝缘层40和第三绝缘层60中间,第二电极导电板50上无任何穿孔,为一低电阻率的金属平板,其优选为铜板,如图6所示;
(5)第三绝缘层60,该绝缘层贴附在第二电极导电板50的下表面,用于导电背板的保护和与外界的绝缘,第三绝缘层60上亦无任何穿孔,如图7所示;
(6)如图8所示,导电背板按照第一绝缘层20、第一电极导电板30、第二绝缘层40、第二电极导电板50和第三绝缘层60的顺序依次排布并经层压,层压过程中要求第一绝缘层上孔A的位置与第一电极导电板上孔C的位置以及第二绝缘层上孔D的位置相一一对应,层压结束后形成如图9所示的导电背板。
本实施例中的导电背板为一个有多个单元导电背板相串联组成的整体导电背板,每一个单元导电背板其第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层的大小和形状与步骤(1)中的无主栅背接触太阳能电池的大小和形状相适配。
上述无主栅背接触太阳能电池组件的制备方法,含以下步骤:
(1)制备上述无主栅背接触太阳能电池;
(2)制备导电背板,该导电背板是由多个导电背板单元相串联组成的整体导电背板,每个导电背板单元的大小和形状均与无主栅背接触太阳能电池相适配,该导电背板单元从上到下依次包括第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层;
(3)制备串联电池片,选取步骤(1)中的无主栅背接触太阳能电池和步骤(2)中的导电背板单元,每个导电背板单元对应一个无主栅背接触太阳能电池,且使无主栅背接触太阳能电池与导电背板相欧姆接触,将多个导电背板相串联,制备获得串联电池片;
(4)从上至下按照玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板材料的顺序,经层压、固化和封装处理,制成无主栅背接触太阳能电池组件。
具体而言,利用上述无主栅背接触太阳能电池和导电背板制备无主栅背接触太阳能电池组件的制备方法,含以下步骤:
(1)制作多个上述导电背板单元,其中每个导电背板单元对应一个无主栅背接触太阳能电池,然后将多个导电背板单元进行串联以形成串联导电背板阵列;
(2)在导电背板中第一绝缘层穿孔A22和穿孔B24所在的位置注入导电浆料70,如图10所示,其中注入到孔A22的导电浆料70经第一电极导电板上的孔C32和第二绝缘层上的孔D42与第二电极导电板50相接触,注入到孔B24的导电浆料70直接与第一电极导电板30相接触,然后将无主栅背接触电池排放在导电背板上,如图11A所示,排放过程中要求电池背表面p+区域金属点状电极12与孔A22的位置相对应,电池背表面n+区域金属点状电极14与孔B24的位置相对应,排放结束后轻微压实,进而实现背接触太阳能电池与导电背板之间的欧姆连接,导电浆料的主要材料为锡铋合金和热固化树脂;
(3)如图12所示,将贴附在串联导电背板上的串联电池片按照玻璃、EVA、电池片、串联导电背板、EVA和背板材料的顺序排列并经层压,固化,封装成电池组件。
实施例2
与实施例1不同的是,本实施例中无主栅背接触太阳能电池的电极排布方式为一维栅线阵列结构,即相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域呈一维排布,与p+和n+掺杂区域和相接触的金属电极为金属细栅电极,如图2B所示。
实施例3
与实施例1不同的是,本实施中与无主栅背接触太阳能电池上的p+区域金属点状电极或金属细栅电极相欧姆接触的为第一导电板,与无主栅背接触太阳能电池上的n+区域金属点状电极或金属细栅电极相欧姆接触的为第二导电板,如图11B所示,即无主栅背接触太阳能电池上的n+区域金属点状电极或金属细栅电极14通过第一绝缘层上穿孔A22阵列中的导电浆料70,并经穿孔C32和穿孔D42与第二电极导电板50相接触,无主栅背接触太阳能电池上的p+区域金属点状电极或金属细栅电极12通过第一绝缘层上穿孔B24阵列中的导电浆料直接与第一电极导电板30相接触。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种无主栅背接触太阳能电池组件,包括从上至下设置的玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板,其特征是:所述串联电池片包括导电背板和设置于所述导电背板上且与所述导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片。
2.根据权利要求1所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述的无主栅背接触太阳能电池片包括硅基体,相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域,设于所述p+掺杂区域和n+掺杂区域之间用于使所述p+掺杂区域和n+掺杂区域电绝缘的带隙,设于所述p+掺杂区域上并与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极或金属细栅电极,以及设于所述n+掺杂区域上并与其相欧姆接触的n+区域金属点状电极或金属细栅电极。
3.根据权利要求2所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层,在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应;或所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层,在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应。
4.根据权利要求3所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入有导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触。
5.根据权利要求4所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述无主栅背接触太阳能电池片置于所述导电背板上,其中所述无主栅背接触太阳能电池片上p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接;或所述无主栅背接触太阳能电池片置于所述导电背板上,其中所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述导电背板为一个可设置多个无主栅背接触太阳能电池的整体导电背板或由多个导电背板单元相串联组成的整体导电背板,其中所述导电背板单元的大小与所述无主栅背接触太阳能电池的大小相适配。
7.一种无主栅背接触太阳能电池组件的制作方法,其特征是含以下步骤:
(1)制备无主栅背接触太阳能电池;
(2)制备导电背板,所述导电背板从上到下依次包括第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层;
(3)制备串联电池片,将步骤(1)中的多个无主栅背接触太阳能电池设置于步骤(2)所述的导电背板上方,且使所述的无主栅背接触太阳能电池与所述的导电背板相欧姆接触,制备获得串联电池片;
(4)从上至下按照玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板材料的顺序,经层压、固化和封装处理,制成无主栅背接触太阳能电池组件。
8.根据权利要求7所述的无主栅背接触太阳能电池组件的制作方法,其特征是:步骤(1)中所述的无主栅背接触太阳能电池片包括硅基体,相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域,设于所述p+掺杂区域和n+掺杂区域之间用于使所述p+掺杂区域和n+掺杂区域电绝缘的带隙,设于所述p+掺杂区域上并与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极或金属细栅电极,以及设于所述n+掺杂区域上并与其相欧姆接触的n+区域金属点状电极或金属细栅电极。
9.根据权利要求8所述的无主栅背接触太阳能电池组件的制作方法,其特征是:步骤(2)中所述导电背板在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,将所述第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层进行层压获得整体导电背板,层压时使第一绝缘层上穿孔A阵列、第一电极导电板上穿孔C阵列以及第二绝缘层上穿孔D阵列的位置相对应;或所述导电背板在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,将所述第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层进行层压获得整体导电背板,层压时使第一绝缘层上穿孔A阵列、第一电极导电板上穿孔C阵列以及第二绝缘层上穿孔D阵列的位置相对应。
10.根据权利要求9所述的无主栅背接触太阳能电池组件的制作方法,其特征是:步骤(3)中制备串联电池片时,在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触,将步骤(1)中的多个无主栅背接触太阳能电池设置于步骤(2)所述的导电背板上方,使所述无主栅背接触太阳能电池上的p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,并使所述无主栅背接触太阳能电池片上的n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接,形成串联电池片;或步骤(3)中制备串联电池片时,在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触,将步骤(1)中的多个无主栅背接触太阳能电池设置于步骤(2)所述的导电背板上方,使所述无主栅背接触太阳能电池上的n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,并使所述无主栅背接触太阳能电池片上的p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接,形成串联电池片。
CN201410231962.8A 2014-05-28 2014-05-28 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法 Active CN104064608B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410231962.8A CN104064608B (zh) 2014-05-28 2014-05-28 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410231962.8A CN104064608B (zh) 2014-05-28 2014-05-28 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104064608A true CN104064608A (zh) 2014-09-24
CN104064608B CN104064608B (zh) 2016-08-24

Family

ID=51552234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410231962.8A Active CN104064608B (zh) 2014-05-28 2014-05-28 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104064608B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104269453A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
CN104269454A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
CN104269462A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
CN104752560A (zh) * 2015-03-03 2015-07-01 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件的制作方法
WO2016045227A1 (zh) * 2014-09-28 2016-03-31 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺
WO2016066135A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-06 Byd Company Limited Solar cell module and manufacturing method thereof
CN106409929A (zh) * 2016-09-30 2017-02-15 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种无主栅全背接触太阳能电池组件
CN106449794A (zh) * 2016-09-21 2017-02-22 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种高效n型太阳能电池及利用其制造电池组件的方法
CN106784104A (zh) * 2017-02-10 2017-05-31 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池串及其制备方法和组件、系统
CN108039384A (zh) * 2017-12-21 2018-05-15 张建宏 一种太阳能发电器件
CN108172654A (zh) * 2017-12-20 2018-06-15 北京康普锡威科技有限公司 太阳能电池池片组件及其组装方法
CN113725323A (zh) * 2021-11-02 2021-11-30 南京日托光伏新能源有限公司 一种背接触光伏组件及其高精度封装方法
CN113990957A (zh) * 2021-09-28 2022-01-28 南京日托光伏新能源有限公司 一种集成式复合型局域导电芯板及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130288425A1 (en) * 2011-08-05 2013-10-31 Solexel, Inc. End point detection for back contact solar cell laser via drilling
CN103474481A (zh) * 2013-09-17 2013-12-25 北京汉能创昱科技有限公司 一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN103474494A (zh) * 2012-06-05 2013-12-25 爱博福欧有限公司 包括背接触式太阳能电池的光伏模块用背板
CN103560154A (zh) * 2013-11-14 2014-02-05 英利集团有限公司 背接触太阳能电池组件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130288425A1 (en) * 2011-08-05 2013-10-31 Solexel, Inc. End point detection for back contact solar cell laser via drilling
CN103474494A (zh) * 2012-06-05 2013-12-25 爱博福欧有限公司 包括背接触式太阳能电池的光伏模块用背板
CN103474481A (zh) * 2013-09-17 2013-12-25 北京汉能创昱科技有限公司 一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN103560154A (zh) * 2013-11-14 2014-02-05 英利集团有限公司 背接触太阳能电池组件

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10593822B2 (en) 2014-09-28 2020-03-17 Jolywood (Suzhou) Sunwatt Co., Ltd. Main-gate-free and high-efficiency back-contact solar cell module, main-gate-free and high-efficiency back-contact solar cell assembly, and preparation process thereof
CN104269454A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
CN104269453A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
WO2016045227A1 (zh) * 2014-09-28 2016-03-31 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺
CN104269462A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
WO2016066135A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-06 Byd Company Limited Solar cell module and manufacturing method thereof
CN104752560A (zh) * 2015-03-03 2015-07-01 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件的制作方法
CN106449794A (zh) * 2016-09-21 2017-02-22 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种高效n型太阳能电池及利用其制造电池组件的方法
CN106409929A (zh) * 2016-09-30 2017-02-15 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种无主栅全背接触太阳能电池组件
CN106784104B (zh) * 2017-02-10 2018-12-25 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池串及其制备方法和组件、系统
CN106784104A (zh) * 2017-02-10 2017-05-31 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池串及其制备方法和组件、系统
CN108172654A (zh) * 2017-12-20 2018-06-15 北京康普锡威科技有限公司 太阳能电池池片组件及其组装方法
CN108039384A (zh) * 2017-12-21 2018-05-15 张建宏 一种太阳能发电器件
CN113990957A (zh) * 2021-09-28 2022-01-28 南京日托光伏新能源有限公司 一种集成式复合型局域导电芯板及其应用
CN113990957B (zh) * 2021-09-28 2024-01-23 江苏日托光伏科技股份有限公司 一种集成式复合型局域导电芯板及其应用
CN113725323A (zh) * 2021-11-02 2021-11-30 南京日托光伏新能源有限公司 一种背接触光伏组件及其高精度封装方法
CN113725323B (zh) * 2021-11-02 2022-06-28 南京日托光伏新能源有限公司 一种背接触光伏组件及其高精度封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104064608B (zh) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104064608A (zh) 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法
WO2016045227A1 (zh) 无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺
CN106409929B (zh) 一种无主栅全背接触太阳能电池组件
CN102938432B (zh) 一种mwt太阳电池组件的制备方法
CN106057923B (zh) 一种背接触太阳能电池及太阳能电池组件
CN104064609A (zh) 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法
CN103646981B (zh) 用于背接触太阳能电池组件的压花焊带及组件的制备方法
CN103337529A (zh) 全背接触太阳电池电极及其制作方法
CN102646728A (zh) 一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法
JP2019523564A (ja) バックコンタクト型太陽電池ストリング及びその製造方法、モジュール、システム
CN103762253A (zh) 一种背接触太阳能电池及其制备方法
CN105845754A (zh) 一种太阳能电池模组及其制备方法和组件、系统
CN115548142B (zh) 一种太阳能电池及光伏组件
JP2015159276A (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN203774340U (zh) 太阳能电池装置
CN207753025U (zh) 竖版型光伏叠片组件
WO2018176182A1 (zh) 一种n型ibc太阳能电池拼片连接的电池串及其制备方法、组件和系统
CN105789344A (zh) 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构
CN102779862A (zh) 一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法
KR101371865B1 (ko) 태양전지의 전면전극 구조 및 그 제조방법
CN103390660A (zh) 晶体硅太阳能电池及其制作方法
Späth et al. First experiments on module assembly line using back-contact solar cells
CN109037364B (zh) 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法
CN116666473A (zh) 无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法
KR20180079425A (ko) 후면 전극형 태양전지 기판, 이의 제조방법 및 후면 전극형 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant